- •Электронное конструирование эвм Основы компоновки и расчета параметров конструкций
- •Введение
- •Глава 1. Тенденции развития средств вт
- •1.1. Поколения средств вт и их связь со степенью интеграции и уровнем развития микроэлектронной технологии.
- •1.2. Классификация функциональной структуры средств вт. Уровни компоновки и конструкции.
- •Глава 2. Основные компоновочные параметры логической схемы и конструкции
- •2.1. Общая характеристика компоновочных параметров.
- •2.2. Функциональный объем и степень интеграции.
- •2.3. Число внешних контактов.
- •2.4. Соотношение между числом входных и числом выходных внешних контактов.
- •2.5. Число каскадов элементов в логической схеме.
- •2.6. Нагрузочная способность логических цепей.
- •2.7. Индексация компоновочных параметров по уровням.
- •Глава 3. Соотношения взаимосвязи компоновочных параметров в логической схеме устройства эвм
- •3.1. Исходные соотношения. Правило Рента.
- •3.2. Системные аналитические соотношения.
- •3.2.1. Компоновочная модель логической схемы устройства. Описание модели, параметры и частные соотношения.
- •3.2.2. Методика анализа логических цепей
- •3.2.3. Системные соотношения статической модели. А. Базовое системное соотношение.
- •Б. Системное соотношение с измененным основным аргументом.
- •3.2.4. Системные соотношения динамической модели.
- •Глава 4. Основы компоновки элементов в логических схемах и особенности применения системных соотношений
- •4.1. Методы компоновки элементов в логической схеме
- •4.2. Базовый критерий компоновки
- •4.3. Принципы, критерии и законы системной взаимосвязи при матричных (классических) методах компоновки элементов
- •4.4. Сводная система соотношений, используемая для расчета компоновочных параметров элементов и устройств эвм при матричных (классических) методах компоновки
- •А. Базовые соотношения системной взаимосвязи:
- •Б. Частные соотношения системной взаимосвязи:
- •В. Формулы перевода характеристик структурного элемента в характеристики, выраженные в элэ:
- •Глава 5. Правила определения значений производных компоновочных параметров логической схемы
- •5.1. Правило определения числа логических цепей
- •5.2. Правило определения числа логических связей
- •5.3. Правило определения среднего числа связей в цепи
- •Глава 6. Коммутационные элементы многоуровневых конструкций устройств эвм и методы расчета их параметров
- •6.1. Характеристика основных положений по конструкции
- •6.2. Методика расчета средней длины связи
- •6.3. Правила расчета средней длины логической цепи и суммарной длины связей
- •6.4. Правила расчета плотности связей и трасс
- •6.5. Методика расчета трассировочной способности и числа логических слоев
- •Глава 7. Системное быстродействие элементов и устройств эвм и методика расчета его параметров
- •7.1. Параметры системного быстродействия
- •7.2. Методика расчета параметров системного быстродействия
- •Глава 8. Примеры практических расчетов компоновочных параметров логических схем и конструкций
- •8.1. Пример расчета основных компоновочных параметров логической схемы обрабатывающего устройства эвм
- •8.2. Пример расчета производных компоновочных параметров логических схем обрабатывающего устройства эвм
- •8.3. Пример расчета средней длины связи и средней длины логической цепи в конструкциях коммутационных элементов обрабатывающих устройств эвм
- •Продолжение таблицы 8.4.
- •8.4. Пример расчета суммарной длины связей и плотности трасс в конструкциях коммутационных элементов устройств эвм
- •Продолжение таблицы 8.5.
- •8.5. Пример расчета трассировочной способности и слойности коммутационных элементов устройств эвм
- •Продолжение 1 таблицы 8.6
- •Продолжение 2 таблицы 8.6
- •8.6. Пример расчета параметров системного быстродействия элементов и устройств эвм
- •Продолжение таблицы 8.9
- •Заключение
- •Литература
- •Содержание
- •Глава 1. Тенденции развития средств вт 5
- •Глава 2. Основные компоновочные параметры логической схемы и конструкции 10
8.3. Пример расчета средней длины связи и средней длины логической цепи в конструкциях коммутационных элементов обрабатывающих устройств эвм
Условие задачи:
Рассчитать средние длины связей и цепей для 3‑х вариантов конструкции обрабатывающего устройства ЭВМ, логическая схема которого характеризуется наличием 4‑х уровней компоновки элементов:
Вар.1 – устройство представляет собой СБИС на основе КМОП‑элементов, содержащую на одном кристалле все 4‑е уровня компоновки;
Вар.2 – устройство представляет собой многокристальный модуль (МКМ) на основе бескорпусных КМОП БИС, в котором первые три уровня компоновки выполнены на уровне кристалла БИС, а четвертый – находится на уровне кремниевой подложки МКМ, на которой расположены бескорпусные кристаллы этих БИС;
Вар.3 – устройство представляет собой функциональный блок на основе корпусных КМОП БИС, в котором первые три уровня компоновки выполнены на уровне кристалла БИС, а четвертый – выполнен на уровне многослойной печатной платы (МПП) блока, на которой расположены корпусные БИС.
Исходные данные
1. Общий (эффективно используемый) функциональный объем устройства (в ЭЛЭ), а также число элементов на каждом уровне компоновки принимаются такими же, как в Примере 8.1.
2. В устройстве на всех уровнях используется микропроцессорный принцип компоновки элементов.
3. Размеры кристаллов БИС и СБИС и соответствующий им уровень полупроводниковой технологии (длина канала транзистора – ) составляют:
для БИС – = 5,6 мм, = 1,0 мкм;
для СБИС – = 12,5 мм, = 0,45 мкм;
4. Трассировка логических связей в конструкциях кристаллов БИС и СБИС выполняется на отдельных (не связанных с p‑n структурами) слоях металлизации, что обеспечивает максимальную плотность размещения структурных элементов в кристалле.
5. Шаг размещения кристаллов и корпусов БИС (с учетом того, что внешние контакты на уровнях компоновки элементов расположены равномерно по всем четырем периферийным сторонам) составляет:
для бескорпусных БИС – = 10 мм;
для корпусных БИС – = 35 мм.
6. Логические элементы в кристаллах БИС и СБИС используются со средней эффективностью, примерно равной 0,5. При этом эффективность использования структурных элементов по уровням компоновки (Ээi) принять равной:
для i = 1: Ээ1 = 0,7
для i = 2: Ээ2 = 0,8
для i = 3: Ээ3 = 0,9
для i = 4: Ээ4 = 1
7. В качестве необходимых дополнительных исходных данных рекомендуется максимально использовать результаты расчета основных (первичных) и производных компоновочных параметров устройства, полученные в Примерах 8.1 и 8.2.
Решение
1. При расчетах средней длины связи (lсвi) и средней длины цепи (lцi) на i‑м уровне компоновки устройства использованы формулы (6.7) и (6.8), приведенные в главе 6.
2. Шаг размещения структурных элементов на внутренних уровнях компоновки БИС и СБИС (аi) определялся исходя из максимального числа элементов на этих уровнях (Msi) и конечных размеров кристалла (Lкр). При этом максимальное значение числа элементов (Nsi и Msi) определены с учетом заданной эффективности использования (Ээi) по формулам:
, .
3. Итоговые результаты расчетов приведены в таблице 8.4.
Таблица 8.4.
Результаты расчета средних длин связей и средних длин логических цепей для 3‑х вариантов конструкции устройства ЭВМ, использующих 4‑е уровня компоновки элементов и микропроцессорный принцип построения схем.
Уровень компоновки i |
Схем. интеграция |
Max интеграция |
Ki |
mi |
Kоптi |
nсвi |
||
Ni |
Mi |
Nsi |
Msi |
|||||
i = 1 |
10 |
10 |
15 |
15 |
2,418 |
10,8 |
1,79 |
2,47 |
i = 2 |
500 |
50 |
900 |
60 |
1,677 |
59,8 |
2,09 |
3,66 |
i = 3 |
5000 |
10 |
1000 |
11 |
1,352 |
166,3 |
1,75 |
1,69 |
i = 4 |
125000 |
25 |
250000 |
25 |
1 |
707,1 |
2,03 |
1,79 |