- •Пояснювальна записка Курсова робота з дисципліни «Матеріалознавство радіоапаратів»
- •Клеї й технологія склеювання.
- •Вибір клейового з'єднання при конструюванні бэа.
- •Клейові композиції повинні бути:
- •Основні питання, на які потрібно відповідати при виборі клеячи.
- •Кластификация клеїв.
- •Завдання №2
- •Завдання №3
- •Расчет:
- •Завдання №4
- •Завдання №5
- •Завдання №6
- •Завдання №7
- •Завдання №8
Завдання №2
Діелектрик плоского конденсатора являє собою поєднання Церезин та Ізоляторного фарфору. Побудуйте графік залежності діелектричної проникності суміші від відносного об”єму вмісту означених матеріалів від 0 до 1, якщо вони під”єднанні: а)послідовно, б)паралельно, в) розподілені хаотично
Дано: ε1 = 2,2 (церизін) ε2 = 7,0 ( Ізоляторний фарфор) N1=0-1 N2= 1-0 |
ε - ? |
Для визначення діалектричної проникності системи діелектриків
ввімкнутих паралельно використаємо рівняння Ліхтенекера:
(1)
У рівнянні (1) це відношення діелектричних проникностей суміші та компонентів N1та N2 - об’ємна концентрація причому:
N1+ N2 = 1 (2)
х – величина характеристики розподілу компонентів та приймаюча значення від +1до -1; х=+1…-1.
В даному випадку
х = +1
(3)
Причому
N2 = 1 - N1 (4)
Тоді (1) прийме вид:
N1 |
N2 |
|
0,0 |
1,0 |
ε = 7,0 - 0,0 * (2,2 - 7,0)=7 |
0,1 |
0,9 |
ε = 7,0 - 0,1 * (2,2 – 7,0)=7,48 |
0,2 |
0,8 |
ε = 7,0 - 0,2 * (2,2 – 7,0)=7,96 |
0,3 |
0,7 |
ε = 7,0 - 0,3 * (2,2 – 7,0)=8,44 |
0,4 |
0,6 |
ε = 7,0 - 0,4 * (2,2 – 7,0)=8,92 |
0,5 |
0,5 |
ε = 7,0 - 0,5 * (2,2 – 7,0)=9,4 |
0,6 |
0,4 |
ε = 7,0 - 0,6 * (2,2 – 7,0)=9,88 |
0,7 |
0,3 |
ε = 7,0 - 0,7 * (2,2 – 7,0)=10,36 |
0,8 |
0,2 |
ε = 7,0 - 0,8 * (2,2 – 7,0)=10,84 |
0,9 |
0,1 |
ε = 7,0 - 0,9 * (2,2 – 7,0)=11,32 |
1,0 |
0,0 |
ε = 7,0 - 1,0 * (2,2 – 7,0)=11,8 |
ε
7,0
7,48
7,96
8,44
8,92
9,4
9,88
10,36
10,84
11,32
11,80
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0.7 0.8 0.9 1.0
N1
1
1.0 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4
0.3 0.2 0.1 0.0
N2
Рис.1 графік залежності діелектричної проникності від співвідношення елементів складного діелектрика, якщо вони включені паралельно
б) ПОСЛІДОВНЕ
Для визначення діелектричної проникності системи діелектриків ввімкнутих послідовно використаємо рівняння Ліхтенекера:
N1+ N2 = 1
В даному випадку
х = -1
N2 = 1 - N1
N1 |
N2 |
|
0,0 |
1,0 |
ε = (2,2*7)/(7+1,0(2,2+7,0))=0,125 |
0,1 |
0,9 |
ε = (2,2*7)/(7+0,9(2,2+7,0))=0,127 |
0,2 |
0,8 |
ε = (2,2*7)/(7+0,8(2,2+7,0))=0,128 |
0,3 |
0,7 |
ε = (2,2*7)/(7+0,7(2,2+7,0))=0,130 |
0,4 |
0,6 |
ε = (2,2*7)/(7+0,6(2,2+7,0))=0,132 |
0,5 |
0,5 |
ε = (2,2*7)/(7+0,5(2,2+7,0))=0,133 |
0,6 |
0,4 |
ε = (2,2*7)/(7+0,4(2,2+7,0))=0,135 |
0,7 |
0,3 |
ε = (2,2*7)/(7+0,3(2,2+7,0))=0,137 |
0,8 |
0,2 |
ε = (2,2*7)/(7+0,2(2,2+7,0))=0,139 |
0,9 |
0,1 |
ε = (2,2*7)/(7+0,1(2,2+7,0))=0,141 |
1,0 |
0,0 |
ε = (2,2*7)/(7+0,0(2,2+7,0))=0,143 |
0,143
0,141
0,139
0,137
0,135
0,133
0,132
0,130
0,128
0,127
0,125
1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0,0 N2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 N1
Рис.2 графік залежності діелектричної проникності від співвідношення елементів складного діелектрика, якщо вони включені послідовно
в) ХАОТИЧНО
Для визначення діелектричної проникності системи діелектриків ввімкнутих хаотично використаємо рівняння Ліхтенекера, при чому в даному випадку х=0:
N1+ N2 = 1
N1 = 1 – N2
N1 |
N2 |
|
|
0,0 |
1,0 |
1,0(0,79-1,95)+1,95=0,79 |
ε =2,71 |
0,1 |
0,9 |
0,9(0,79-1,95)+1,95=0,906 |
ε = |
0,2 |
0,8 |
0,8(0,79-1,95)+1,95=1,022 |
ε = |
0,3 |
0,7 |
0,7(0,79-1,95)+1,95=1,138 |
ε = |
0,4 |
0,6 |
0,6(0,79-1,95)+1,95=1,254 |
ε = |
0,5 |
0,5 |
0,5(0,79-1,95)+1,95=1,37 |
ε = |
0,6 |
0,4 |
0,4(0,79-1,95)+1,95=1,486 |
ε = |
0,7 |
0,3 |
0,3(0,79-1,95)+1,95=1,602 |
ε = |
0,8 |
0,2 |
0,2(0,79-1,95)+1,95=1,718 |
ε = |
0,9 |
0,1 |
0,1(0,79-1,95)+1,95=1,834 |
ε = |
1,0 |
0,0 |
0,0(0,79-1,95)+1,95=1,95 |
ε = |
ε
1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0,0 N2
0 0,1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 N1
Рис.3 графік залежності діелектричної проникності від співвідношення елементів складного діелектрика, якщо вони включені хаотично.
Висновок. В ході рішення даної інженерної задачі було розраховано діелектрична проникність складного діелектрика, який складається з двох матеріалів, які включені паралельно, послідовно та хаотично. Залежності діелектричних проникностей від складу конденсатора показані на рис.1, рис.2 та рис.3.