27)Озу статического типа.

Область применения относительно дорогостоящих статических ОЗУ в сис­темах обработки информации определяется их высоким быстродействием. В частности, они широко используются в кэш-памяти, которая при сравни­тельно малой емкости должна иметь максимальное быстродействие.

Статические ОЗУ (SRAM), как правило, имеют структуру 2DM. часть их при небольшой информационной емкости строится по структуре 2D

Запоминающими элементами статических ОЗУ служат триггеры с цепями установки и сброса. В связи с этим статические ОЗУ называют также григ- Гернымн. Триггеры можно реализовать по любой схемопинплогии. Запоминающие элементы статических ЗУ

Запоминающий элемент зу на л-моп транзисторах (рис. 4.26, й) представ­ляет собой RS-триггер на транзисторах Т1 и Т2 с ключами выборки ТЗ hi т4. При обращении к данному зэ появляется высокий потенциал на тине вы борки ШВ, (через i, j соответственно обозначены номера строки и столбца, на пересечении которых расположен ЗЭ^>. Этот потенциал открывает ключи выборки (транзисторы ТЗ, Т4> по осей строке, и выходы триггеров строки соединяются со столбцовыми шинами считывания записи. Одна из столб­цовых шин связана с прямым выходом триггера (обозначена черел DjJ, дру­гая — с инверсным (Dj) Через столбцовые шины можно считывать состоя­ние триггера (штриховыми линиями показан дифференциальный усилитель считывания). Через них же можно записывать данные в триггер, подавая низкий потенциал жнического нуля на ту или иную шину.

При подаче нуля на выход Dj снижается стоковое напряжение транзистора TI, что запирает транзистор Т2 и повышает напряжение на его стоке Это открывает транзистор TI и фиксирует созданный на его стоке низкий уро­вень даже после снятия сигнала записи. Триггер установлен б состояние логической единицы. Аналогичным образом нулевым сигналом по шине О, можно установить тржтгр в нулевое состояние. При выборке строки со своими столбцовыми шинами соединяются все триггеры строки, но только одна пара шин связывается с выходными цепями считывания или входной цепью записи в соответствии с адресом столбца.

Резисторы г служат для уменьшения емкостных токов в моменты открыва­ния ключевых транзисторов и реализуются как части диффузионных облас­тей этих транзисторов. Внешняя организация и временные диаграммы статических ЗУ

В номенклатуре статических ЗУ представлены ИС с одноразрядной и сло­варной организацией. Внешняя организация статического ЗУ емкостью 64 Кбита (8К*8> показана на рис, 4.28. Сос;ав и функциональное назначе­ние сигналов адреса А₍2-о, выборки кристалла CS, чтения/записн R/W со ответствуют рассмотренным выше сигналам аналогичного типа. Входы и выходы ИС совмещены и обладают свойством двунаправленных передач.

Имеется также вход ОЁ разрешения по выходу, пассивное состояние кото­рого (ОЕ = Н) переводит выходы в третье состояние. Работа ЧУ отобража­ется таблицей

Функционирование ЗУ во времени ре«;ламенткруется временными лиа( рам мами, устанавливаемыми изготовителем. В основу кладутся определенные требовании. Например, чтобы исключить возможность обращении к другой ячейке, рекомендуется подавать адрес раньше, чем другие сингалы, с онере жегшем на время его декодирования. Адрес должен держаться в течение всего цикла обращения к памяти.

V-AJ

А ^С Адрес установлен УС

Затем следует подать сигналы, определяющие направление передачи данных и, если предполагается запись, то записываемые данные, а также си талы выборки кристалла и, при чтении, разрешения выхода. Среди этих сигналов будет и стробируюший, т. с, выделяющий временной интервал непосредст­венного выполнении действия. Таким сигналом для разных ЗУ может слу­жить как см шал R/W, так и сигнал CS

Статические ЗУ подразделяются на асинхронные и тактируемые. В такти­руемых ЗУ к определенным сигналам (как правило, к сигналу CS) предъяв­ляется требование импульсного характера, согласно которому после активи­зации сигнала он обязательно должен вернуться к пассивному уровню и только после этого возможна его активизация в следующем цикле обраще­ния к памяп!. В асинхронных ЗУ такие требования отсутствуют и, напри­мер, разрешение работы может производиться постоянным уровнем CS = L на протяжении множества циклов обращения к памяти. Статические ОЗУ энергозависимы — при снятии питания информация в триггерных запоминающих элементах теряется- Можно придать им искусст­венную энергонезависимость с помощью резервного источника питания. Это наиболее пригодно для ЗУ на элементах К МОП, т. к. они в режиме хранения потребляют чрезвы чай но малую мощность.