85.Ионно-плазменное травление.

Исп. плазмо-газовый разряд. Плазма в свой состав включает положительные ионы, е, возбуж атомы, нейтральные молекулы. При подаче на подложкодержатель высокого отриц потенциала ионы из плазмы извлекаются, ускоряются и бомбардируют подложку. При бомбардировке происходит ионное травление, исп для очистки и получения опред рельефа. При травлении через маску скоростью явл коэффициент селективности С=V(Si)/V(SiO₂) Главное условие d_i<<λ_i . Если d_i>>λ_i ,то используют подтрав. Недостатки: низкая скорость травления, низкая селективность травления, достаточно большая энергия следовательно возможен пробой, опасность срыва.

86. Плазменно-химическое травление.

Основано на разрушении поверхности подложек реакционно-активными частицами. Они вступают в хим. реакцию с атомами материалов при бомбардировке этими частицами поверхности пластины. Реакционно-активные частицы – это е, ионы, свободные радикалы. В качестве удол. газа используют CF₄, SF₆, CF₂Cl₂. В плазме эти газы разлагаются и их еще называют химически-активными частицами. Время жизни их очень мало и существовать они могут только в условиях поддержания разряда. ПХТ используют ля стравливания слоев фоторезиста после фотолитографии. Скорость травления в ПХТ превышает скорость травления в ИПТ в 10-20 раз.

87. Ионно-лучевое травление. Использ. для окончательной очистки детали. При ИЛТ поверхность подложек подвергается бомбардировки высокоэнергетических ионов инертных газов. Процесс травления носит физический, но не химический характер. Такое ИЛТ является универсальным способом очистки любых структур, также самых тугоплавких материалов. Этим методом можно стравливать многослойные структуры.

88. Реактивное ионно-лучевое травление. РИЛТ представляет процесс удаления вещества с поверхности подложки за счет бомбардировки химически активными ионами. В результате травления материал подложки подвергается совместным воздействием бомбардировочных ионов и химическому взаимодействию. При РИЛТ наиболее важным преимуществом является получение высокой скорости травления и высокой селективности.С=V_тр(Si)/V_тр(SiO₂).Достоинства 1)не происходит перепыления 2)высокая селективность 3)высокая скорость. Недостатки газ разъедает внутреннюю конструкцию.

89. Получение диэлектрических покрытий методом термического окисления. В основе лежат процессы нагрева Si подложки в окислительной среде. Осуществляется в 4 этапа: 1) Перенос окислителя к поверхности Si подложки; 2) Растворение мол-л окислителя в первичном слое SiO₂; 3) Диффузия мол-л окислителя через слой SiO₂; 4) Химическая реакция окислителя. X=βt – толщина оксидного слоя, где β =2С₁VD С₁/a - первичная концентрация окислителя, V- первичный объём слоя SiO₂ , D-коэффициент диффузии.

90. Влияние технологически параметров на скорость термического окисления. 1) Влияние водяного пара как окислителя значительно ускоряет процесс, т.к. коэф. диффузии водяного пара значительно больше коэф. диффузии сухого. Однако при использовании водяного пара ухудшается качество, покрытие получается пористое и рыхлое. Ухудш. качества происх. за счёт выделения Н₂ в процессе окисления; 2) Темп. в значительной степени влияет на коэф. диффузии, -> и на скорость процесса; 3) Давление непосредственно или линейно влияет на толщину образовавшегося слоя.

91. Сегрегация примесей. Разделение примесей в слое оксида SiO₂ и Si. К_с=Р_пр(Si)/ Р_пр(SiО₂) – коэфф. растворения примеси. Т.о. поверхностный слой примеси обедняется бором и обогащается фосфором, это измененные параметры p-n- перехода.

92. Механизм стимулированного плазмой осаждения защитных покрытий. 1) Генерация ионов и радикалов. В условиях тлеющего разряда, энергия электронов сравнительно низка и скорость генерации радикалов много больше скорости образования ионов. 2) Адсорбция ионов и радикалов. Своб. радикалы легко адсорбируются на поверхности, где подвергаются различным взаимодействиям, включая электронно-ионную бомбардировку. 3) Перегруппировка адсорбированных частиц, их поверхностная миграция и химическое взаимодействие. На этом этапе происходит поверхностная диффузия. Достоинства: 1) Сравнительно низкая температура; 2) Могут получится плёнки нестехиометрического состава.