Федеральное агентство связи

ГОУ ВПО «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»

Уральский технический институт связи и информатики (филиал)

РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЕЙ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Курсовая работа по дисциплине «Основы схемотехники»

Пояснительная записка

210404 000000 075 ПЗ

Руководитель		В.А. Матвиенко
канд. техн. наук, доцент
Студентка группы МЕ-52		Т.А. Раздрогина

Екатеринбург

2007

СОДЕРЖАНИЕ

Введение……………………………………………………………………….……….….3

1. Расчет усилительного каскада ……………………………………..….…4

1. Исходные данные к курсовой работе…………………………………..4

2. Характеристики используемого транзистора……………………….....4

3. Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора…..5

4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току……………...6

5. Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке……………………………………………………………………………...7

6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора …………...8

7. Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора……………………………………………………………………....9

8. Определение сопротивления нагрузки транзистора по переменному току……………………………………………………………………………...10

9. Построение сквозной характеристики………………………………...10

10. Определение динамических параметров усилительного каскада……11

Заключение……………………………………………………………………14

Список литературы………………………………………………...…………15

Введение

Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.

1. Расчет усилительного каскада

1.1. Исходные данные к курсовой работе

1.Номер варианта	75
2.Тип транзистора	КТ208А
3. Схема включения активного элемента	С общим эмиттером
4. Напряжение источника питания, Eп	12В
5.Сопротивление цепи К, Rк	0,91кОм
6.Сопротивление нагрузки, Rн	1,2кОм
7. Тип активного элемента	Биполярный транзистор

1.2. Характеристики используемого транзистора

Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ208А. Транзистор типа КТ208А - кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор, предназначенный для использования в импульсных, усилительных и других схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г.

Электрические параметры

Наименование	Обозна- чение	Значения			Режимы измерения
		min	типов-ое	max	Uк , В	I к , мА	I Б, мА	f, кГц
Обратный ток коллектора, мкА	I КБ0			1	UКБ мах
Обратный ток эмиттера, мкА (при UЭ = UЭБ МАХ)	I ЭБ0			1
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В	UКЭ нас			0.4		300	60
Напряжение насыщения база- эмиттер, В	UБЭ нас			1.5		300	60
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Тс=+125 0С при Тс=-60 0С	h21э	20 20 10	40	60 120 60	1 1 1	30 30 30		0.27 0,27 0,27
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ, Ом (при I э=5мА)	h11э	130	800	2500	5			0,27
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., См (при Iэ=1 мА)	h22э	0,15	0,3	0,55	5			0,270
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск			50	10			500
Емкость эмиттерного перехода, пФ ( при Uэ=0,5 В)	СЭ			100				500
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	fгр	5			5	10

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с=25...125 ⁰С

IК max - Постоянный ток коллектора, А.	0,3
IК и max - Импульсный ток коллектора, А (h21Э ≥ 6, UКЭ нас≤0.7 B, IБ≥0.1 A)	0,5
IБ max- Постоянный ток базы, А	0,1
UКБ max - Постоянное напряжение коллектор-база, В (при понижении Тс от +15 до -60 значения UКБ мах, UКЭ R мах уменьшаются до 10 В)	15
UКЭ R max - Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб10 кОм),В	15
UЭБ max - Постоянное напряжение эмиттер-база, В	10
Pк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
При Тс=-60…+60 0С	200
При Тс=600С…125 0С	50
Т п мах - Температура перехода, 0С	150
Допустимая температура окружающей среды, 0С	-60…+125