Ответ: 1
Вопрос: В режиме насыщения полевого транзистора ток стока…
Ответ: не зависит от величины напряжения сток-исток,
Вопрос: Ширина p-n-перехода увеличивается при…
Ответ: увеличении обратного напряжения на переходе,
Вопрос: Сколько валентных электронов содержит атом донорной примеси…
Ответ: пять
Вопрос: Какому типу полупроводника соответствует данная энергетическая диаграмма (EF – энергия уровня Ферми)…
Ответ: полупроводник i-типа ;
Вопрос: При прямом включении p-n-перехода соотношение между диффузионным и дрейфовым токами определяется…
Ответ: IДИФ > IДРЕЙФ,
Вопрос: Какие носители заряда могут образовывать ток в полупроводнике n-типа...
Ответ: подвижные электроны и подвижные дырки.
Вопрос: В примесном полупроводнике при увеличении концентрации основных носителей, концентрация неосновных носителей…
Ответ: уменьшается
Вопрос: Условием электронейтральности для полупроводников p-типа является...
Ответ:
Вопрос: Свойства МДП-полевого транзистора с встроенным каналом n-типа отражает стокозатворная характеристика IC=f(UЗИ) – …
Ответ: 1
Вопрос: График выходных характеристик МДП-полевого транзистора определяет тип
канала…
Ответ: индуцированный n-типа,
Вопрос: Представленный фрагмент кристаллической структуры полупроводника при температуре Т ≈ 0K соответствует…
Ответ: собственному полупроводнику (i-типа),
Вопрос: Процесс рекомбинации электронно-дырочной пары протекает…
Ответ: с выделением энергии,
Вопрос: При увеличении концентрации примеси в полупроводнике концентрация неосновных носителей...
Ответ: уменьшится
Вопрос: Дифференциальное сопротивление p-n-перехода при прямом и обратном включении соответствуют неравенствам…
Ответ: RДИФ.ПР. < RДИФ.ОБР.,
Вопрос: Электропроводимость полупроводника при температуре T ≈ 0K...
Ответ: отсутствие проводимости
Вопрос: Какое распределение неосновных носителей в базе БТ соответствует режиму отсечки…
Ответ: 4
Вопрос: Ширина p-n-перехода при увеличении модуля обратного напряжения…
Ответ: увеличивается
Вопрос: На графиках нелинейных зависимостей IC=f(UЗИ) укажите стокозатворную характеристику полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа…
Ответ: а
Вопрос: Электронейтральность полупроводника n-типа определяется...
Ответ: наличием необходимого количества положительных ионов.
Вопрос: Наименьшая энергия перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости соответствует…
Ответ: энергии запрещенной зоны (ΔE0).
Вопрос: Стокозатворная характеристика
МДП-полевого транзистора с изолированным
затвором и индуцированным каналом
n-типа изображена вольтамперной
зависимостью (ВАХ)…
Ответ: 1
Вопрос: Входной ток полевого транзистора с управляющим p-n-переходом оказывается ничтожно малой величины…
Ответ: при обратном напряжении на p-n-переходе,
Вопрос: Рабочая точка (РТ) на выходных характеристиках биполярного транзистора соответствует режиму (определяет режим)...
Ответ: нормальный активный режим
Вопрос: В какой схеме включен биполярный транзистор, если входным электродом является база, а выходным – коллектор…
Ответ: с общим эмиттером,
Вопрос: В примесных полупроводниках с одинаковой концентрацией примеси температура, при которой концентрация основных носителей равна концентрации неосновных, наибольшая...
Ответ: для примесного полупроводника на основе арсенида галлия.
Вопрос: Коллекторный ток в схеме включения БТ с ОБ определяется соотношением…
Ответ: IК = αIБ+IКБ0,
Вопрос: На выходных характеристиках биполярного транзистора режиму насыщения соответствует рабочая точка (РТ)…
Ответ: РТ А,
Вопрос: Диод Шоттки при прямом напряжении имеет вольтамперную характеристику (ВАХ) с величиной порогового напряжения UПОР («пятка» диода) приблизительно равным…
Ответ: UПОР ≈ 0,3В,
Вопрос: Контактная разность потенциалов для p-n-перехода на основе кремния составляет…
Ответ: 0,75В,
Вопрос: Управление током в канале полевого транзистора с управляющим p-n-переходом осуществляется благодаря …
Ответ: изменению ширины проводящей части канала при подаче обратного напряжения на управляющий p-n-переход.
Вопрос: Транзистор n-p-n в схеме с ОБ работает в режиме насыщения, что соответствует полярности источников питания, показанных на схеме…
