- •Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
- •Расчёт усилителей на биполярных транзисторах
- •Екатеринбург, 2006 Содержание.
- •Введение
- •Расчет усилительного каскада
- •Исходные данные к курсовой работе
- •69 Вариант
- •Характеристики используемого транзистора [2 стр.60]
- •1 .3. Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора
- •1.4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току
- •1.5. Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке
- •1.6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора
- •1.7.Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора.
- •4. Максимальная частота генерации:
- •1.8. Определение сопротивления нагрузки транзистора по переменному току.
- •1.9. Построение сквозной характеристики
- •1.10. Определение динамических параметров усилительного каскада
- •2. Заключение
- •3. Список литературы
1 .3. Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора
Рис 1. Схема с эмиттерной стабилизацией рабочей точки.
Назначение элементов схемы:
Rэ - задаёт обратную связь;
Rн – сопротивление нагрузки ;
Сс - разделительный конденсатор, задерживает постоянную составляющую входного сигнала(это может привести к искажению начального тока смещения);
В нашей схеме используется отрицательная обратная связь по постоянному току. Величина резистора Rэ, задающего обратную связь, определяется из условия Rэ=[(0,10,3)Еп]/Iэ.
В схеме эмиттерной стабилизации напряжение смещения Uбэ0 = IдR2 - Iэ0Rэ. Ток делителя Iд выбирают во много раз больше тока Iб0, при этом напряжение UR2 = IдR2 практически не зависит от тока базы Iб0. Тогда напряжение Uбэ0 а следовательно, смещение на транзисторе будет изменяться при изменении тока Iэ0 только из-за изменения напряжения на резисторе Rэ. Положим, что Iэ0 стремится увеличиться (из-за увеличения температуры или при смене транзистора), при этом увеличится напряжение на резисторе Rэ, это приведет к уменьшению напряжения смещения Uбэ0; транзистор закроется сильнее, ток базы Iб0 уменьшится и соответственно уменьшится ток Iэ0. Для
устранения ООС по переменному току, снижающей коэффициент усиления каскада, резистор Rэ шунтируют емкостью Сэ. Стабилизирующее действие рассматриваемой схемы растёт с увеличением сопротивления Rэ и с уменьшением
сопротивлений делителя R1 и R2. Действительно, чем больше сопротивление резистора Rэ , тем больше падение напряжения на нём и тем сильнее изменяется это напряжение при небольших отклонениях тока Iэ0 от значения в рабочей точке. Однако с увеличением Rэ увеличивается требуемое напряжение источника питания.
1.4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току
Рис.2 Выходные характеристики используемого транзистора
Рис.3 Входные характеристики используемого транзистора
Уравнение нагрузочной прямой при выборе схемы с включения биполярного транзистора
Нагрузочную прямую строим по двум точкам:
при Iк=0 и Uкэ=Eп = 9 В
при Uкэ=0 и
Рабочая точка (т.О) выбирается посередине участка насыщения в точке пересечения нагрузочной прямой с выходной характеристикой (рис.2, прямая АВ).
Параметры режима покоя: Uкэ0 = 6 В, Iк0= 6 мА, Iб0= 0,1 мА, Uбэ0= 0,78 В, Iэ0 = Iк0+ Iб0 =6,1 мА
Стабилизация тока осуществляется за счет последовательной отрицательной обратной связи, которая вводится с помощью резистора Rэ. Нежелательная обратная связь по переменному току может быть устранена путем шунтирования резистора Rэ конденсатором большой емкости.
Определим величины резисторов R1 и R2:
Разделительный конденсатор Сс принимаем емкостью 0,1 мкФ.
Исходя из имеющихся стандартных номиналов резисторов, величину Rэ выбираем равной 78 Ом, R1=12,8 кОм, R2=2,6 кОм.
1.5. Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке
1. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора:
2. Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора:
3. Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора:
4. Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора:
Для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принято
(Iк, Iк ,Uбэ, Uкэ – приращения, взятые симметрично относительно рабочей точки О).