- •Билет №1
- •1. Понятие о технологическом процессе. Классификация технологических процессов. Этапы процесса и комплекты документации.
- •2. Конвективная диффузия. Влияние газодинамических
- •Билет №2
- •2. Рост кристаллов при химическом взаимодействии на межфазной границе. Кинетический режим. Скорость гетерогенной реакции.
- •Билет №3
- •2. Зародышеобразование при росте кристаллов и полиморфных превращениях, начальные стадии роста.
- •Билет №4
- •1. Технологические процессы, связанные с явлениями на границе раздела
- •Билет №5
- •2. Кристаллизация из расплава (выращивание полупроводниковых кристаллов методом Чохральского, направленная кристаллизация, зонная плавка).
- •Билет №6
- •Билет №7
- •1. Классификация веществ по степени чистоты. Основные примесночувствительные свойства изделий эт.
- •Билет №8
- •1. Характеристика технологических процессов переработки сырьевых материалов.
- •Билет №9
- •2. Рост пленок полупроводниковых соединений из газовой фазы с
- •Билет № 10
- •Билет №11
- •2. Вакуумное осаждение и молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •Билет №12
- •2. Физико-химические основы легирования полупроводниковых кристаллов и пленок.
- •Билет №13
- •Билет №14
- •2. Получение плёнок двуокиси кремния и фосфорно-силикатных стёкол методом полного окисления силана.
- •Билет №15
- •Билет №l6
- •Билет №17
- •2. Эпитаксия многослойных гетероструктур, содержащих сверхтонкие полупроводниковые слои.
- •Билет № 18
- •Билет №19
- •2.Способы формирования изделий из полимеров.
- •Билет №20
- •15. Чистые и особо чистые помещения
- •16. Технологическая одежда и поведение персонала в чистых помещениях. Методы контроля технологической гигиены
- •Билет №21
16. Технологическая одежда и поведение персонала в чистых помещениях. Методы контроля технологической гигиены
Все лица, особенно обслуживающий персонал и наладчики оборудова-
ния должны соблюдать правила производственной гигиены. Чтобы с одеждой
персонала в чистые помещения не заносилась пыль, спецодежду шьют из без
ворсовых тканей. Хранят спецодежду, а также личную одежду, в индивиду-
альных шкафах, установленных в специально отведенном месте.25
Установлены следующие комплекты одежды: белые или цветные свет-
лых тонов халата из хлопчатобумажной ткани, хромовые, на кожаной подош-
ве тапочки; хлопчатобумажная шапочка или косынка. Непосредственно пе-
ред, работой и во время работы запрещается пользоваться косметическими
средствами. Чтобы исключить попадание жировых загрязнений на изделия и
детали, работники должны пользоваться резиновыми напальчниками, перчат-
ками и пинцетами. От работающих требуется правильное ношение спецодеж-
ды, своевременная ее стирка и чистка, периодическое мытье рук, а также про-
тирка рук, рабочего места и инструмента спиртом, соблюдение технологиче-
ской дисциплины и ограниченное передвижение в производственных поме-
щениях.
Наиболее тщательное соблюдение технологической дисциплины долж-
но быть в чистых комнатах. Так как наибольшее загрязнение в чистых комна-
тах вносятся деятельностью людей. Чистые комнаты проектируются из рас-
чета (10 – 15) м
рабочей площади на одного человека. В этих помещения за-
прещается курение, прием лиц и т.д. Детали и сборочные единицы из поме-
щений передаются через специальные шлюзы, встроенные в стены.
Билет №21
1. Технологические процессы, связанные с явлениями на границе раздела фаз.
2. Жидкофазная эпитаксия.
Билет №22
1. Характеристика технологических процессов переработки сырьевых материалов.
2. Ионообменные методы очистки МЭТ.
Билет №23
1. Электрохимические методы разделения и очистки МЭТ.
2. Эпитаксия многослойных гетероструктур, содержащих сверхтонкие полупроводниковые слои.
Билет №24
1. Моделирование технологических процессов.
2. Конвективная диффузия. Влияние газодинамических (гидродинамических) факторов. Пограничный слой.
Билет №25
1. Условия производства изделий электронной техники. Методы контроля изделий электронной техники.
2. Получение пленок кремния и германия из газовой фазы методом водородного восстановления.
Билет №26
1. Классификация основных процессов очистки п/п материалов и их соединений. Краткая характеристика процессов.
2. МОС-гидридная эпитаксия полупроводников.
Билет №27
1. Ионообменные методы очистки МЭТ.
2. Физико-химические основы легирования полупроводниковых кристаллов и пленок.
Билет №28
1. Кристаллизация как фазовый переход. Движущая сила кристаллизации.
2. Способы формирования изделий из полимеров.
Билет №29
1. Технология производства полиимида.
2. Вакуумное осаждение и молекулярно-лучевая эпитаксия.
Билет №30
1. Характеристика технологических процессов переработки сырьевых материалов.
2. Рост пленок полупроводниковых соединений АзВ5 из газовой фазы с использованием химических транспортных реакций.