49. Планування цехів і особливості виробничих процесів проведення гальванічних покрить металічних поверхонь деталей.

Технологічне планування дільниці, цеху – графічний документ, що визначає розміщення підрозділів підприємства і засобів виробництва.

Технологічне планування повинне забезпечувати найбільш раціональне використання виробничих площ і найбільш раціональне розміщення обладнання з точки зору зручності його обслуговування і роботи на ньому.

Основні завдання, що повинні вирішуватись при розробленні технологічного планування:

       здійснення оптимального розподілення виробничих площ;

       найбільш раціональне розміщення обладнання;

       скорочення віддалей переміщення матеріалів, заготовок, виробів.

На технологічному плануванні дільниці повинні бути показані:

       будівельні елементи: колони, стіни, перегородки, дверні і віконні пройоми і т.д.;

       границі цехів, дільниць;

       розміщення виробничих підрозділів;

       розміщення виробничого обладнання;

       робочі місця робітників чи операторів;

       прив'язка обладнання до дільниці приміщення – стін, колон і т.д.;

       проходи і проїзди;

       місця складування комплектуючих виробів і готової продукції;

       місця підведення вентиляції, води, стиснутого повітря і ін.;

       підйомно-транспортні засоби.

На технологічному плануванні дільниці показують також основні розміри споруди (довжина, ширина будівлі, віддаль між колонами).

При необхідності на плануванні можуть бути показані вертикальні перерізи споруди.

50. Механічне кріплення керамічних виробів один з одним,

забезпечення електричних контактів і виконання електричних кіл здійснюється головним чином шляхом нанесення на по­верхню кераміки металічного слою — металізація. Ме­талічний шар повинен бути міцно зчепленим з керамікою, високу електричну провідність, легко паятись і не змі­нювати свого хімічного складу у процесі експлуатації виробу.

В радіотехнічній промисловості використовують наступний спосіб нанесення металічних слоїв на кераміку: катодним розпилом, металізація, хімічний опад металів з водних розчинів, електролітичний опад металів на попередньо нанесений струмопровідний шар, ультразвуко­ве луження, вакуумне випаровування, впалювання.

Найбільш розповсюджений спосіб металізації кераміки є впалювання срібла. В останні роки почали використовувати впалювання сумішей, які складалися з тонкодисперсних металічних порошків і хімічних з'єднань металів. Металізація кера­міки методом впалювання срібла використовують при виготовленні печатних плат (див. гл. XIV).

51. Організація контролю якості та забезпечення стабільності технологічного процесу при нанесенні тонких плівок у вакуумі.

Процес нанесення тонких плівок в вакуумі складається з утворення (генерації) потоку частинок, направлених в бік оброблюваної підкладки, і наступній їх конденсації з утворенням тонкоплівкових шарів на поверхні на яку наноситься плівка.

Таким чином, при нанесенні тонких плівок одночасно відбувається три основних процеси:

- генерація направленого потоку частинок (атомів, молекул) речовини, що осаджується;

- пробіг частинок в розрідженому (вакуумному просторі) від їх джерела до оброблюваної поверхні;

- осадження (конденсація) частинок на поверхню з утворенням тонкоплівкових шарів.

Вакуумна установка для нанесення тонких плівок складається з наступних основних елементів: джерела генерації потоку частинок осаджуваного матеріалу; вакуумної системи, що забезпечує необхідні умови для проведення ТП; транспортно-позиціювальних пристроїв, що забезпечують ввід підкладок в зону нанесення плівок і орієнтація оброблюваних поверхонь відносно потоку частинок матеріалу, що наноситься.

При нанесенні тонких плівок в вакуумі застосовують два основних методи генерації потоку частинок: термічне випаровування і іонне розпилення.

Вплив вакууму на процес нанесення тонких плівок. Чим нижчий вакуум і чим більше в залишковій атмосфері вакуумної камери домішок активних газів, тим сильніший їх негативний вплив на якість утворюваних плівок, а також на продуктивність процесу.

Процес нанесення тонких плівок в вакуумі складається з наступних основних операції:

-установки та закріплення підлягаючих обробці підложок на підложкотримачі при піднятому ковпаку;

-зачиненні робочої камери і відкачки її до потрібного вакууму;

-ввімкнення джерела, яке утворює молекулярний потік осаджуємої речовини;

-нанесення шару визначеної товщини при постійно працюючих джерелі потоку часток і вакуумній системі;

-вимкнення джерела потоку часток, охолодження підложок і напуску повітря в робочу камеру до атмосферного тиску;

-підйомі ковпака і зніманні оброблених підложок з підложкотримача.При нанесенні тонких плівок використовують два метода генерації потоку часток у вакуумі: термічне випаровування та іонне розпилення.

Метод термовакуумного напилення використовують в основному для отримання однокомпонентних плівок з чистих металів.

Забезпечення високого вакууму

Чим нижчий вакуум і чим більше в залишковій атмосфері вакуумної камери домішок активних газів, тим сильніший їх негативний вплив на якість утворюваних плівок, а також на продуктивність процесу.