6. Контрольные вопросы.

   1. Какой вид имеет внешняя характеристика выпрямителя без филь­тра и как она снимается?

   2. Объясните работу мостовой схемы выпрямления однофазного тока при активной нагрузке.

   3. Объясните работу схемы выпрямления с выводом нулевой точки трансформатора при активной нагрузке.

   4. Объясните осциллограммы выпрямленного напряжения U_d, тока диода i_d , напряжения на диоде U_ак, тока вторичной i₂ и первич­ной i₁ обмоток трансформатора для схемы с выводом нулевой точки трансформатора и для мостовой схемы при активной нагрузке.

   5. Проведите сравнительную оценку исследованных схем однофазных выпрямителей.

   6. Объясните работу схемы с выводом нулевой точки трансформато­ра при наличии емкостного фильтра.

   7. Объясните сущность метода расчета выпрямителя с емкостным фильтром.

   8. С помощью какого коэффициента учитываются пульсации в кривых выпрямленного напряжения?

   9. Как определить коэффициент сглаживания Г-образных LC-и RC - фильтров?

   10. Объясните ход внешних характеристик выпрямителя: при- работе на чисто активную нагрузку; число емкостную: при наличии RC - фильтра.

   11. В каких пределах следует изменять ток I_d при снятии внеш­ней характеристики?

   12. Какие данные являются исходными при расчете выпрямителя, ка­ков порядок расчета?

   13. Сравните обратные напряжения на диодах и среднее значение тока через них для различных схем выпрямления.

Лабораторная работа №9. Снятие и иследование характеристик транзистера в схеме с общим эмиттером (оэ) и определение параметров транзистера

В работе ставится цепь – ознакомится с методами определения параметров к снятия характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером.

В результате проведения работы студенты должны знать принцип работы транзисторов, функциональные зависимости входной и выходной статических характеристик, схемы замещения для исследования этих характеристик; уметь определять параметры транзистора по известным статическим характеристикам; приобрести навыки экспериментальных исследований транзистора в схеме с общим эмиттером и снятия его статических характеристик.

1. Объект и средства исследования.

Объектом исследования служит транзистор типа p – n – p , расположенных на сменной панели №5 лабораторного стенда ЛОНЭ – 5.

В работе используется источник постоянного напряжения 24В, расположенный на панели №2 стенда. Источник включается путем установки ручки общего выключателя стенда в положения “ Off ”, при этом загорается сигнальная лампа , расположенная под выключателем. Для подачи напряжения 24В на сменный блок №5 необходимо тумблер ~ 24В на блоке 2 поставить в верхнее положение, при этом должна загореться сигнальная лампа на блоке №5.

2. Подготовка к работе.

2.1 Ознакомиться со схемой измерения характеристик транзистора, которая показана на

рис.1. В схеме имеется два источника питания Eб и Eк. Если в качестве делителей напряжения используют высокорезистивные элементы R1 (сотни Ом) и R2 (единицы кило Ом), то источники Еб и Ек можно объединить и использовать один, например, низковольтный выпрямитель.

При исследовании маломощных транзисторов для контроля токов используются магнитоэлектрические миллиамперметры с пределами mA1 – 0.2 мA к mA2 – 10мА. Для контроля напряжения используют магнитоэлектрические вольтметры V1 с пределом 0.5 В и V2 с пределом 15 В.

2.2. Изучить принцип работы транзистора , его входные и выходные характеристики. Ознакомится (по справочникам) с маркировкой и видом транзисторов.