- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя 11
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика p-nпереходу 28
- •1.2.5 Параметри переходу 30
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
2.7 Варикапи
Варикапи – це напівпровідникові діоди, у яких використовується залежність бар’єрної ємності переходу від зворотної напруги. Варикапи поділяють на підстроювальні (третій елемент позначення – 1) і варактори (третій елемент – 2).
Підстроювальні варикапи використовують, наприклад, для електронного підстроювання резонансної частоти коливальних контурів (рис. 2.11). На схемі рис. 2.11 конденсатор С запобігає замиканню напруги зміщення через котушку індуктивності . Ємність конденсатора значно перевищує бар’єрну ємність варикапа. Тому резонансна частота контуру дорівнює
, (2.5)
де ємність варикапа.
Регулюючи напругу зміщення, яка подається на варикап з потенціометра через резистор, можна змінювати ємність приладу, а отже, і резонансну частоту контура. Резисторзапобігає можливості шунтування коливального контуру при переміщенні повзунка потенціометра. Опірвибирають більшим, ніж резонансний опір контуру.
Варактори, які мають виражену нелінійну вольт-амперну характеристику, використовують у пристроях параметричного підсилення і помноження частоти.
Рисунок 2.11 – Схема ввімкнення варикапа
Основні параметри варикапів: номінальна ємність, виміряна при даній зворотній напрузі ; максимально допустима зворотна напруга; добротність варикапа, яка визначається відношенням реактивного опору до опору втрат.
Розглянемо вплив параметрів еквівалентної схеми діодів (рис. 1.17 б) на добротність варикапа.
Комплексний опір діода при зворотному включенні:
. (2.6)
З формули (2.6) випливає, що реактивна складова опору діода
, (2.7)
а активна –
. (2.8)
З формул (2.7) та (2.8) можна записати вираз для добротності варикапа:
. (2.9)
В області низьких частот
і. (2.10)
В області високих частот , і тоді
. (2.11)
З виразів (2.10) та (2.11) випливає, що з метою збільшення добротності варикапа необхідно збільшувати зворотний опір його переходу і зменшувати опір бази.
Для виконання першої умови варикапи виготовляють з кремнію. Для одержання малого опору бази для варикапа використовують структуру , в якій база складається з двох шарів:і(рис. 2.12);- шар бази має малу товщину, тому при зворотному вмиканні весь перехід розміщується в цьому шарі. Опір бази в цьому випадку утворено лише сильнолегованою -областю, і тому він має малу величину. Ця структура, крім того, дозволяє значно збільшити зворотну напругу варикапа.
Рисунок 2.12 – Напівпровідникова структура варикапа
2.8 Діоди Шотткі
Діод Шотткі – це напівпровідниковий діод, провідні властивості якого ґрунтуються на застосуванні випрямного контакту металу зі збідненим шаром напівпровідника.
Як відомо, при співвідношенні робіт виходу електронів з металу і напівпровідника <або<у приконтактній області напівпровідника можна сформувати збіднений шар, який забезпечує вентильні властивості контакту (несиметрію ВАХ). При цьому випрямна дія діодів з такими контактами «метал-напівпровідник» (діодів Шотткі) ґрунтується на перенесенні заряду лише основними носіями, і тому в цих приладах відсутнє явище інжекції неосновних носіїв при вмиканні, а відтак явище екстракції при вимиканні. Оскільки ці явища є інерційними у часі, то діоди Шотткі, позбавлені їх, виявляють підвищену порівняно з діодами на основі переходу швидкодію.
На швидкодію і частотні властивості діодів Шотткі також суттєво впливають бар’єрна ємність контакту і розподілений опір бази. Зменшення першої досягається збільшенням товщини збідненого шару, що додатково впливає на збільшення пробивної напруги діода і зменшення ймовірності небажаного тунельного ефекту на потенційному бар’єрі. Зниження другого досягається збільшенням концентрації домішок у базі діода (для поліпшення частотних властивостей застосовують n-бази, бо електрони мають рухомість вищу, аніж дірки). Якщо мінімізація ємності контакту і опору бази є процесами суперечливими (адже одночасне задовільнення цих умов вимагає відповідно зменшувати концентрацію донорних домішок і разом з тим збільшувати її), то у конструкції діодів Шотткі доцільно застосовувати двошарову базу (рис. 2.13), де n-шар низьколегований, і в ньому переважно розміщується збіднена область бар’єра Шотткі, а n+-шар – високолегований, бо саме він забезпечує мале значення розподіленого опору бази.
Рисунок 2.13 - Будова діодів Шотткі
Таким чином, будова діодів Шотткі може бути такою, як показано на рис. 2.13.
На рисунку: 1 – металевий анод; 2 – прошарок оксиду; 3 – р-області для створення запобіжного переходу (таке «запобіжне кільце» дозволяє усунути периферійні лавинні пробої структури і через це збільшити напругу пробою до 250 В у потужних приладах); 4 – область просторового заряду (власне бар’єр Шотткі); 5 – активний шар бази; 6 – сильнолегована підкладка; 7 – омічний контакт катода.
Ще однією перевагою діодів Шотткі є менше падіння напруги на приладі у відкритому стані (рис. 2.14).
Рисунок 2.14 - Прямі гілки ВАХ:
1 – діода Шотткі; 2 – діода на основі p-n переходу
Недоліком діодів Шотткі є більші приблизно на 3 порядки зворотні струми порівняно з діодами на основі p-n переходу.
Потужні діоди Шотткі з площею переходу в декілька квадратних міліметрів при В, А і граничною частотою кілька сотень кГц застосовуються в перемикачах джерел живлення. Швидкодіючий бар’єр Шотткі широко використовується в ТТЛ-мікросхемотехніці.