- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя 11
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика p-nпереходу 28
- •1.2.5 Параметри переходу 30
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
Статичні вхідні характеристики
Це залежність (рис. 4.7). Вхідні характеристики повністю визначаються властивостями – переходу ПТКП і тому являють собою ВАХ цього переходу. Оскільки на струм практично не впливає стокова напруга, то залежностідля різних значеньмайже не відрізняються одна від одної і подаються у вигляді однієї характеристики. У довідниках вмикати керувальний перехід ПТКП під пряму напругу, що перевищує 0,5В, заборонено.
Рисунок 4.7 – Вхідна (затворна) характеристика ПТКП
Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
Це залежності . На рис. 4.8 показані стокозатворні характеристики польового транзистора КП 103 М. Їх вигляд пояснюється розглянутим принципом роботи ПТКП. При збільшенні стокової напруги зростає струм стоку, і тому прохідна характеристика зміщується вгору.
Рисунок 4.8 – Статичні прохідні характеристики ПТКП
Стокозатворна характеристика може бути апроксимована формулою
, (4.9)
де - початковий струм стоку (при).
При напрузі відсічення (у КП 103 М вона приблизно дорівнює 5 В) струм стоку. Точно дорівнювати нулю він не буде, оскільки навіть при повному перекритті каналу через транзистор протікає зворотний струм переходу - струм .
Статичні вихідні (стокові) характеристики
Це залежності .
Вихідні характеристики польового транзистора КП 103 М показані на рисунку 4.9.
Рисунок 4.9 – Статичні вихідні (стокові) характеристики ПТКП
Розглянемо спочатку стокову характеристику, зняту при . Якби опір каналу не залежав від струму, що через нього проходить, залежністьбула б лінійною. Але вже при невеликій напрузіна крутій ділянці характеристики зростанняпри збільшеннісповільнюються, тому що канал поволі зменшується за шириною внаслідок зростання запірної щодо – переходу напруги .
При деякій напрузі на стоці (напрузі перекриття) канал змикається біля стоку. З формули (4.8) випливає, що. Подальший хід характеристики відзначається зміною крутої ділянки на пологу, на якій зростання напругимайже не приводить до зростання струму. Але деяке зростання струму стоку на пологій ділянці пояснюється наступним чином.
Після перекриття каналу біля стоку подальше збільшення напруги приводить до збільшення довжини перекритої частини каналу і його опору. Якби довжина перекритої частини каналу лінійно залежала від напруги, то при зростанні напругизбільшувався б пропорційно останній опір каналу, і струм через канал мав би постійну величину. Але насправді довжина перекритої частини каналу залежить від напругитак, як глибина проникнення запірного шару до каналу(рис. 4.10).
Рисунок 4.10 – Змикання каналу під дією струму стоку
Враховуючи (4.2), отримуємо
, (4.10)
тобто довжина зімкненої (перекритої) частини каналу і його опір пропорційні і збільшуються при збільшенніповільніше. Тому на пологій ділянці при зростанніструмтакож дещо зростає. При деякій великій напрузівиникає пробій ділянки – переходу між затвором і стоком (оскільки саме між цими електродами максимальна напруга).
Збільшуючи напругу на затворі відносно нуля, спостерігають зміщення вихідних характеристик донизу, оскільки струм стоку при цьому, згідно з принципом дії ПТКП, зменшується. Напруга перекриття для кожної наступної характеристики також зменшується. Це пояснюють сумісною дією на – перехід обох напруг - і, тобто за формулою (4.8)
. (4.11)
Зрозуміло з формули (4.11), що при збільшенні повинна зменшуватися напруга перекриття. Пологі ділянки на сім’ї характеристик рисунка 4.9 зумовлені тими самими процесами, що й відповідна ділянка на характеристиці при.
Оскільки внаслідок принципу дії ПТКП напруга пробою між стоком і затвором
, (4.12)
то при збільшенні напруги на затворі пробій відбудеться при меншій напрузі стоку, як це показано на вихідних характеристиках (рис. 4.9).
Круті ділянки вихідних характеристик називають омічними. Диференціальний опір ПТКП на цих ділянках залежить від затворної напруги . Тому ці ділянки є робочими в режимі, коли ПТКП використовують як електронно-керований змінний резистор.
На пологих ділянках ПТКП працює як підсилювальний елемент.