- •1. Стислі теоретичні відомості
- •2. Генератор імпульсів г5-54
- •3.1. Технічні дані осцилографа с1-55
- •3.2. Принцип дії приладу осцилографа с1-55
- •3.3. Органи управління та регулювання осцилографа
- •3.4. Вимір часових інтервалів
- •3.6. Вимір амплітуди досліджуваних сигналів
- •4. Порядок виконання роботи
- •6. Контрольні завдання та запитання
- •2. Порядок виконання роботи
- •4. Контрольні запитання та завдання
- •1. Стислі теоретичні відомості
- •2. Порядок виконання роботи
- •4. Контрольні запитання та завдання
- •В статичному режимі та в режимі підсилення
- •1. Стислі теоретичні відомості
- •2. Порядок виконання роботи
- •4. Контрольні запитання та завдання
- •Лабораторна робота 5 дослідження часових характеристик та параметрів біполярних транзисторів
- •1. Стислі теоретичні відомості
- •2. Порядок виконання роботи
- •2. Порядок виконання роботи
- •4. Контрольні запитання та завдання
- •Дослідження статичних характеристик
- •1. Стислі теоретичні відомості
- •2. Порядок виконання роботи
- •4. Контрольні запитання та завдання
- •Цифрових інтегральних мікросхем
- •1. Стислі теоретичні відомості
- •2. Порядок виконання роботи
- •4. Контрольні запитання та завдання
- •Список літератури
- •Лабораторні роботи 1–8
4. Контрольні запитання та завдання
Перечисліть основні динамічні параметри логічних ІМС.
Чим обмежується швидкодія ІМС?
Як класифікують ЦІС за швидкодією?
Чому емітерно-пов'язана логіка має високу швидкодію?
Намалюйте принципову схему та поясніть принцип дії інтегрального логічного елемента на МОН-транзисторах з динамічним навантаженням.
Як реалізується логічна операція І – НІ за допомогою КМОН-логіки?
Порівняйте за швидкодією логічні елементи, виконані на МОН-транзисторних ключах з резистивним навантаженням, з динамічним навантаженням та на КМОН-структурах.
Чому перехід від р-канальних МОН-схем до n-канальних дозволив в 2–3 рази збільшити швидкодію ЦІС?
Назвіть експлуатаційні параметри цифрових ІМС.
Список літератури
1. Медведенко Б. І. Електронні прилади: Навч.посібник. – К.: КМУЦА, 1999. – 168 с.
2. Руденко В. С., Ромашко В. Я., Трифонюк В. В. Промислова електроніка: Підручник. – К.: Либідь, 1993. – 432 с.
3. Жеребцов И. П. Основи электроники. – 5-е изд., перероб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат, 1989. – 352 с.
4. Гершунский Б. С. Основы электроники и микроэлектроники – 3-е изд. перераб. и доп. – Вища шк., 1987. – 422 с.
5. Транзисторы для для аппаратуры широкого примененя: Справочник /Под ред. Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1999. – 730 с.
6. Интегральные микросхемы: Справочник /Под ред. Б.В. Тарабрина. – М.: Радио и связь, 1984. – 528 с.
7. ДСТУ 2332-93 Діоди напівпровідникові. Терміни, визначення, та літерні позначення електричних параметрів.
8. ДСТУ 2307-93 Транзистори біполярні. Терміни, визначення та літерні позначення електричних параметрів.
9. ДСТУ 2173-93 Транзистори польові. Терміни, визначення та літерні позначення електричних параметрів.
10. ДСТУ 2449-94 Прилади напівпровідникові. Терміни та визначення.
11. ДСТУ 2306-93 Мікросхеми інтегральні. Терміни та визначення.
12. ДСТУ 2383-94 Мікросхеми інтегральні. Терміни, визначення та літерні позначення електричних параметрів.
13. ДСТУ 3212-95 Мікросхеми інтегральні. Класифікація та система умовних позначень
14. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. – М.: 1999. – 420 с.
ЗМІСТ
ЗАГАЛЬНІ МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ....................................…...........................3
Лабораторна робота 1.
Вивчення функціональних можливостей і придбання навичок роботи з електронними вимірювальними приладами...............................................4
Лабораторна робота 2.
Дослідження перехідних процесів в напівпровідниковому діоді .....................18
Лабораторна робота 3.
Дослідження напівпровідникових стабілітронів .........................................29
Лабораторна робота 4.
Дослідження біполярних транзисторів в статичному режимі та в режимі підсилення..............................................38
Лабораторна робота 5.
Дослідження часових характеристик та параметрів біполярних транзисторів.......50
Лабораторна робота 6.
Дослідження характеристик та параметрів польових транзисторів.........61
Лабораторна робота 7.
Дослідження статичних характеристик та параметрів цифрових інтегральних мікросхем..............................................81
Лабораторна робота 8.
Дослідження динамічних параметрів цифрових інтегральних мікросхем.........93
СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ..........................................................106
Навчально-методичне видання
АКТИВНІ КОМПОНЕНТИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ