- •С.А. Качур, с.В. Петров, в.Б. Гончаренко практикум по электронике
- •Введение
- •Часть I
- •1.1.1. Классификация и основные параметры интегральных схем
- •1.1.2. Элементы интегральных схем
- •1.1.3. Маркировка интегральных схем
- •1.1.4. Маркировка конденсаторов
- •1.1.5. Маркировка резисторов
- •1.2. Практические задания
- •2.1.2. Основные схемы параметрических стабилизаторов
- •2.1.3. Порядок расчета однокаскадного параметрического стабилизатора
- •Iст max расч Iст max
- •2.2. Практическое задание
- •3.1.2. Параметры полупроводниковых диодов
- •3.2. Практические задания
- •4.1.2. Основные режимы работы и характеристики полупроводниковых транзисторов
- •4.2. Практические задания
- •5.1.2. Расчет балансного каскада упт
- •5.2. Практическое задание
- •Предельные эксплуатационные параметры транзисторов
- •Примечание: Допустимое напряжение коллектор-эмиттер uкэ доп для транзисторов кт315а и кт315б указано в числителе дроби, для транзисторов кт315в и кт315г указано в знаменателе дроби,
- •Часть II
- •1.2. Подготовка к работе.
- •1.3. План работы.
- •1.4.Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа №2 исследование сглаживающих фильтров
- •2.1. Теоретические сведения.
- •2.2. Подготовка к работе.
- •2.3. План работы.
- •Результаты эксперимента
- •2.4. Контрольные вопросы.
- •3.1.2. Схемы защиты стабилизаторов от перегрузок
- •3.2. Подготовка к работе.
- •3.3. План работы.
- •3.4. Контрольные вопросы.
- •4.1.2. Усилительный каскад на бт с оэ
- •4.1.3. Усилительный каскад на бт с общим коллектором (эмиттерный повторитель).
- •4.2. Подготовка к работе.
- •4.3. План работы.
- •Результат исследования схемы с оэ для построения амплитудной характеристики усилителя
- •Результат исследования схемы с оэ для построения амплитудно-частотной характеристики усилителя
- •Результат исследования схемы с ок для построения амплитудной характеристики усилителя
- •Результат исследования схемы с ок для построения амплитудно-частотной характеристики усилителя
- •4.4. Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа № 5 исследование дифференциального усилительного каскада на биполярных транзисторах
- •5.1. Теоретические сведения.
- •5.2. Подготовка к работе.
- •5.3. План работы.
- •Результат исследования схемы дифференциального усилителя для
- •Результат исследования схемы дифференциального усилителя для построения амплитудно-частотной характеристики усилителя
- •5.4. Контрольные вопросы.
- •6.2. Подготовка к работе.
- •6.3. План работы.
- •Результат исследования бестрансформаторного усилителя мощности
- •6.4. Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа №7 исследование операционного усилителя
- •7.1. Теоретические сведения
- •7.1.1. Инвертирующий усилитель.
- •7.1.2. Неинвертирующий усилитель.
- •7.2. Подготовка к работе.
- •7.3. План работы.
- •7.4. Контрольные вопросы.
- •8.1.2. Схемы мультивибраторов
- •8.2. Подготовка к работе
- •8.3. План лабораторной работы
- •Результаты исследования влияния сопротивления r11 на работу мультивибратора
- •Результаты исследования влияния сопротивления r19 на работу мультивибратора
- •8.4. Контрольные вопросы.
- •Заключение
- •Литература
- •Приложение а Справочная информация о стенде «Электроника» (научно-техническое предприятие «Центр», г. Могилев)
- •Введение
- •1. Устройство и принцип работы стенда «электроника»
- •2. Подготовка и порядок работы стенда «электроника»
- •3. Программное обеспечение стенда «электроника»
- •3.1. Общие сведения о программе
- •3.2. Запуск программы
- •3.3. Внешний вид программы
- •3.3.1. Окно программы
- •3.3.2. Область осциллограммы
- •5. В качестве служебной информации в области осциллограммы отображаются имена каналов.
- •3.4 Главное меню программы
- •3.4.1. Команды меню «Файл»
- •3.4.2. Команды меню «Осциллограф»
- •3.4.3. Команды меню «Вид»
- •3.5. Настройка каналов
- •3.5.1. Настройка ацп и каналов
- •3.5.2. Калибровка
- •3.5.3. Настройка расчетных каналов
- •3.6 Опции программы
- •3.6.1. Настройка программного буфера
- •3.6.2. Настройка панели временных измерений
- •3.6.2. Настройка параметров фазового портрета
- •3.7 Панель инструментов программы
- •3.8 Панель настроек
- •3.8.1. Панель настройки времени
- •3.8.2 Панель настройки параметров синхронизации
- •3.8.3. Панель настройки каналов
- •3.9. Строка состояния
- •3.10. Маркеры времени
- •3.11. Инструменты
- •4. Контрольные точки стенда «электроника»
- •Соответствие профилей группе лабораторных работ (л. Р.)
- •Приложение б Примеры представления результатов выполнения лабораторных работ
1.1.5. Маркировка резисторов
Старая маркировка резисторов включает в себя четыре позиции.
Первая позиция — буква, обозначающая тип резистора: У — углеродистые, К — композиционные, М — металлопленочные, Б — бороуглеродистые.
Вторая позиция — буква, обозначающая вид защиты: Л — лакированные, Г герметичные, Э — эмалированные.
Третья позиция — буква, обозначающая особые свойства резистора или его назначение: Т — теплостойкие, П — прецизионные, В — высоковольтные, О — объемные.
Четвертая позиция — число или цифра, обозначающая допустимую мощность рассеяния в ваттах. Таким образом, МЛТ-1 означает: резистор металлопленочный лакированный теплостойкий с мощностью рассеяния, равной 1 Вт.
Старая маркировка в зависимости от назначения и конструктивного исполнения резисторов имеет ряд особенностей, которые приводятся ниже по их разновидностям.
Углеродистые резисторы поверхностные содержат токопроводящий элемент в виде тонкого слоя углерода, нанесенного на поверхность керамического основания. Их старая маркировка расшифровывается так: ВС — резисторы углеродистые влагостойкие, ОВС — резисторы типа ВС повышенной надежности (особовлагостойкие), ИВС — резисторы типа ВС, предназначенные для работы в импульсном режиме, УВ — резисторы углеродистые водоохлаждаемые, УЛМ — резисторы углеродистые лакированные малогабаритные, УЛИ — резисторы углеродистые лакированные измерительные, УЛС — резисторы углеродистые лакированные специальные, УНУ — резисторы углеродистые незащищенные ультравысокочастотные, УНУ-Ш — резисторы типа УНУ в шайбовом исполнении, БЛП — резисторы бороуглеродистые прецизионные.
Металлопленочные резисторы поверхностные делятся на сплавные, или металлизированные и металлоокисные. Металлизированные резисторы содержат токопроводящий элемент в виде тонкого сплава металлов с высоким удельным сопротивлением, нанесенного на поверхность керамического стержня, а металлоокисные — содержат токопроводящий элемент в виде тонкого слоя окиси металла, нанесенного на поверхность такого же стержня. Эти резисторы маркируются так: МЛТ — металлопленочные резисторы лакированные теплостойкие, ОМЛТ — резисторы типа МЛТ особые (с повышенной надежностью или теплостойкостью), МГП — металлопленочные резисторы герметизированные прецизионные, МТ — металлопленочные резисторы теплостойкие, МУН — металлопленочные резисторы ультравысокочастотные незащищенные, МОН — металлоокисные резисторы низкоомные, МОУ — металлоокисные резисторы специальные.
Композиционные резисторы делятся на лакопленочные и объемные. Токопроводящим элементом у лакопленочных композиционных резисторов является пленка из смеси (композиции) углерода с диэлектриками, нанесенная на поверхность керамического основания. Токопроводящим элементом у объемных резисторов являются органические или неорганические связи. По старой маркировке эти резисторы расшифровываются так: КВМ — композиционные резисторы вакуумированные мегаомные. КИМ — композиционные резисторы изолированные малогабаритные, КЛВ—композиционные резисторы лакированные высоковольтные, КЛМ — композиционные резисторы лакированные мегаомные, КММ—композиционные резисторы мегаомные малогабаритные, КОМ — композиционные резисторы опрессованные мегаомные, КЭВ — композиционные резисторы эмалированные высоковольтные, ТВО — объемные резисторы теплостойкие и влагостойкие (с неорганическими связями), КОИ — объемные резисторы с органическими связями.
Резистивным элементом у проволочных резисторов является намотанная на диэлектрический каркас проволока из сплавов большого сопротивления (константана, манганина, нихрома и др.). Маркировка этих резисторов расшифровывается так:
ПЭ — резисторы проволочные эмалированные, ПЭВ — резисторы проволочные эмалированные влагостойкие, ПЭВ-Х (ПЭВР) — резисторы проволочные эмалированные влагостойкие с передвижным хомутиком для регулировки (регулировочные), ПЭВТ—резисторы типа ПЭВ теплостойкие, ПТ — резисторы проволочные точные, ПКВ — резисторы проволочные влагостойкие малогабаритные, МВС — резисторы микропроволочные высоковольтные в стеклянной изоляции, МВСГ — резисторы типа МВС герметизированные.
Старая маркировка резисторов переменного сопротивления расшифровывается так: СП — резисторы переменного сопротивления (непроволочные), СПО — резисторы переменного сопротивления объемные, ВК — волюмконтроль (регуляторы тембра), ТК — тонконтроль (регуляторы громкости), ПП — проволочные резисторы переменные, ППБ — резисторы типа ПП бескаркасные.
Новая маркировка резисторов в нормальном или в обычном исполнении (не в тропическом) включает в себя три позиции.
Первая позиция — одна С или две СП буквы, означающие: С — резистор постоянного сопротивления, СП — резистор переменного сопротивления.
Вторая позиция— цифра (в примере, приведенном выше, 1), обозначающая вид и тип резистора: 1 — углеродистые, 2 — металлопленочные и металлоокисные, З — пленочньте композиционные, 4 — объемные композиционные, 5 — проволочные.
Третья позиция — цифрё (или число), в примере выше — 5, обозначающая номер резистора и, как следствие, его типоразмер (или номер конструктивной разработки).
В новейшей системе сокращенных условны обозначений резисторов первый элемент — буква или сочетание букв — обозначает подкласс резисторов (Р — постоянные резисторы, РП — переменные резисторы, НР — на боры резисторов), а второй элемент (вторая позиция) — цифра или число — обозначает группу резисторов по материалу резистивного элемента: 1 — непроволочные, 2 — проволочные. Третий элемент — цифра или число — обозначает номер разработки резистора данного типа.