Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики

УРАЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ

ФАКУЛЬТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ

Расчёт усилителей на биполярных транзисторах

Курсовая работа по дисциплине "Основы схемотехники"

Пояснительная записка

Преподаватель: Матвиенко В.А.

Студент: Лерман М.В.

Группа: МЕ-41

Екатеринбург, 2006 Содержание.

Введение……………………………………………………………….………….3

1. Расчет усилительного каскада ………………………………………………4

1. Исходные данные к курсовой работе………………………………..4

2. Характеристики используемого транзистора……………………….4

3. Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора..5

4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току……………6

5. Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке……………………………………………………………………………7

6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора …………8

7. Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора…………………………………………………………………….9

8. Определение сопротивления нагрузки транзистора по переменному току…………………………………………………………………………….10

9. Построение сквозной характеристики……………………………….10

10. Определение динамических параметров усилительного каскада….11

Заключение……………………………………………………………………….14

Список литературы………………………………………………………………15

Введение

В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.

1. Расчет усилительного каскада

   0. Исходные данные к курсовой работе

69 Вариант

• Тип транзистора___________________КТ201В

• Напряжение источника питания______Е_п=9В

• Сопротивление в цепи коллектора____R_к=390 Ом

• Сопротивление нагрузки____________R_н=470 Ом

• Сопротивление в цепи эмиттера______R_э=0,2 R_к =78Ом

В соответствии с заданными исходными данными выбираем схему включения с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией.

0. Характеристики используемого транзистора [2 стр.60]

Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ201Д. Транзистор КТ201Б – кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p типа, используемый в усилительных схемах.

1. Электрические параметры

Наименование	Обозначение	Значения
		min	max
1.1. Обратный ток коллектора, мкА	I кбо		1
1.2. Обратный ток эмиттера, мкА	I эбо		3
1.3. Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала	h21б		3·10-8
1.4. Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21э|	1
1.5. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: при Тс=+125 0С при Тс=-60 0С	h21э	30 16	150 90
1.6. Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСм	h22б		2
1.7. Коэффициент шума, дБ	Кш		15
1.8. Емкость коллекторного перехода, пФ	Сн		20