Классификация оу по назначению

1. ОУ общего или широкого применения. Применяются наиболее часто, имеют средние значения своих параметров среди ОУ. Параметры ОУ различных поколений приведены в таблице1.

2. Быстродействующие ОУ. Они применяются для усиления импульсных и широкополосных сигналов, отличаются высокой скоростью нарастания выходного напряжения ( ).

3. Прецизионные ОУ. Они отличаются высокой точностью преобразования над аналоговыми сигналами, имеют высокий коэффициент усиления ( ) и малый дрейф выходного напряжения.

4. Микромощные ОУ. Они имеют малую потребляемую мощность и малое питающее напряжение . Используются в автономных устройствах.

5. Программируемые ОУ. Они имеют добавочный вывод, напряжение на котором позволяет управлять коэффициентом усиления, частотой единичного усиления .

Таблица 1.

Поколение ОУ	1-е	2-е	3-е	4-е
				среднее	макс. или мин.
Ко	(2-5)104	105	105 -106	106	108
Косс , дБ	70 - 85	80 - 90	90- 100	120	140
Uсм , мВ	2 - 3	1 - 2	0,5 - 1	0,25– 0,5	0,01
dUcмdT , мкв/0С	3 - 5	3	2 - 3	0,5	0,1
Iв. ср , нА	500	100	2 - 5	0,1	0,001
Iсд , нА	200	20 - 50	0,1- 0,2	0,005	0,001
Vu вых , В/мкс	0,5 - 1	0,5	0.2 - 2	50 - 70	1000
Рпот , мВт	10 - 50	5 - 20	0.2 - 2	0,08– ,15	0,001
Еп , В	5 - 20	3 - 20	2 - 15	2 - 5	1,5

Первые три поколения можно отнести к универсальным, а четвертое поколение к специализированным ОУ. Параметры, приведенные для 4-го поколения, не относятся ни к одному конкретному ОУ, а просто являются лучшими. Каждое поколение интегральных ОУ характерно своими схемными решениями.

В ОУ первого поколения использовались биполярные транзисторы только одного (n-p-n) типа и диффузионные резисторы в качестве резистивных нагрузок дифференциального каскада.

В ОУ второго поколения наряду с транзисторами n-p-n-типа использовались и транзисторы p-n-p-типа – это облегчало построение выходных каскадов. Во вторых, наряду с диффузионными резисторами использовались пинч-резисторы, имеющие высокое сопротивление. В третьих, наряду с биполярными транзисторами, во входных дифференциальных каскадах использовались полевые транзисторы, что позволило резко поднять входное сопротивление. Однако главная особенность ОУ второго поколения состояла в замене резисторных нагрузок динамическими и появлении дифференциальных каскадов, выполненных по однофазной схеме.

В ОУ третьего поколения во входных каскадах стали применяться супербета транзисторы. Такие транзисторы в сочетании с микрорежимом позволили получить входные токи, как в полевых транзисторах, но быстродействие и усиление ОУ в целом оказалось значительно выше.

В реальном ОУ коэффициент усиления может достигать K = 10⁶, входное сопротивление больше 1 МОм, коэффициент ослабления синфазного сигнала Косс > 60 дБ.