- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя 11
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика p-nпереходу 28
- •1.2.5 Параметри переходу 30
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
Властивості таких контактів визначаються співвідношенням робіт виходу електронів із металу () та з НП (або). Електрони переходять з матеріалу, що має меншу роботу виходу, до матеріалу з більшою роботою виходу.
Якщо при з’єднанні металу з НП -типу співвідношення робіт виходу, то електрони переходять з НП до металу. Якщо здійснюється контакт металу з НП-типу при, то електрони переходять з металу до НП. В обох випадках відбувається збіднення приконтактного шару НП на основні носії заряду. Збіднений шар має підвищений опір, який можна змінювати під дією зовнішньої напруги. Тому такий контакт має нелінійну ВАХ і є випрямним. Перенесення заряду в таких контактах здійснюється основними носіями, і в них відсутні явища інжекції, накопичування і розсмоктування зарядів. Отже, випрямні контакти метал-напівпровідник є малоінерційними і використовуються при виготовленні діодів з бар’єром Шотткі, які мають високу швидкодію, тобто малий час переключення.
Якщо при контакті металу з НП виконується умова або, то приконтактний шар НП збагачується на основні носії заряду, його опір зменшується і не залежить від полярності зовнішньої напруги. Такий контакт має практично лінійну ВАХ і є невипрямним.
1.3.5 Омічні контакти
Омічні контакти також мають лінійну ВАХ і забезпечують з’єднання НП з металевими струмопровідними елементами (виводами) напівпровідникових приладів. Крім лінійності ВАХ, контакти такого типу повинні мати малий опір і забезпечити відсутність інжекції з металу до НП. Ці вимоги задовольняються введенням між робочим напівпровідниковим кристалом і металом області НП з підвищеною концентрацією домішок (рис. 1.20).
Рисунок 1.20 – Омічний контакт
Контакт між НП одного типу електропровідності (та) є не випрямним і низькоомним. Метал вибирають із міркувань забезпечення малої контактної різниці потенціалів. Для цього можна, наприклад, ввести домішки, якими леговано напівпровідник. У цьому випадку при сплавленні металу з НП у приконтактній області створюється тонкий шар виродженого НП, що відповідає структурі, зображеній на рисунку 1.20.
2 Напівпровідникові діоди
2.1 Класифікація та система позначень діодів
Напівпровідниковий діод – це електроперетворювальний напівпровідниковий прилад з одним електричним переходом та двома виводами.
Залежно від області використання розрізняють випрямні, універсальні (високочастотні), імпульсні, надвисокочастотні, тунельні, обернені діоди, варикапи, стабілітрони, фото- та світлодіоди. За типом переходу розрізняють площинні та точкові діоди. Площинні діоди мають перехід, лінійні розміри якого, що визначають площу переходу, значно перевищують його товщину. До точкових належать діоди, лінійні розміри переходу яких менші від товщини запірного шару.
Система позначень діодів, прямий струм яких не перевищує 10А, згідно з ГОСТ 10862-72 має 6 елементів.
Перший елемент – літера або цифра, яка визначає вихідний матеріал виготовлення. При цьому літера вживається для приладів, які призначено до застосування в пристроях широкого використання, а цифра – для діодів у пристроях спеціального використання. Наприклад, Г або 1 – германій або його сполуки, К або 2 – кремній або його сполуки, А або 3 – сполуки галію.
Другий елемент – літера, яка визначає підклас приладу. Наприклад, Д – випрямний, імпульсний або універсальний діоди, С – стабілітрони, В – варикапи, ФД –фотодіоди, Л – світлодіоди, И (І) – тунельні або обернені діоди.
Третій елемент – цифра від 1 до 9, що вказує на призначення приладу.
Четвертий та п’ятий елементи (від 01 до 99) - порядковий номер розробки.
Шостий елемент – літера від А до Я – вказує на параметричну групу технологічного типу.
Стабілітрони мають свою особливу систему позначень, яка відрізняється від попередньої третім, четвертим та п’ятим елементами згідно з таблицею 2.1.
Таблиця 2.1
Елемент позначення |
Напруга стабілізації | ||
|
|
| |
Третій елемент: |
|
|
|
|
1 |
2 |
3 |
|
4 |
5 |
6 |
|
7 |
8 |
9 |
Четвертий та п’ятий елементи |
Від 01 до 99 (четвертий елемент вказує на ціле число, а п’ятий – на десяті частки напруги стабілізації) |
Від 10 до 99 (позначають номінальну напругу стабілізації у вольтах) |
Від 00 до 99 (позначають різницю між напругою стабілізації та 100В) |
Система позначень діодів, розроблених до 1964 р., має два або три елементи. Перший елемент – літера Д. Другий елемент – цифра, що вказує на класифікаційну групу діодів. Третій елемент – літера, що характеризує різновид діода в даній групі.