21. Структуры зу.
Основной составной частью ЗУ является матрица накопителя, она представляет собой массив запоминающих элементов, объединенных в матрицу. ЗЭ может хранить один бит информации. ЗЭ могут быть объединены в ЗЯ, которая хранит слово, состоящее из 8, 16 бит. Для обращения к ЗЭ или ЗЯ необходимо выбрать ее с помощью кода адреса (каждая ячейка имеет свой уникальный адрес).
Статические ОЗУ и ПЗУ имеют аналогичные структуры, динамические ОЗУ имеют свои особенности структуры. Наиболее характерные структуры ЗУ подразделяют на структуры с одномерной (словарной) адресацией – 2D, 2DM и структуры с двумерной (матричной) адресацией – 3D.
Структура 2D представляет собой матрицу размерностью M = m × n, где n – число хранимых слов, m – их разрядность (рис.26.2).
Рис.26.2. Структура ЗУ типа 2D
Дешифратор DC служит для выбора заданного слова, разрешая доступ ко всем элементам выбранной строки, хранящей слово, адрес которого соответствует номеру строки. Выбор режима чтения или записи осуществляется воздействием сигнала чтение/запись.
ЗУ типа 2D применяется лишь для памяти малого объема, основным недостатком этой структуры является чрезмерное усложнение дешифратора при наращивании объема памяти. Число выводов дешифратора равно числу хранимых слов. Так, для ЗУ с организацией 256 × 4 необходим дешифратор с 256 выходами, что чрезмерно усложняет аппаратную реализации схемы.
Структура 3D применяется для упрощения дешифрации адреса с помощью двухкоординатной выборки ЗЭ. Структура ЗУ с двухкоординатной выборкой показана на рис.26.3.
Код адреса разрядностью n делится на две половины (А n-1…Ak, Ak1…A0), одна служит для определения строки, вторая – для определения столбца. Таким образом, выбирается один бит нужного слова, который находится в ЗЭ на пересечении активных выходов обоих дешифраторов. Суммарное число необходимых дешифраторов гораздо меньше, чем в структуре 2D. Например, для структуры 2D при хранении 1К слов потребовался дешифратор с 1024 выходами, для структуры 3D нужны два дешифратора с 32 выходами у каждого.
При построении ЗУ для многоразрядных слов к дешифраторам строки и столбца могут подключаться параллельно несколько матриц, число которых равно разрядности хранимых слов. Каждая матрица выдает один бит адресованного слова.
Недостатком структуры 3D является усложнение элементов памяти, имеющих двухкоординатную выборку. В связи с этим структуры 3D применяются редко.
Структура 2DM содержит дешифратор для выбора строки матрицы и мультиплексоры для выбора разрядов слова. Эта структура похожа на структуру 2D – активный выход дешифратора выбирает целую строку. Отличие в том, что длина строки не равна разрядности хранимых слов, гораздо длиннее ее. Вследствие этого уменьшается количество строк матрицы и, соответственно, уменьшается количество необходимых выходов дешифратора (рис.26.4).
Рис.26.3. Структура ЗУ 3D
Для выбора строки используется только часть разрядов адресного кода А n-1…Ak. Остальные разряды адресного кода Ak-1…A0 используются для выборки необходимого слова из всего объема слов, содержащихся в строке. Для этого используются мультиплексоры, адресные входы которых соединены с шинами Ak-1…A0. На выходах мультиплексоров формируется выходное слово, каждый разряд которого выбирается из отрезка строки длиной m2k, где m – разрядность хранимых слов. На выходах m мультиплексоров формируется выходное слово, каждый разряд которого выбирается из отрезка строки длиной 2к.
Рис.26.4. Структура типа 2DM
Для примера, в ЗУ типа 2DM 256 × 4 используется матрица 32 × 32, для обращения к каждому ЗЭ необходимо восьмиразрядное адресное слово. Пять разрядов этого слова поступают на дешифратор и выбирают одну из 32 строк матрицы ЗЭ. Три оставшихся разряда адресного слова поступают на адресные входы четырех мультиплексоров и выбирают из отрезков 23 = 8 разрядов один бит каждого слова.
22. ОЗУ.
Опер. память микро-ЭВМ чаще всего - полупроводниковая. Матр. триг-ов или др. ЗЭ компонуется как единая интегральная схема. ОЗУ, как и ПЗУ явл. устр-ми с произвол. доступом и представ. собою матр. активных энергонезавис. эл-тов.
ОЗУ : на 2 класса – статич. и динамич. В статич. ОЗУ для хранен. 1 бит инф-ции исп. отдел. триг., и эта инф-ция сохр-ся пока есть питание. В динамич. ОЗУ инф-ция хран. в виде электрич. зарядов емкости затвор-подложка МОП – тр-ра. Эта емкость ч/з неск-ко миллисекунд разряжается, т.ч. треб-ся ее периодич. подзарядка. Динамич. ОЗУ имеет важное знач., поскольку в памяти этого типа исп-ся ↓ кол-во эл-тов на бит запоминаемой инф-ции, чем в устр-ах статич. типа, что позволяет достичь более ↑ уровня интеграции. Динамич. память обладает также более ↑ быстродейств. и потреб. ↓ мощность в устойчивом состоянии. Однако для орг-ции цикла регенерации треб. дополнит. оборуд-ние. Поэтому динамич. память эффективна лишь для ОЗУ относит. > объема. Память же < объема обычно реализ/ на статич. эл-тах.
статич
Динамич
