- •1. Особенности интегрального метода.
- •2. В основе имс положена планарная технология.
- •9. Особенности кристаллической решётки полупроводников.
- •12. Виды дефектов. Структурные точечные дефекты.
- •13. Дефекты по Френкелю. Равновесная концентрация дефектов.
- •14. Дефект по Шоттки.
- •15. Примесные дефекты и их влияние на свойства полупроводниковых материалов.
- •16. Поверхностное натяжение, её зависимость от температуры.
- •17.Смачиваемость. Мера смачиваемости.
- •18. Критерий смачиваемости.
- •19. Адгезия. Факторы, влияющие на адгезию.
- •20. Виды адгезии. Природа и механизм сил адгезии.
- •21. Адгезивы. Привести примеры использования.
- •22. В каком случае загрязнения поверхности усиливают адгезию? Факторы, влияющие на адгезию.
- •23. Адсорбция. Виды адсорбции.
- •24. Влияние температуры на адсорбцию.
- •25. Адсорбция.
- •30, 31. Влияние состояния пов-ти на rкр.
- •32. Влияние tº на критический радиус зародыша.
- •33. Теория двухмерного пара Френеля-Родина.
- •34. Какие технологические факторы опред-ют мелко- или крупно-зернистую структуру пленки.
- •35. Виды эпитаксии, основные особенности.
- •36. Эпитаксия. Опред-е, особенности.
- •37. Основные этапы роста эпитаксиальных пленок.
- •38. Методы легирования п/п материалов.
- •39. Особенности процесса термодиффузии.
- •40. Первый з-н Фика.
- •47. Основные технологические факторы влияющие на процесс термодиффузии.
- •49. Анизотропия диффузии.
- •50. Влияние структурных дефектов на коэффициент диф-ии.
- •51. Трубчатая диф-я.
- •67. Факторы, влияющие на глубину проникновения ионов в вещество.
- •68. Распределение концентрации имплантированных ионов по глубине проникновения.
- •69. Каналирование ионов.
- •70. Факторы, влияющие на эффективность каналирования.
- •71. Механизм образования радиационных дефектов при ионной имплантации.
- •72. Отжиг радиационных дефектов.
- •73. Лазерный отжиг радиационных дефектов
- •74, 75. Лазерный и электролучевой отжиг, достоинства и недостатки.
- •77. Способы сухой очистки подложек.
- •78. Газовое травление как способ очистки подложки.
- •79. Виды загрязнений подложек и методы их удаления.
- •80. Способы жидкостной обработки пластин.
- •81. Механизм физического и химического обезжиривания.
- •82. Получение особо чистой воды.
- •85.Ионно-плазменное травление.
- •86. Плазменно-химическое травление.
- •93. Основные этапы термо-вакуумного метода нанесения плёнок.
74, 75. Лазерный и электролучевой отжиг, достоинства и недостатки.
Лазерный отжиг: процесс заключается в использовании луча лазера с удельной мощностью равной 500000 вт/см3. При кратковременном воздействии лазерного луча материал плавиться на очень короткое время затем при перемещении луча зона воздействия лазерного луча кристаллизуется в нормальную кристаллическую решетку.
Преимущества: лазерный отжиг позволяет строго контролировать зону обработки, глубину залегания примеси, а также устранить нарушения кристаллической решетки в объеме пластины.
Недостатки: при обработке поверхностей с большой площадью возможна значительная потеря энергии лазерного луча вследствие отражающей способности поверхности. Поэтому стремятся перемещать не луч, а пластину.
Электролучевой отжиг: не зависит от оптических характеристик поверхности. Кроме того электронный отжиг позволяет получать пластины с лучшей электронной стабильностью.
Достоинства: после электролучевого отжига пластины практически не содержат дефектов.
Недостатки: необходимо поддерживать в вакуумной камере давление порядка 0.00001-0.000001мм.рт.ст.
76. Диффузия осущ-ся главным образом по дефектам в Кристю решётках если с помощью ионной бомбардировке увеличить концентрацию дефектов то при этом процесс диффузии может многократно увеличиться. РСД осуществляется в три этапа: 1) Путём термодиффузии либо ионной имплантации осущ-ся легирование тонкого приповерхностного слоя атомами примеси; 2) Поверхность полупроводникового материала облучается потоком ионов лёгких элементов при этом ионы проходят через толщу полупроводника, образуя цепочки дефектов; 3) Нагрев и выдержка при высокой температуре, в результате чего атомы примеси из приповерхностного слоя по образованным цепочкам дефектов распространяются вглубь материала. Одновременно с этим происходит отжиг дефектов незаполненных примесей.
77. Способы сухой очистки подложек.
1) Термообработка – сущность в нагреве пластин до температуру при которой происходит разложение загрязнений и испарение летучих соединений. Такой нагрев происходит в вакуумных условиях, перед проведением основных технологических операциях. Эффективность такой очистки зависит от температуры, которая ограничена мах температурой плавления; 2) Газовое травление – сущность в хим. взаимодействии материалов пластин с газообразными реагентами и образованием легко-улетучиваемых соединений. Загрязнения, находящиеся на поверхности удаляются вместе с приповерхностным материалом. Применяется перед основной технологической операцией. От концентрации реагентов зависит скорость травления; 3) Ионное травление – заключается в удалении поверхностных загрязнений вместе с приповерхностными слоями при бомбардировке подложки по токам высоко-энергетических ионов различных газов. Можно разделить на три вида: ионно-плазменная, ионно-химическая, ионно-лучевое.
78. Газовое травление как способ очистки подложки.
Газовое травление – сущность в хим. взаимодействии материалов пластин с газообразными реагентами и образованием легко-улетучиваемых соединений. Загрязнения, находящиеся на поверхности удаляются вместе с приповерхностным материалом. Применяется перед основной технологической операцией. От концентрации реагентов зависит скорость травления. Достоинства: обеспечивает большую чистоту поверхности по сравнению с жидким. Недостатки: высокая температура, высокая токсичность, дороговизна, при травлении через маску нужен подтрав, требуются газы высокой очистки, требуются специальные печи и приборы.