Процессы, рассматриваемые в вакуумной и плазменной электронике

Процессы

электро-ники

Тип

Частицы

Заряд,

Кл

Масса,

кг

Вид

деятельности

Характеристика деятельности

Вакуум-ная

электро-ника

Электрон

e^-

1,6∙10^-19

0,91∙10^-30

Перенос массы

Ничтожно мал

Перенос заряда

Только отрицательный заряд Величина заряда не превышает e^-.

Энергетическое воздействие.

Участвует в потоке при переносе заряда и энергии.

Плаз-менная элект-роника

Электрон

e^-

1,6∙10^-19

0,91∙10^-30

Перенос массы

Ничтожно мал.

Перенос заряда

Только отрицательный заряд. Величина заряда не превышает e^-.

Энергетическое воздействие.

Участвует в потоке при переносе заряда и энергии.

Участие в элементарных процессах

Участвует в образовании ионов, ион-радикалов и заряда поверхности.

Ионы,

А^-, А^--…

А⁺, А⁺⁺…

F^-=1,6∙10^-19

H⁺=1,6∙10^-19

F^-=3,04∙10^-25

Cl^-=5,66∙10^-26

H⁺=1,67∙10^-27

Xe⁺⁺=2,10∙10^-25

Перенос массы

Т.к.m_a>>m_e- то перенос значителен. Используется в процессах нанесения, удаления.

Перенос заряда

Заряд кратен e^-. Возможность переноса заряда обоих знаков.

Энергетическое воздействие.

Участвует в образовании заряда поверхности и переносе энергии.

Участие в элементарных процессах

Участвует в образовании ХАЧ и их исчезновении.

Ион-радикалы

R^-, R^--…

R⁺, R⁺⁺…

CCl₃⁺=1,6∙10^-19

CF₃⁺=1,6∙10^-19

CCl₃⁺=1,9∙10^-25

CF₃⁺=9,2∙10^-25

Перенос массы

Мало используется.

Перенос заряда

Мало используется.

Энергетическое воздействие

Мало используется.

Участие в элементарных процессах

Основное использование в процессах очистки, травления, плазмохимии.

Атомы

А

молекулы

М

-

-

H=1,67∙10^-27

Xe=2,10∙10^-25

H₂=3,34∙10^-27

Xe=2,10∙10^-25

Участие в элементарных процессах

Поддержание электронейтральности плазмы и непрерывности ХАЧ

(образование ионов,

ион-радикалов).