Фотопроводимость полупроводников
Электропроводность
полупроводников увеличивается под
действием электромагнитного излучения.
Это явление, называемое фотопроводимостью
полупроводников,
может быть связано со свойствами, как
основного вещества, так и содержащихся
в нем примесей. В первом случае, если
энергия фотонов равна или больше ширины
запрещенной зоны (
),
могут совершаться перебросы электронов
из валентной зоны в зону проводимости
(рис. 20.17а), что приведет к появлению
добавочных электронов в зоне проводимости
и дырок в валентной зоне. В результате
возникает собственная
фотопроводимость,
обусловленная как электронами, так и
дырками.
В полупроводниках,
содержащих примеси, фотопроводимость
может возникнуть и при
:
для полупроводников с донорной примесью
фотон должен обладать энергией
,
а для полупроводников с акцепторной
примесью –
.
П
ри
поглощении света примесными центрами
происходит переход электронов с донорных
уровней в зону проводимости в случае
полупроводников n
- типа (рис. 20.17 б) или из валентной
зоны на акцепторные уровни в случае
полупроводника р-типа
(рис. 20.17 в). В результате возникает
примесная
фотопроводимость,
являющаяся чисто электронной для
полупроводников n-типа
и чисто дырочной для полупроводников
р-типа.