- •Расчёт усилителей на биполярных транзисторах
- •Введение.
- •Основная часть.
- •1. Исходные данные.
- •2. Характеристики транзистора.
- •3. Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора.
- •4. Выбор режима работы транзистора.
- •5. Расчет делителя в цепи базы.
- •6. Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам.
- •7. Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора.
- •8. Расчет основных параметров каскада.
- •9. Оценка нелинейных искажений каскада.
- •10. Выбор резисторов и конденсаторов.
- •Заключение.
- •Список литературы.
Федеральное агентство связи
ГОУ ВПО «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
Уральский технический институт связи и информатики (филиал)
Расчёт усилителей на биполярных транзисторах
Курсовая работа по дисциплине «Основы схемотехники»
Пояснительная записка
210401 000000 020 ПЗ
Руководитель |
|
В.А. Матвиенко |
канд. техн. наук, доцент |
|
|
|
|
|
Студентка группы ОЕ - 81 |
|
К. В. Якусевич |
Екатеринбург, 2010
Содержание
Введение
Основная часть
Исходные данные
Характеристики транзистора
Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора.
Выбор режима работы транзистора.
Расчет делителя в цепи базы
Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам.
Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора
Расчет основных параметров каскада
Оценка нелинейных искажений каскада
Выбор резисторов и конденсаторов
Заключение.
Список литературы.
Приложение 1. Схема электрическая принципиальная проектируемого усилительного каскада
Введение.
Курсовая работа по дисциплине «Основы схемотехники» заключается в расчете типового усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером.
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.
Основная часть.
1. Исходные данные.
Тип активного элемента |
Транзистор биполярный |
Схема включения активного элемента |
ОЭ |
Используемый активный элемент |
КТ301 |
Напряжение источника питания, Eп |
9 В |
Номинал резистора в цепи, Rк |
1,3 кОм |
Номинал резистора в выходной цепи, Rн |
1,8 кОм |
Выберем схему включения «с общим эмиттером» и применим эмиттерную стабилизацию.
2. Характеристики транзистора.
КТ301 – кремниевый планарный p-n-p транзистор, предназначенный для усиления и генерирования колебаний на частотах до 60 МГц. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса не более 0,5 г.
Электрические параметры транзистора представлены в таблице 1.
Таблица - 1