6 Указания к составлению отчета

Отчет должен содержать:

1. Паспортные данные и схему расположения выводов исследуемого транзистора.

2. Схемы исследований транзистора.

3. График передаточной характеристики.

4. Семейство выходных характеристик.

5. График зависимости сопротивления канала от управляющего напряжения.

6. По передаточной характеристике определить основные статические параметры ПТ: I_C0 (соответствующее U_ЗИ=0), U_{ЗИ ОТС}, S . Значение крутизны определить по формуле:

U_СИ=const.

Сравнить полученное значение параметра S с паспортным значением S ПТ данного типа.

6.7 Учитывая взаимосвязь параметров ПТ, в соответствии с которой крутизна ПТ в пологой области выходных характеристик при одинаковых напряжениях на затворе связана с R_СИ в омической области по формуле

R_СИ= 1/S. Определить R_СИ при U_ЗИ=0.

Сравнить полученное значение сопротивления R_СИ с определенным экспериментально в п.5.5 при U_ЗИ=0.

4 Исследование статических характеристик

И ПАРАМЕТРОВ МДП ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1 Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых МДП транзисторов.

В работе снимаются характеристики прямой передачи (сток -затворные) и выходные (стоковые) характеристики, а также определяются основные параметры транзистора.

2 Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.

2. Статические характеристики и параметры режима МДП ПТ.

3. Дифференциальные параметры ПТ их измерение и определение по характеристикам.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

1. Объяснить устройство полевых транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.

2. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.

3. Объяснить принцип действия полевых транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.

4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик

5. Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.

6. Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа «p» и «n».

7. Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.

8. Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.

Литература

Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185.

Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).

Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно).

Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно).

Конспект лекций.

3 Транзисторы, исследуемые в работе

В лабораторном макете предусмотрена возможность исследования полевых транзисторов любого типа и структуры. Конкретный тип исследуемого прибора указывает преподаватель.

Для заданного преподавателем типа ПТ пользуясь справочником, выписать предельно-допустимые значения I_{С МАКС}, U_{СИ МАКС}, U_{ЗИ МАКС}, P_{С МАКС}. Привести рисунок внешнего вида ПТ с указанием выводов.

При установке в макет МДП транзисторов следует соблюдать меры предосторожности с целью исключения пробоя участка затвор-канал статическими зарядами электричества. Для этого перед монтажом выводы транзистора вблизи корпуса закорачивают специальной перемычкой.

После сборки схемы перемычку убирают.