- •1. Особенности интегрального метода.
- •2. В основе имс положена планарная технология.
- •9. Особенности кристаллической решётки полупроводников.
- •12. Виды дефектов. Структурные точечные дефекты.
- •13. Дефекты по Френкелю. Равновесная концентрация дефектов.
- •14. Дефект по Шоттки.
- •15. Примесные дефекты и их влияние на свойства полупроводниковых материалов.
- •16. Поверхностное натяжение, её зависимость от температуры.
- •17.Смачиваемость. Мера смачиваемости.
- •18. Критерий смачиваемости.
- •19. Адгезия. Факторы, влияющие на адгезию.
- •20. Виды адгезии. Природа и механизм сил адгезии.
- •21. Адгезивы. Привести примеры использования.
- •22. В каком случае загрязнения поверхности усиливают адгезию? Факторы, влияющие на адгезию.
- •23. Адсорбция. Виды адсорбции.
- •24. Влияние температуры на адсорбцию.
- •25. Адсорбция.
- •30, 31. Влияние состояния пов-ти на rкр.
- •32. Влияние tº на критический радиус зародыша.
- •33. Теория двухмерного пара Френеля-Родина.
- •34. Какие технологические факторы опред-ют мелко- или крупно-зернистую структуру пленки.
- •35. Виды эпитаксии, основные особенности.
- •36. Эпитаксия. Опред-е, особенности.
- •37. Основные этапы роста эпитаксиальных пленок.
- •38. Методы легирования п/п материалов.
- •39. Особенности процесса термодиффузии.
- •40. Первый з-н Фика.
- •47. Основные технологические факторы влияющие на процесс термодиффузии.
- •49. Анизотропия диффузии.
- •50. Влияние структурных дефектов на коэффициент диф-ии.
- •51. Трубчатая диф-я.
- •67. Факторы, влияющие на глубину проникновения ионов в вещество.
- •68. Распределение концентрации имплантированных ионов по глубине проникновения.
- •69. Каналирование ионов.
- •70. Факторы, влияющие на эффективность каналирования.
- •71. Механизм образования радиационных дефектов при ионной имплантации.
- •72. Отжиг радиационных дефектов.
- •73. Лазерный отжиг радиационных дефектов
- •74, 75. Лазерный и электролучевой отжиг, достоинства и недостатки.
- •77. Способы сухой очистки подложек.
- •78. Газовое травление как способ очистки подложки.
- •79. Виды загрязнений подложек и методы их удаления.
- •80. Способы жидкостной обработки пластин.
- •81. Механизм физического и химического обезжиривания.
- •82. Получение особо чистой воды.
- •85.Ионно-плазменное травление.
- •86. Плазменно-химическое травление.
- •93. Основные этапы термо-вакуумного метода нанесения плёнок.
13. Дефекты по Френкелю. Равновесная концентрация дефектов.
Дефект по Френкелю – когда лишний атом находится в междоузье кристаллической решётки, но при этом в ней есть вакансия.
При попадании атома из междоузья в вакантное место решётки происходит рекомбинация – уничтожение дефекта. С ростом температуры число дефектов увеличивается, но при этом увеличивается вероятность рекомбинации. В конечном итоге возникает равновесное состояние, когда в единицу времени количество возникающих дефектов становится равным количеству рекомбинируемых: nф=an*exp(Wф/2kT), где
nф – концентрация дефектов по Френкелю;
wф- энергия требуемая для выхода атома из узла.
14. Дефект по Шоттки.
Дефект про Шоттки – точечные дефекты, состоящие только из вакансий, которым не соответствуют атомы в междоузьях.
15. Примесные дефекты и их влияние на свойства полупроводниковых материалов.
Наличие примесного атома вносит искажения в структуру кристаллической решётки полупроводника. Происходит ослабление связи ближайших к нему атомов, что в свою очередь может привести к образованию структурных точечных дефектов.
16. Поверхностное натяжение, её зависимость от температуры.
Термодинамические параметры равновесия определяются природой материала и его физическим состоянием, которое характеризуется полой поверхностной энергией. Часть этой энергии равная макс. работе затраченной на образование поверхности и является удельная поверхностная энергия Гиббса или поверхностное натяжение: s = G/ S. Поверхностное натяжение сильно зависит от температуры:
(Т)= (0) - Т; = / Т; Существует такая критич. температура что: (Ткр )=017.
17.Смачиваемость. Мера смачиваемости.
Смачивание проявляется способности жидк. растекаться по поверх-ти до предела. Мера смачиваемости харак-ся видом и степенью искривления поверх-ти жидк. на месте 3-х фаз: тверд., жидк., газоообраз. (или парообраз). Искривление жидк. называется мениск. Смачиваемость имеет большое значение, он широко используется в технологии. Для маловязких жидкостей мерой смачивания является краевой угол φ. Чем меньше φ, тем лучше смачивание.
18. Критерий смачиваемости.
Смачивание проявляется способности жидк. растекаться по поверх-ти до предела.
φ -контактный угол;
σт-г = σт-ж+ σж-г-cosφ, если
φ<π/2 – хорошая смачиваемость;
φ>π/2 - плохая; φ>170o - отсутствие смачиваемости;
Смачиваемость имеет большое значение, он широко используется в технологии.
19. Адгезия. Факторы, влияющие на адгезию.
Адгезия-явление взаимодействия 2-х или более тел. Адгезия происходит под действием поверхностных сил и может рассматриваться как термодинамический равновесный процесс.
Факторы, влияющие на адгезию:
1. Влияние темпер-ры. При повыш. темпер-ры физич. адгезия уменьш, химич.-возростает.
2. Шероховатость поверх-ти, определяет неоднородность.
3. Чистота поверх-ти (в тех местах, где грязно, там адгезии меньше).
4. Возможность хемоадгезии.
20. Виды адгезии. Природа и механизм сил адгезии.
Существует 2 вида адгезии:
А) Физическая, обусловлена силами Ван-дер-Вальса(это силы электростатич. взаимодействия м/у частицами обусловленными кулоновскими взаимодействием).
Различают 3 вида сил В-д-В: 1)Ориентировочный; 2)Индукционный; 3)Дисперсионный;
1.Ориентировач. сила-силы взаимод-я м/у двумя полярными молекулами.
2.Индуционные силы-силы взаимод-я м/у полярными и неполярными молекулами в результате индукцирования на неполярные молекулы электрического заряда.
3.Дисперсионные силы - силы взаимод-я м/у двумя неполяр. молек. В случае кратковременного возникновения в них дипольного момента или кратковременной поляризации. Эти 3 силы подчиняются закону Кулона: F=k*g1*g2/r
Б) Химич., харак-ся тем, что м/у соприкосающимися поверх-ми по мимо сил В-д-В в пограничных слоях образ-ся химич. связи. Ориентировкой химич. связи явл-ся сродство.