- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя 11
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика p-nпереходу 28
- •1.2.5 Параметри переходу 30
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
Будова сплавних транзисторів
Транзистор – це монокристал НП з двома або більше переходами. На рисунку 3.1 схематично показано будову БТ --та--- типів та їх умовне графічне позначення.
Рисунок 3.1 – Умовне схематичне і графічне позначення БТ
Принцип дії транзисторів однаковий для обох типів провідності. Відміна полягає лише в полярності джерел зовнішніх напруг і в напрямі протікання струмів через електроди. Тому надалі будемо розглядати тільки транзистори --- типу, вважаючи усі висновки щодо них справедливими і для транзисторів--- типу.
Середня область БТ називається базою. - область, що відділена від бази переходом з меншою площею, називається емітером, а сам перехід називається емітерним переходом (ЕП). Аналогічно до цього, крайня справа - область називається колектором, а перехід між ним та базою– колекторним переходом (КП).
Спосіб виготовлення сплавних малопотужних БТ низької частоти полягає у такому. До пластини германію -типу з малим питомим опором (Ом см) з двох боків притискують два шматочки індію. Потім пластину поміщають у піч, в якій створюється вакуум до 0,013 Па, і підвищують температуру. Індій розплавляється, розчиняється із сусідніми шарами германію і під дією сил поверхневого натягу набирає форми сферичного сегмента (рис. 3.2).
Рисунок 3.2 – Будова сплавного БТ
Площа розплавленого індію визначає активну площу переходу. Після цього здійснюється охолодження всієї конструкції з постійною швидкістю зміни температури. Внаслідок цього відбувається рекристалізація областей. Шари германію, розчинені з індієм, мають у своїй кристалічній структурі тривалентні атоми акцепторних домішок і набувають провідності -типу. Ці-області відокремлюються від пластини-типу двома різними переходами. Менша з акцепторних областей, як правило, використовується як емітер, більша – як колектор. Середня область з провідністю -типу виконує функцію бази. Частина бази, що знаходиться безпосередньо між емітером та колектором, через яку проходять носії, називається активною. До областей емітера та колектора припаюють нікелеві дротики, які утворюють не випрямні контакти з індієм і відіграють роль виводів. Гнучкий вивід бази, припаяний до пластини германію, з’єднують з герметизованим металевим корпусом. Виводи емітера і колектора зварюють з гнучкими металевими стрижнями, які ізольовані від корпусу за допомогою скляних вставок.
При виготовленні транзистора здійснюються умови ,, тобто враховується, щоб концентрація дірок в областях емітера й колектора значно перевищувала концентрацію електронів у базі. Крім того, ширина активної області бази має бути меншою від дифузійної довжини дірок:.
3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
При ввімкненні БТ в електронну схему один його електрод вважають вхідним, другий – вихідним, а третій, відносно якого вимірюють вхідну і вихідну напруги, - спільним. Розрізняють такі схеми вмикання БТ: схема зі спільною базою ССБ (рис. 3.3 а), схема зі спільним емітером ССЕ (рис. 3.3 б) і схема зі спільним колектором ССК (рис. 3.3 в).
a) б) в)
Рисунок 3.3 – Схема вмикання БТ
Залежно від величини та полярності напруг на електродах приладу розрізняють такі режими роботи БТ:
Режим відсічки (РВ). Обидва переходи вмикаються у зворотному напрямі. Запірні шари переходів розширюються, їх опори зростають, і через переходи протікають зворотні струми колектора та емітера. Це струми неосновних носіїв емітерної та колекторної областей – електронів, і оскільки концентрація цих носіїв невелика, струми ці незначні. Внаслідок різниці площ переходів для сплавних БТ . БТ закритий, вихідний струм некерований.
Режим насичення (РН). ЕП і КП вмикаються в прямому напрямі. Дірки інжектують у базу з емітера і колектора, створюючи великі струми насичення та, що визначаються рухом основних носіївобластей. У базі відбувається накопичення неосновних нерівноважних носіїв, опір бази і всього БТ різко знижується. Транзистор у цьому режимі вважають відкритим і насиченим, вихідний струм – некерованим.
Активний режим (АР). ЕП увімкнено в прямому напрямі, КП – у зворотному. Полярність напруг на електродах БТ, зображених на рисунку 3.3, відповідає цьому режиму. У колі емітера транзистора протікає струм за рахунок інжекції дірок з емітера в базу, а колекторний струмзалежить від струму емітерного. Це основний режим роботи БТ як підсилювального приладу, коли вихідним струмом можна керувати за допомогою зміни вхідного струму.
Інверсний режим. Це також режим керованого вихідного струму, однак ЕП увімкнено у зворотному напрямі, КП – у прямому.