Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Калабушев - УП, 52 стр.doc
Скачиваний:
9
Добавлен:
24.09.2019
Размер:
1.54 Mб
Скачать

8.3. Пример расчета средней длины связи и средней длины логической цепи в конструкциях коммутационных элементов обрабатывающих устройств эвм

Условие задачи:

Рассчитать средние длины связей и цепей для 3‑х вариантов конструкции обрабатывающего устройства ЭВМ, логическая схема которого характеризуется наличием 4‑х уровней компоновки элементов:

Вар.1 – устройство представляет собой СБИС на основе КМОП‑элементов, содержащую на одном кристалле все 4‑е уровня компоновки;

Вар.2 – устройство представляет собой многокристальный модуль (МКМ) на основе бескорпусных КМОП БИС, в котором первые три уровня компоновки выполнены на уровне кристалла БИС, а четвертый – находится на уровне кремниевой подложки МКМ, на которой расположены бескорпусные кристаллы этих БИС;

Вар.3 – устройство представляет собой функциональный блок на основе корпусных КМОП БИС, в котором первые три уровня компоновки выполнены на уровне кристалла БИС, а четвертый – выполнен на уровне многослойной печатной платы (МПП) блока, на которой расположены корпусные БИС.

Исходные данные

1. Общий (эффективно используемый) функциональный объем устройства (в ЭЛЭ), а также число элементов на каждом уровне компоновки принимаются такими же, как в Примере 8.1.

2. В устройстве на всех уровнях используется микропроцессорный принцип компоновки элементов.

3. Размеры кристаллов БИС и СБИС и соответствующий им уровень полупроводниковой технологии (длина канала транзистора – ) составляют:

для БИС – = 5,6 мм, = 1,0 мкм;

для СБИС – = 12,5 мм, = 0,45 мкм;

4. Трассировка логических связей в конструкциях кристаллов БИС и СБИС выполняется на отдельных (не связанных с pn структурами) слоях металлизации, что обеспечивает максимальную плотность размещения структурных элементов в кристалле.

5. Шаг размещения кристаллов и корпусов БИС (с учетом того, что внешние контакты на уровнях компоновки элементов расположены равномерно по всем четырем периферийным сторонам) составляет:

для бескорпусных БИС – = 10 мм;

для корпусных БИС – = 35 мм.

6. Логические элементы в кристаллах БИС и СБИС используются со средней эффективностью, примерно равной 0,5. При этом эффективность использования структурных элементов по уровням компоновки (Ээi) принять равной:

для i = 1: Ээ1 = 0,7

для i = 2: Ээ2 = 0,8

для i = 3: Ээ3 = 0,9

для i = 4: Ээ4 = 1

7. В качестве необходимых дополнительных исходных данных рекомендуется максимально использовать результаты расчета основных (первичных) и производных компоновочных параметров устройства, полученные в Примерах 8.1 и 8.2.

Решение

1. При расчетах средней длины связи (lсвi) и средней длины цепи (lцi) на i‑м уровне компоновки устройства использованы формулы (6.7) и (6.8), приведенные в главе 6.

2. Шаг размещения структурных элементов на внутренних уровнях компоновки БИС и СБИС (аi) определялся исходя из максимального числа элементов на этих уровнях (Msi) и конечных размеров кристалла (Lкр). При этом максимальное значение числа элементов (Nsi и Msi) определены с учетом заданной эффективности использования (Ээi) по формулам:

, .

3. Итоговые результаты расчетов приведены в таблице 8.4.

Таблица 8.4.

Результаты расчета средних длин связей и средних длин логических цепей для 3‑х вариантов конструкции устройства ЭВМ, использующих 4‑е уровня компоновки элементов и микропроцессорный принцип построения схем.

Уровень компоновки i

Схем. интеграция

Max интеграция

Ki

mi

Kоптi

nсвi

Ni

Mi

Nsi

Msi

i = 1

10

10

15

15

2,418

10,8

1,79

2,47

i = 2

500

50

900

60

1,677

59,8

2,09

3,66

i = 3

5000

10

1000

11

1,352

166,3

1,75

1,69

i = 4

125000

25

250000

25

1

707,1

2,03

1,79