3. Определение малосигнальных параметров транзистора

1. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора:

2. Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора:

3. Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора:

4. Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принят .

4. Определение величин эквивалентной схемы транзистора

Для расчета физических величин воспользуемся малосигнальной высокочастотной схемой транзистора - схемой замещения биполярного транзистора (схема Джиаколетто) представленной на рис. 4.

Рис 4. Физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора

• Барьерная ёмкость коллекторного перехода:

С_кпасп = 50 пФ

U_кбпасп = 10 В

U_кб = U_к - U_б = E_п - R_к × I_к⁰ - [U_бэ⁰ + (I_к⁰+I_б⁰) × R_э]

U_кб = 24 – 6,5×10^-3× 1,5×10³ - [0,65 + (6,5+0,06) ×10^-3 × 300] = 12,97 В

• Выходное сопротивление транзистора:

• Сопротивление коллекторного перехода:

• Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока:

• Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока:

• Распределение сопротивления базы:

• Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода:

• Собственная постоянная времени транзистора:

• Крутизна транзистора:

5. Определение граничной и предельных частот

1. Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:

4. Предельная частота в схеме с ОЭ:

3. Предельная частота в схеме с ОБ:

3. Предельная частота транзистора по крутизне:

5. Максимальная частота генерации:

6. Определение сопротивления нагрузки транзистора

по переменному току

Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:

Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя (I_к⁰, U_кэ) и точку с координатами I_к = 0, U_кэ = I_к⁰ × R_i + U_кэ⁰ .

- рабочая точка

;

Рис 5. Нагрузочная прямая по переменному току

6. Построение сквозной характеристики

Для построения сквозной характеристики воспользуемся нагрузочной прямой по переменному току и выходными характеристиками. По точкам пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками строим сквозную характеристику I_к(U_бэ). Точки для построения проходной характеристики (зависимости I_к от U_бэ) представлены в таблице 1, график зависимости на рисунке 7.

Таблица 1

Iб, мА	0	0,015	0,03	0,045	0,06	0,075	0,09	0,105
Iк, мА	0,2	1,4	3,4	5	6,5	8,4	10	11,6
UБэ, В	0,48	0,61	0,63	0,64	0,65	0,66	0,67	0,68

Рис 6. Сквозная характеристика транзистора КТ208Д