- •Часть 1
- •Раздел 1 элементная база электроники Введение. Определение понятия «Электроника»
- •Электронные лампы и электровакуумные приборы
- •Свойства электрона и электронная эмиссия
- •Виды электронной эмиссии
- •Устройство и принцип работы электровакуумных приборов
- •Устройство ламп
- •Двухэлектродная электронная лампа – диод
- •Принцип работы диода
- •Характеристики и параметры диода
- •Характеристики диода
- •Статические параметры диода
- •Трехэлектродная лампа (триод)
- •Характеристики триода
- •Тетроды и пентоды
- •1.2 Электронно-лучевые приборы Электронно-лучевые трубки
- •Основные параметры элт
- •Система обозначений электронных и электронно – лучевых приборов
- •Система обозначений электроннолучевых трубок
- •Полупроводниковые приборы Свойства полупроводников, влияние примесей на проводимость
- •Примесная проводимость полупроводника
- •1.4 Полупроводниковые резисторы
- •1.5 Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Туннельные диоды
- •Светодиоды
- •Фотодиоды
- •1.6 Биполярные транзисторы
- •Физические принципы работы транзисторов
- •Схемы включения, характеристики и параметры транзистора
- •1.7 Полевые транзисторы
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •Характеристики полевых транзисторов с p-n-переходом
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп)
- •Маркировка транзисторов
- •Схемы включения пт и их особенности
- •1.8 Тиристоры
- •Диодный тиристор
- •Триодный тиристор
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы
- •Накальные индикаторные приборы
- •Электролюминесцентные индикаторы (эли)
- •Вакуумно-люминесцентные индикаторы
- •Газоразрядные знаковые индикаторы (ин)
- •Ионные приборы (газоразрядные)
- •Тиратрон с холодным катодом
- •Сигнальные неоновые лампы
- •1.10 Оптроны
- •Конструкция оптронов
- •Типы оптопар, параметры и характеристики
- •Раздел 2 электронные устройства
- •2.1 Электронные усилители
- •Параметры и характеристики усилителей
- •Классификация усилителей
- •Принцип построения усилительных каскадов
- •Характеристики усилителей
- •Особенности многокаскадных усилителей
- •2.2 Режимы работы усилительных каскадов (классы усиления)
- •Температурная стабилизация усилителей
- •2.3 Обратные связи в усилителях
- •Виды ос
- •2.4 Схемы включения усилительных каскадов (ук)
- •Особенности ук на полевых транзисторах
- •2.5 Усилители мощности
- •Классификация усилителей мощности
- •Однотактный усилитель мощности
- •Двухтактные трансформаторные усилители мощности
- •Бестрансформаторные усилители мощности
- •2.6 Усилители постоянного тока
- •Упт с одним источником питания
- •Упт с двумя источниками питания
- •Дрейф в упт
- •2.7 Операционные усилители
- •Характеристики оу
- •Параметры оу
- •Решающие схемы на оу
- •2.8 Избирательные усилители
- •Высокочастотные иу
- •Низкочастотные иу
- •2.9 Генераторы гармонических колебаний
- •Литература
- •Содержание
- •Раздел 1 элементная база электроники..........................................3
- •1.1 Электронные лампы и электровакуумные приборы…...............................6
- •1.2 Электронно-лучевые приборы.......................................................................24
- •1.3 Полупроводниковые приборы......................................................................31
- •1.4 Полупроводниковые резисторы...................................................................35
- •1.5 Полупроводниковые диоды ..........................................................................41
- •1.6 Биполярные транзисторы..............................................................................54
- •1.7 Полевые транзисторы.....................................................................................62
- •1.8 Тиристоры..........................................................................................................72
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы..........................................78
- •1.10 Оптроны...........................................................................................................85
- •Раздел 2 электронные устройства....................................................90
- •2.1 Электронные усилители..................................................................................90
Характеристики триода
анодно-сеточные характеристики
ia = f (Uc) при Ua = const;
сеточные характеристики
ic = f (Uc) при Ua = const;
анодные характеристики:
ia = f (Ua) при Uc = const;
сеточно-анодные характеристики:
ic = f (Ua) при Uc = const.
Покажем на графике семейство 1 и 2 групп характеристик (рисунок 1.6):
Uа2
= 0
Uc
= const
Uc
= const
ia,
ic
U
Uа1
> Ua2
> U
Uа3
> Ua2
> Ua1
Рисунок 1.6 – Анодно-сеточные и сеточные характеристики триода
ia,
ic
-Uc4
-Uc3
-Uc2
-Uc1
Uc
= 0
+Uc5
+Uc6
+Uc7
Uа
ic
ic
max
Uа
= 0
Рисунок 1.7 – Анодные и сеточно-анодные характеристики триода
Анодная характеристика при Uc = 0 идет из начала координат. Для более низких сеточных напряжений (Uc1 – Uc4). Анодные характеристики для положительных Uc (Uc5 – Uc6) идут из начала координат и имеют выпуклость влево, а не вправо (т. е. при большем «+» Uc, ia больше).
Сеточно-анодные характеристики (штриховые) даны только для положительных Uc, т. к. при отрицательных Uc тока сетки нет. При Ua = 0, ic = max и тем больше, чем выше сеточное напряжение.
При увеличении Ua ток сетки сначала резко снижается в следствии токораспределения между сеткой и анодом, а затем уменьшается незначительно.
Применяются триоды как приемно-усилительные элементы малой мощности для усиления низкой частоты и детектирования (т. е. выделения сигналов низкой частоты из общего сигнала), а также применяются в генераторах, в усилителях радиочастоты, в электронных стабилизаторах напряжения.
Тетроды и пентоды
+
А
-
-
+
ЭС
УС
К
Рисунок 1.8 – Конструкция тетрода
Если экранирующая сетка соединена с катодом, то она экранирует катод и управляющую сетку от действия анода. Экранирующая сетка перехватывает большую часть электрического поля анода и сквозь экранирующую сетку проникает только небольшая часть силовых линий от анода. Ослабление поля анода экранирующей сеткой учитывается проницаемость этой сетки D2. Электрическое поле, проникающее через ЭС, далее перехватывается управляющей сеткой с проницаемостью D1. Проницаемость тетрода есть произведение проницаемостей УС и ЭС:
D = D1 D2
Величина D, показывает, какую долю воздействия напряжения управляющей сетки на катодный ток составляет, воздействие напряжения анода. Например, если D = 0,01, то означает, что анодное напряжение в 1 В влияет на катодный ток также как 0,01 B напряжения УС. Т. к. коэффициент усиления µ = = , то при = 0,01, µ = 100. Т. е. с помощью двух сеток достигается высокий коэффициент усиления µ и высокое внутренне сопротивление Ri (т. к. µ = SRi, т. е. Ri = ).
При этом если на экранирующую сетку подано значительное напряжение, то анодно-сеточные характеристики тетрода получаются «левыми», т. е. тетрод может работать в области отрицательных сеточных напряжений.
Недостатком тетрода является так называемый динатронный эффект. Электроны, ударяя в анод, выбивают из него вторичные электроны. Вторичная эмиссия анода существует во всех лампах, но в диодах и триодах она не вызывает последствий. В этих лампах вторичные электроны, вылетевшие из анода, возвращаются на него т. к. анод имеет наибольший положительный потенциал, и тока вторичных электронов не возникает.
В тетроде вторичная эмиссия анода не проявляет себя, если напряжение ЭС меньше напряжения A, если же тетрод работает с нагрузкой, то при увеличении анодного тока напряжение A может стать меньше напряжения на ЭС. Тогда вторичные электроны, вылетевшие с A, притягиваются к ЭС. Возникает ток вторичных электронов ia2, направленный противоположно току первичных электронов ia1. Общий анодный ток уменьшается, а ток ЭС увеличивается ia2. Это и есть динатронный эффект анода.
Динатронный эффект в тетроде вреден, т. к. возникает резкая нелинейность анодных и анодно-сеточных характеристик, что создает нелинейные искажения при усилении.
Пентодами называют пятиэлектродные лампы. В них еще сильнее выражены положительные свойства тетродов и устранен динатронный эффект.
+
А
-
-
+
К
УС
ЗС
ЭС
Рисунок 1.9 – Конструкция пентода
Действие защитной сетки состоит в том, что между ней и анодом создается электрическое поле, которое тормозит, останавливает и возвращает на анод вторичные электроды, выбитые из анода. Они не проникают на экранирующую сетку и динатронный эффект полностью устраняется.
Пентоды отличаются от тетродов более высоким (µ) коэффициентом усиления, достигающим иногда нескольких тысяч. Это объясняется тем, что защитная сетка выполняет роль дополнительной экранирующей сетки. Возрастает и внутреннее сопротивление Ri. Крутизна S такая же, как у триодов и тетродов, т. е. в пределах 1 – 50 мA / B. Параметры тетродов и пентодов определяются аналогично параметрам триодов. Анодно-сеточные характеристики у пентодов такие же, как у тетрода, т. е. «левые» или расположенные в области отрицательных напряжений. Рассмотрим более подробно эти характеристики (рисунок 1.10).
Uc1
Ua1
Ua1
Ua1
Ua2
Ua2
Ua2
Ua1
Ua2
U'c1
U'c2
U''c1
U''c2
ia2,
ic2
Рисунок 1.10 – Анодно-сеточные характеристики пентода
На графике изображены анодно-сеточные характеристики пентода или тетрода при двух различных значениях напряжения на аноде, причем Ua2 > Ua1. Каждая пара характеристик, расположенных близко одна от другой, соответствует определенному напряжению характеризующей сетке, где U"a2 > U'a1. Из графика видно, что наибольшее изменение анодного тока наблюдается при изменении напряжения на экранирующей сетке, нежели при изменении Ua.
Характеристики для тока экранирующей сетки (---), показанные штриховыми линиями, идут ниже, т. к. ток экранирующей сетки ic2 меньше анодного. Начальные точки характеристик совпадают, т. е. лампа запирается одновременно и по анодному току ia и по току экранирующей сетки ic2.
Рассмотрим семейство анодных характеристик пентода (или тетрода) при Uc2 = const и при Uc3 = const (рисунок 1.11).
-
6 В
-
4 В
0
-
2 В
Uc1
= +
2
В
Ua
ia
Рисунок 1.11 – Анодные характеристики пентода (или тетрода)
Из графика видно, что чем больше отрицательное напряжение на управляющей сетке, тем меньше ia и тем ниже проходят характеристики.
C2
C1
К
А
А в лучевом тетроде, по сравнению с обычным, увеличено расстояние между экранирующей сеткой и анодом, а управляющая и экранирующая сетки имеют одинаковое число витков, причем витки их расположены точно друг напротив друга. Тогда электроны летят от K к A более плотными пучками или «лучами», т. е. возрастает плотность объемного заряда, что вызывает понижение потенциального барьера в пространстве между анодом и экранирующей сеткой. А если Ua ниже, чем Uc2, то в этом пространстве образуется потенциальный барьер для вторичных электронов.
Тетроды используются в качестве приемно-усилительных ламп, мощных модуляторных ламп для импульсной работы (т. е. ламп, осуществляющих управление колебательным процессом по амплитуде, частоте, фазе), в генераторах и передатчиках.