2.2.2 Лабораторные занятия, их наименование и объем в часах.

Лабораторная работа №1.

Исследование полупроводникового диода.

Целью является ознакомление с теоретическим материалом, исследование вольтамперной характеристики диода, нахождение статического и динамического сопротивления по ВАХ.

Объем 4 часа.

Лабораторная работа № 2.

Исследование биполярного транзистора.

Целью является ознакомление с теоретическим материалом, исследование входных и выходных семейств вольтамперных характеристик биполярного транзистора.

Объем 4 часа.

Лабораторная работа №3.

Исследование работы операционного усилителя.

Целью является ознакомление с теоретическим материалом, исследование амплитудно - частотной характеристики операционного усилителя.

Объем 4 часа.

Лабораторная работа №4.

Функциональные преобразователи на операционных усилителях.

Целью является ознакомление с теоретическим материалом, исследование работы интегратора, дифференциатора, логарифмического преобразователя, антилогарифмического преобразователя, исследование фильтров низкой и высокой частоты.

Объем 4 часа.

Лабораторная работа №5.

Определение методической погрешности измерения.

Целью является ознакомление с теоретическим материалом, замеры электрических величин по заданной схеме, расчет методической погрешности измерения.

Объем 4 часа.

Лабораторная работа №6.

Изучение электроизмерительных приборов.

Целью является ознакомление с теоретическим материалом, определение по прибору системы прибора, рода измеряемого тока, цены деления, чувствительности, класса точности, рабочего положения, электроизоляции.

Объем 4 часа.

Лабораторная работа №7.

Определение коэффициента мощности.

Целью является получение коэффициента мощности разными способами (прямым, косвенным, альтернативным).

Объем 4 часа.

Лабораторная работа №8.

Поверка счетчика электрической энергии однофазного переменного тока.

Целью является ознакомление с устройством индуктивного счетчика однофазного переменного тока и данными на его щитке и поверка счетчика.

Объем 4 часа.

2.2.3 Практические занятия (семинарские), их содержание и объем в часах.

Раздел 1. Основы физики полупроводников.

Тема 1. Изучение и расчет h – параметров биполярных транзисторов (практическое занятие) – 4 ч.

Вопросы к теме:

1. Эквивалентные Т – образные схемы замещения транзистора, включенного по схеме с общей базой и генератором ЭДС и транзистора, включенного по схеме с общей базой и генератором тока.

2. Эквивалентная Т – образная схема замещения транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и генератором тока.

3. Система h – параметров.

Раздел 2. Основные усилительные каскады

Тема 2. Графоаналитический метод расчета резистивного усилителя на БП транзисторе (практическое занятие) – 4 ч.

Вопросы к теме:

1. Требования, предъявляемые к усилителям и их основные характеристики (амплитудно – частотная, переходная, амплитудная).

2. Искажения в усилителях (линейные, нелинейные).

3. Схема однокаскадного резистивного усилителя на биполярном транзисторе.

Тема 3. Аналитический метод расчета резистивного усилителя на БП транзисторе (практическое занятие) – 4 ч.

Вопросы к теме:

1. Схемы коллекторной и эмиттерной температурной стабилизации.

2. Схемы с фиксированным базовым током и с фиксированным напряжением база- эмиттер.

3. Эквивалентная схема усилительного каскада