- •1. Особенности интегрального метода.
- •2. В основе имс положена планарная технология.
- •9. Особенности кристаллической решётки полупроводников.
- •12. Виды дефектов. Структурные точечные дефекты.
- •13. Дефекты по Френкелю. Равновесная концентрация дефектов.
- •14. Дефект по Шоттки.
- •15. Примесные дефекты и их влияние на свойства полупроводниковых материалов.
- •16. Поверхностное натяжение, её зависимость от температуры.
- •17.Смачиваемость. Мера смачиваемости.
- •18. Критерий смачиваемости.
- •19. Адгезия. Факторы, влияющие на адгезию.
- •20. Виды адгезии. Природа и механизм сил адгезии.
- •21. Адгезивы. Привести примеры использования.
- •22. В каком случае загрязнения поверхности усиливают адгезию? Факторы, влияющие на адгезию.
- •23. Адсорбция. Виды адсорбции.
- •24. Влияние температуры на адсорбцию.
- •25. Адсорбция.
- •30, 31. Влияние состояния пов-ти на rкр.
- •32. Влияние tº на критический радиус зародыша.
- •33. Теория двухмерного пара Френеля-Родина.
- •34. Какие технологические факторы опред-ют мелко- или крупно-зернистую структуру пленки.
- •35. Виды эпитаксии, основные особенности.
- •36. Эпитаксия. Опред-е, особенности.
- •37. Основные этапы роста эпитаксиальных пленок.
- •38. Методы легирования п/п материалов.
- •39. Особенности процесса термодиффузии.
- •40. Первый з-н Фика.
- •47. Основные технологические факторы влияющие на процесс термодиффузии.
- •49. Анизотропия диффузии.
- •50. Влияние структурных дефектов на коэффициент диф-ии.
- •51. Трубчатая диф-я.
- •67. Факторы, влияющие на глубину проникновения ионов в вещество.
- •68. Распределение концентрации имплантированных ионов по глубине проникновения.
- •69. Каналирование ионов.
- •70. Факторы, влияющие на эффективность каналирования.
- •71. Механизм образования радиационных дефектов при ионной имплантации.
- •72. Отжиг радиационных дефектов.
- •73. Лазерный отжиг радиационных дефектов
- •74, 75. Лазерный и электролучевой отжиг, достоинства и недостатки.
- •77. Способы сухой очистки подложек.
- •78. Газовое травление как способ очистки подложки.
- •79. Виды загрязнений подложек и методы их удаления.
- •80. Способы жидкостной обработки пластин.
- •81. Механизм физического и химического обезжиривания.
- •82. Получение особо чистой воды.
- •85.Ионно-плазменное травление.
- •86. Плазменно-химическое травление.
- •93. Основные этапы термо-вакуумного метода нанесения плёнок.
21. Адгезивы. Привести примеры использования.
Для повышения адгезии материалов имеющих низкое сродство к материалу подложки использ. промежуточные слои назыв. адгезивами. Адгезив, как правило металл (Al, Cr) напыляемый на подложку.
22. В каком случае загрязнения поверхности усиливают адгезию? Факторы, влияющие на адгезию.
Факторы, влияющие на адгезию:
1. Влияние темпер-ры. При повыш. темпер-ры физич. адгезия уменьш., химич.- возрастает.
2. Шероховатость поверх-ти, определяет неоднородность.
3. Чистота поверх-ти (в тех местах, где грязно, там адгезии меньше).
4. Возможность хемоадгезии.
23. Адсорбция. Виды адсорбции.
При взаимодействии поверх-ти с газовой фазой или разбавленными растворами происходит концентрирование одного из веществ на поверх-ти и в при поверх-ном слое, такое явление получило название адсорбция.
Различают 2 вида адсорбции:
1)Физическая – в ее основе лежат силы Ван-дер-Вальса, она почти не требует энергии активации и протекает очень быстро. Энергия связи незначительна ( около 4,18 кДж/моль), поэтому она обратима и энергетич. Состояние адсорб. мол-л, мало отличается от свободных.
2)Химическая (хемосорбция) – протекает с тепловым эффектом (около 40-400 кДж/моль) и требует большой энергии активации. Она сопровожд. изменением электронной структуры взимод. мол-л.
24. Влияние температуры на адсорбцию.
При взаимодействии поверх-ти с газовой фазой или разбавленными растворами происходит концентрирование одного из веществ на поверх-ти и в при поверх-ном слое, такое явление получило название адсорбция.
Различают 2 вида адсорбции:
1)Физическая (в основе лежат силы Ван-дер-Вальса)
2)Химическая (хемосорбция)
При хемосорбции образуется химич. связь м/у поверх-тью и адсорбируемым в-вом. Хемосорбция при низких темпер-х протекает медленно, но при повышении температуры ее скорость быстро растет подобно скорости химич. реакции.
Физич. адсорбция протекает быстро, особенно при понижении температуры.
25. Адсорбция.
При взаимод. поверхн-ти с газ. фазой или разбавл. раств-ми происх. концентр-ие одного из вещ-в на пов-ти или в приповерхн-м слое – адсорбция. Сущ. 2 вида адсорб.: физич. и хим. В основе физ. адс. лежат силы Вандерваальса. , , , ,
В случае ориентационных сил , ,
26. Попадая на пов-ть эти атомы групп-ся. Предпол-ся, что этот крит. агрегат имеет образ-е в форме шара, и наз-ся зародышем будущей пленки, содерж. i–е колич. мол-л сопровождается изменением своб. энергии Гиббса связанной с появлением определ-го объема. . Для опред-я крит. рад-са , -> ,
, .
27. , , - гомогенная.
28. , , при увелич. Тº, ведет к увелич. rкр при это плотность центра зар-ша образ-я уменьш-ся, агрегаты зар.укрупн.скорость возникн. агрегатов уменьш.
29. В гетерог-й системе рассм-ся взаим. тв. Подложки и пара посредством объема с учетом геометрич. факторов. Свободная эн-я гетер-го обр. всегда меньше свободной эн.гомоген. обр.(гетерогенной).
30, 31. Влияние состояния пов-ти на rкр.
Состояние опред. налич. шероховатости и чистотой. Всяческое загрязн. приводит к неоднородности энерг. сост-я пов-ти, это приводит к неоднородн. пленки на поверхн. Шерох. поверхн-ти приводит к неодн-ти условий пов-ой миграции адсорб-х Меt, а это приводит к неодн-ти зародышеобр-я. Размеры крит. радиуса зародыша, резко сниж-ся, если материал подложки имеет большое сродство с осаждаемым в-вом. Увелич. Тº, ведет к увелич. rкр при это плотность центра зар-ша образ-я уменьш-ся, агрегаты зар. укрупн., скорость возникн. агрегатов уменьш. С увелич. плотности потока увелич. rкр, а скорость образ-я уменьш-ся.