Основные результаты и выводы работы

1. Обзор проблематики по литературным данным показал, что использование технологии ионно-лучевого осаждения обеспечивает ряд преимуществ - такие как увеличение качества осаждаемых слоев, значительное уменьшение времени производства тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов.

2. Рассчитаны параметры процесса распыления металлов и полупроводников в ионном источнике.

3. Разработан и изготовлен ионный источник. Рассчитаны оптимальные параметры распыления и концентрация плазмы в источнике.

4. Рассчитаны параметры процесса экстракции ионного луча. Произведен расчет оптимального значения напряжения на электродах экстрактора.

5. Рассчитаны параметры и изготовлено устройство экстракции ионов, показан оптимальный режим работы для процесса осаждения.

6. Разработано и изготовлено устройство фокусировки ионного луча, показан оптимальный режим работы системы для процесса осаждения. Произведен расчет напряжения и изменение сечения ионного луча в зависимости от напряжения.

8. Произведен расчет и изготовлено устройство сканирования ионного луча по подложке.

9. Рассчитан и исследован процесс осаждения тонкопленочных слоев. Было показано, что вывести точную модель осаждения достаточно сложно, трудно предусмотреть все факторы, влияющие на процесс осаждения.

10. Произведено осаждение металлического контакта на поверхность из кварцевого стекла. Проведен анализ веществ для получения омического контакта.

11. Произведено осаждение полупроводникового Si слоя p-типа на поверхность из кварцевого стекла с осажденным алюминием и титаном. Легирование полупроводникового слоя Si проводилось Al. [7].

12. Проведено осаждение базового слоя p-типа (полупроводникового слоя Si). Проведено осаждение высоколегированной области n+-типа. Проведено осаждение контактной гребенки.

13. Исследованы свойства полученных полупроводниковых и металлических тонких пленок, которые показали возможность создания на их основе достаточно эффективных и дешевых солнечных элементов.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1.  Сысоев И.А.,  Русинов С.В., Письменский М.В., Газарян С.Ю. Современные энергетические системы и комплексы, и управление ими. / Материалы IV Междунар. научно.-практ. конф., г. Новочеркасск, 28 мая 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.-Ч.2.-С 30-33.

2. Сысоев И.А., Письменский М.В.,  Марченко А.А., Газарян С.Ю. Молекулярная динамика наноструктур на основе  А³В⁵. / Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ,  2004.-С.28.

3. Благин А.В., Письменский М.В., Сысоев И.А.,  Русинов С.В. Моделирование параметров лазерной гетеро- структуры с вертикальным резонатором. / Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ,  2004.-С.28.

4. Благин А.В., Сысоев И.А.,  Письменский М.В.,  Русинов С.В. Исследование возможности формирования твердых растворов на основе

А⁴В⁶ методом градиентной жидкофазной кристаллизации для приемников излучения дальнего ик-диапазона / Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ,  2004.-С.79.

5. Благин А.В.,  Сысоев И.А., Письменский М.В.,  Русинов С.В. Исследование возможности получения нанослоев соединений  А³В⁵

методом ионно-лучевого локального осаждения / Опто; наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Тр. VI Междунар. конф.- Ульяновск: УлГУ, 2004.-С.129.

6. Русинов С.В., Письменский М.В., Сиротин Д.В., Сысоев И.А. Автоматическая система  управления температур новременным режимом градиентной жидкофазной  кристаллизации на основе микроконтроллера смешанного сигнала C8051F005. /  Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 18.–С 45-47.

7. Письменский М.В., Русинов С.В., Сиротин Д.В., Сысоев И.А. Возможности применения ионно-лучевого осажде ния для синтеза тонко пленочных структур. / Актуальные проблемы современной науки: Тех.

науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 18.–С С 48-49.

8. Письменский М.В., Русинов С.В., Сиротин Д.В., Сысоев И.А. Повышение разрядности аналогово цифрового преобразователя микро контролера C8051F005. / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 18.–С 49-51.

9. Русинов С.В., Письменский М.В., Сиротин Д.В., Сысоев И.А. Возможности применения преобразования гильберта для определения  основных параметров асинхронного двигателя / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 18.– С 51-53.

10. Марченко А.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Сысоев И.А. Моделирование получения гетероструктур на основе А³В⁵. / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 43.–С 21-22.

11. Марченко А.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Благин А., В. Твердые растворовы  Pb_1-xSn₁Te(In), сформированные методом градиентной жидкостной кристаллизации. / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар. конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 43.–С 22-23.

12. Русинов С.В., Письменский М.В., Овчаренко А.И. Возможности анализа стабильности динамики меж фазных границ твердых растворов полученных методом градиентной жидкостной кристаллизации. / Актуальные проблемы современной науки: Тех. науки: Тр. 5-й Междунар.

конф. молодых ученых и студентов, 7-9 сент. 2004г.- Самара,2004.- Ч . 43.–С 26-30.

13. Благин А., В., Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Исследование возможности формирования твердых растворов растворов Pb_1-xSn_xTe и Pb_1-xSn_xTe(In) методом градиентной жидкофазной кристаллизации. / Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. девятой Междунар. науч.- техн. конф., (Дивноморское, Россия, 12-17 сент. 2004 г.). –Таганрог, 2004.- Ч.1- С. 201-203.

14. Благин А., В., Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Система управления температурным режимом  технологического процесса получения полупроводниковых материалов методом градиента жидкофазной кристаллизации. / Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. девятой Междунар. науч.- техн. конф., (Дивноморское, Россия, 12-17 сент. 2004 г.). –Таганрог, 2004.- Ч.1- С. 10-13.

15. Письменский М.В., Русинов С.В., Возможности применения метода ионно-локального осаждения для получения тонких пленок на основе А⁴В⁶. /  Химия твердого тела и  современные микро – и нанотехнологии: IV Меж дунар. науч. конф., 19-24 сент. 2004 г.- Ставрополь: СевКазГТУ, 2004.-С. 297-298.

16. Сысоев И.А., Письменский М.В., Русинов С.В., Марченко А.А., Возможности получения соединений А³В⁵ методом ионно-лучевого локаль ного осаждения. / Химия твердого тела и  современные микро – и нанотехнологии: IV Меж дунар. науч. конф., 19-24 сент. 2004 г.- Ставрополь: СевКазГТУ, 2004.-С. 298 - 300.

17. Сысоев И.А., Письменский М.В., Принципиальная конструкция ионного источника  установки ионно-лучевого осаждения. / Изв.вузов

Сев. Кавк.регион. Тех. науки.- 2004.- Прил. №9.-С.183-189.

18. Сысоев И.А., Письменский М.В., Изготовление солнечного элемента с помощью установки ионно-лучевого осаждения в едином технологическом цикле. / Изв.вузов Сев. Кавк.регион. Тех. науки.- 2004.- Прил. №9.-С.189-191.

19. Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В., Сиротин Д.В. Возможность управления параметрами полупроводниковых материалов с помощью метода ионно- лучевого осаждения. / Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч.- практ.

конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.-Ч.1.-С.18-21.

20. Сысоев И.А., Письменский М.В., Газарян С.Ю., Велиев. Р.П., Исследование температурного поля вблизи рабочей зоны на установке ЗПГТ. / Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики:

Материалы V междунар. науч.- практ. конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.- Ч.1.-С.22-24.

21. Сысоев И.А., Русинов С.В., Письменский М.В., Марченко А.А.,  Возможность управления ионным пучком техноло гического процесса ионно лучевого осаждения. / Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч.- практ. конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.- Ч.2.-С.10-11.

22. Сысоев И.А., Письменский М.В., Сиротин Д.В., Русинов С.В., Система управления температурно-временным режимом градиентной жидкофазной кристаллизации на основе микроконтроллера смешанного сигнала C8051F005. / Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч.- практ. конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.- Ч.2.-С.15-18.

23. Сысоев И.А., Письменский М.В., Газарян С.Ю., Велиев. Р.П., Многоканальный аппаратный комплекс высокочастотного измерения температуры. / Теория, методы и средства измерений, контроля и

диагностики: Материалы V междунар. науч.- практ. конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.- Ч.2.-С.23-26

24. Сысоев И.А., Письменский М.В., Сиротин Д.В., Русинов С.В., Определение основных параметров асинхронного двигателя с помощью преобразований гильберта. / Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики: Материалы V междунар. науч.- практ. конф., г. Новочеркасск, 1 окт. 2004г.- Новочеркасск: ЮРГТУ, 2004.- Ч.2.-С.26-27.