- •С.А. Качур, с.В. Петров, в.Б. Гончаренко практикум по электронике
- •Введение
- •Часть I
- •1.1.1. Классификация и основные параметры интегральных схем
- •1.1.2. Элементы интегральных схем
- •1.1.3. Маркировка интегральных схем
- •1.1.4. Маркировка конденсаторов
- •1.1.5. Маркировка резисторов
- •1.2. Практические задания
- •2.1.2. Основные схемы параметрических стабилизаторов
- •2.1.3. Порядок расчета однокаскадного параметрического стабилизатора
- •Iст max расч Iст max
- •2.2. Практическое задание
- •3.1.2. Параметры полупроводниковых диодов
- •3.2. Практические задания
- •4.1.2. Основные режимы работы и характеристики полупроводниковых транзисторов
- •4.2. Практические задания
- •5.1.2. Расчет балансного каскада упт
- •5.2. Практическое задание
- •Предельные эксплуатационные параметры транзисторов
- •Примечание: Допустимое напряжение коллектор-эмиттер uкэ доп для транзисторов кт315а и кт315б указано в числителе дроби, для транзисторов кт315в и кт315г указано в знаменателе дроби,
- •Часть II
- •1.2. Подготовка к работе.
- •1.3. План работы.
- •1.4.Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа №2 исследование сглаживающих фильтров
- •2.1. Теоретические сведения.
- •2.2. Подготовка к работе.
- •2.3. План работы.
- •Результаты эксперимента
- •2.4. Контрольные вопросы.
- •3.1.2. Схемы защиты стабилизаторов от перегрузок
- •3.2. Подготовка к работе.
- •3.3. План работы.
- •3.4. Контрольные вопросы.
- •4.1.2. Усилительный каскад на бт с оэ
- •4.1.3. Усилительный каскад на бт с общим коллектором (эмиттерный повторитель).
- •4.2. Подготовка к работе.
- •4.3. План работы.
- •Результат исследования схемы с оэ для построения амплитудной характеристики усилителя
- •Результат исследования схемы с оэ для построения амплитудно-частотной характеристики усилителя
- •Результат исследования схемы с ок для построения амплитудной характеристики усилителя
- •Результат исследования схемы с ок для построения амплитудно-частотной характеристики усилителя
- •4.4. Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа № 5 исследование дифференциального усилительного каскада на биполярных транзисторах
- •5.1. Теоретические сведения.
- •5.2. Подготовка к работе.
- •5.3. План работы.
- •Результат исследования схемы дифференциального усилителя для
- •Результат исследования схемы дифференциального усилителя для построения амплитудно-частотной характеристики усилителя
- •5.4. Контрольные вопросы.
- •6.2. Подготовка к работе.
- •6.3. План работы.
- •Результат исследования бестрансформаторного усилителя мощности
- •6.4. Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа №7 исследование операционного усилителя
- •7.1. Теоретические сведения
- •7.1.1. Инвертирующий усилитель.
- •7.1.2. Неинвертирующий усилитель.
- •7.2. Подготовка к работе.
- •7.3. План работы.
- •7.4. Контрольные вопросы.
- •8.1.2. Схемы мультивибраторов
- •8.2. Подготовка к работе
- •8.3. План лабораторной работы
- •Результаты исследования влияния сопротивления r11 на работу мультивибратора
- •Результаты исследования влияния сопротивления r19 на работу мультивибратора
- •8.4. Контрольные вопросы.
- •Заключение
- •Литература
- •Приложение а Справочная информация о стенде «Электроника» (научно-техническое предприятие «Центр», г. Могилев)
- •Введение
- •1. Устройство и принцип работы стенда «электроника»
- •2. Подготовка и порядок работы стенда «электроника»
- •3. Программное обеспечение стенда «электроника»
- •3.1. Общие сведения о программе
- •3.2. Запуск программы
- •3.3. Внешний вид программы
- •3.3.1. Окно программы
- •3.3.2. Область осциллограммы
- •5. В качестве служебной информации в области осциллограммы отображаются имена каналов.
- •3.4 Главное меню программы
- •3.4.1. Команды меню «Файл»
- •3.4.2. Команды меню «Осциллограф»
- •3.4.3. Команды меню «Вид»
- •3.5. Настройка каналов
- •3.5.1. Настройка ацп и каналов
- •3.5.2. Калибровка
- •3.5.3. Настройка расчетных каналов
- •3.6 Опции программы
- •3.6.1. Настройка программного буфера
- •3.6.2. Настройка панели временных измерений
- •3.6.2. Настройка параметров фазового портрета
- •3.7 Панель инструментов программы
- •3.8 Панель настроек
- •3.8.1. Панель настройки времени
- •3.8.2 Панель настройки параметров синхронизации
- •3.8.3. Панель настройки каналов
- •3.9. Строка состояния
- •3.10. Маркеры времени
- •3.11. Инструменты
- •4. Контрольные точки стенда «электроника»
- •Соответствие профилей группе лабораторных работ (л. Р.)
- •Приложение б Примеры представления результатов выполнения лабораторных работ
2.1.2. Основные схемы параметрических стабилизаторов
Схема однокаскадного параметрического стабилизатора напряжения (рис. 2.2, а) состоит из источника напряжения Uвх , гасящего резистора R1, кремниевого стабилитрона V1 и сопротивления нагрузки RН питаемого устройства. Как известно, на вольт-амперной характеристике кремниевого стабилитрона, включенного под обратное напряжение, имеется участок, на котором при измене тока напряжение на приборе остается неизменным (участок обратимого пробоя). В связи с этим при изменении Uвх или RН в определенных пределах выходное напряжение меняется мало, поскольку в схеме непрерывно происходит перераспределение входного напряжения между гасящим сопротивлением и внутренним сопротивлением стабилитрона и входного тока между внутренним сопротивлением стабилитрона и нагрузкой.
а) б) в)
Рис. 2.2. Параметрические стабилизаторы на кремниевых стабилитронах: а — однокаскадный стабилитрон; б — двухкаскадный стабилитрон; в —. схема с термокомпенсирующими диодами.
Широкая номенклатура выпускаемых кремниевых стабилитронов позволяет выполнять стабилизаторы с выходным напряжением от единиц до сотен вольт. Однако таким стабилизаторам присущ ряд серьезных недостатков. Они работают эффективно лишь при условии, что ток нагрузки I, меньше тока Iст через стабилитрон. В противном случае ухудшается стабильность выходного напряжения при изменения сопротивления нагрузки. Этот недостаток можно устранить, применяя двухкаскадные стабилизаторы, в которых выход одного каскада соединяется с входом второго (рис. 2.2, 6). Но это приводят к снижению КПД стабилизатора. Существенно влияет на работу схемы и то обстоятельство, что большинство кремниевых стабилитронов имеет положительный температурный коэффициент напряжения стабилизации ст. В целях термокомпенсации последовательно с основным стабилитроном, работающем при обратном напряжении, включают дополнительные диоды в проводящем направлении (при этом их коэффициент ст отрицателен) (рис. 2.2, в). Но в этом случае резко(в 4—5 раз) снижается стабилизирующее действие схемы. Все это обусловливает использование параметрических стабилизаторов на кремниевых стабилитронах только при небольших токах нагрузки (единицы — десятки миллиампер).
2.1.3. Порядок расчета однокаскадного параметрического стабилизатора
При расчете схемы однокаскадного параметрического стабилизатора (рис. 2.2, а) исходят из заданных технических требований. Обычно известны следующие параметры: номинальное значение выходного напряжения Uвых; номинальный ток нагрузки IН; допустимые относительные отклонения напряжения на входе стабилизатора от номинального в сторону увеличения авх и уменьшения bвх, %; допустимые относительные отклонения напряжения на выходе стабилизатора от номинального в сторону увеличения авых и уменьшения bвых, %; допустимые относительное отклонения тока нагрузки от номинального в сторону увеличения с и уменьшения d, %.
В результате расчета необходимо определять тип кремниевого стабилитрона, напряжение на входе стабилизатора величину гасящего сопротивления R1, а также максимальную величину тока, проходящего через стабилитрон Iст max.
Расчет производим в следующем порядке:
1. Выбираем тип кремниевого стабилитрона. Основанием для выбора служит заданное значение Uвых с учетом его допустимых относительных изменений авых и bвых. Основные параметры кремниевых стабилитронов малой и средней мощности приведены в табл. 2.2. Выписываем из таблиц параметры выбранного стабилитрона Uст , Iст , Iст min , Iст max , rст , ст .
2. Определяем требуемое значение коэффициента стабилитрона
Кст = (авх + bвх)/( авых + bвых).
3. Находим максимальное значение коэффициента стабилизации
Кст max=[ Uвых (1 — bвх/100)]/[ IН (1 + с/100) + Iст ] rст .
Величина Кст max должна быть больше требуемого значения коэффициента стабилизации Кст в 1,3…1,5 раза
Кст max (1,3. . .1,5) Кст
Если это условие не выполняется, следует использовать более сложную (двухкаскадную) схему стабилизатора (рис. 2.2, 6).
4. Определяем необходимое значение напряжения на входе стабилизатора
Uвх= Uвых/(1 — bвх/100) (1 — Кст/ Кст max )
5. Находим величину сопротивления гасящего резистора
R1 = [Uвх/(1 — bвх/100) — Uвых]/ [ IН (1 + с/100) + Iст ]
Мощность, рассеиваемая на резисторе R1, составляет
РR1 = (IН + Iст max ) R1.
По шкале номинальных сопротивлений резисторов (табл. 2.1) выбираем стандартный тип резистора.
6. Рассчитываем максимальное (расчетное) значение тока стабилитрона Iст max расч
Iст max расч = Iст +IН (1 + с/100) — IН (1 — d/100) +
+ [Кст max ( IН (1 + с/100) + Iст ) (авх + bвх) /100] / [Кст (1 — bвх/100)]
Необходимо, чтобы найденное значение тока Iст max расч не превышало величину Iст max для выбранного типа стабилитрона