Література

1. L. Zhang , S. Z. Qiao, Y. G. Jin, Z. G. Chen, H. C. Gu, G. Q. Lu Magnetic hollow spheres of periodic mesoporous organosilica and Fe₃O₄ nanocrystals: fabrication and structure control // Advanced Materials. – 2008. – V.20. – N4. – P.805-809.

2. A. A. Eliseev, LV. Kolesnik, A.V. Lukashin, Yu.D. Tretyakov Mesoporous systems for the preparation of ordered magnetic nanowire arrays // Advanced Engineering Materials. – 2005. – V.7. – N4. – P.213-217.

3. R.P. Cowburn, D.K. Koltsov, A.O. Adeyeye, M.E. Welland Designing nanostructured magnetic materials by symmetry//Europhys. Lett. – 1999. – V.48. – N.2. – P.221-227.

4. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц К теории дисперсии магнитной проницаемости ферромагнитных тел/Ландау Л.Д. Собрание трудов. Т. 1. – М.:Наука, 1969. – С. 128-143.

5. Браун У. Ф. Микромагнетизм. М.: Наука, 1979. – 160 с.

6. Усов Н.А. Микромагнетизм мелких ферромагнитных частиц, наноструктур и аморфных проводов. Дисс. докт. ф.-м. наук Троицк: Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований, 2000. – 253 с.

Крюкова Л.В.

магістр фізичного факультету ЗНУ

Наук. кер.: Синьоокий В.М.

Дослідження характеристик іс перетворювачів логічних рівнів напруг ттл-епл і епл-ттл та шляхи їх удосконалення

Зростання швидкодії та зменшення споживаної потужності сьогодні визначають тенденції розвитку обчислювальної техніки, зокрема ПОМ.

Проблемним питанням в цьому контексті залишаються досягнуті характеристики оперативних запам’ятовуючих пристроїв (ОЗП).

Домінування в ОЗП динамічних елементів пам’яті на польових транзисторах, обумовлене стрімким зростанням ємності ОЗП, обмежило їх швидкодію за рахунок регенерації інформації. Тоді як надоперативні запам’ятовуючі пристрої (НОЗП – регістри, лічильники) відзначаються швидкодією, відповідною процесору, і реалізовані на статичних елементах пам’яті.

Дослідження складових швидкодії ІС ОЗП на біполярних транзисторах відповідно з зазначеними вище тенденціями дозволило виявити значний резерв швидкодії за рахунок модернізації ІС перетворювачів логічних рівнів напруг ТТЛ-ЕПЛ та ЕПЛ-ТТЛ. Такі перетворювачі були використані в ІС ОЗП серії 185 РУ і мають забезпечити швидкодію довільного вибору адресу одиниці наносекунд в технології ізопланар з діодами Шоткі.

Література

1. Колонтаєвський Ю.П. Промислова електроніка та мікросхемотехіка: навч. Посібник. К.: Каравела. – 2003.

2. Стахів П.Т. Основи електроніки: функціональні елементи та їх застосування. Л.:Навч. світ. - 2003.

Кудінова Олена

магістр фізичного факультету ЗНУ

Наук. кер.: д. ф.-м. н., професор Гіржон В.В.

Ідентифікація ікосаедричних квазікристалів

З відкриттям квазікристалів з’явилася і проблема їх ідентифікації. Для описання квазікристалічної ікосаедричної фази використовують тривимірне описання, як і для звичайних кристалічних фаз. Проте абсолютної аналогії існувати не може, оскільки вісь п’ятого поряду є забороненою з точки зори класичної кристалографії, що і спричиняє певні труднощі при дешифровці дифракційної картини від квазікристалічних фаз.

Точкові групи ікосаедричної симетрії не узгоджуються з трансляційною періодичністю і не відносяться до 32 кристалографічних точкових груп. Проте при відсутності трансляційної інваріантності вони мають дальній позиційний порядок, що дозволяє формувати велику кількість вузьких та інтенсивних максимумів на дифракційних картинах. У зв’язку з цим метою роботи було встановлення алгоритму ідентифікації ікаедричної квазікристалічної фази методом рентгенівського аналізу [1].

Ікосаедричні групи мають шість осей п’ятого порядку, 10 осей третього порядку і 15 осей другого порядку. Досліджувалась найпростіша кубічна система координат, у якій осі розташовувались вздовж набору трьох ортогональних осей другого порядку ікосаедричної групи. Кубічний базис складався з трьох базисних векторів, які вибирались уздовж осей другого порядку, що проходили через ортогональні осі другого порядку [2].

Враховуючи еквівалентність основних напрямків X,Y,Z, знаходилися індекси восьми граней, а за відомими стереографічними проекціями визначалися індекси інших шести граней та напрямків осей другого та п’ятого порядку. За отриманими індексами формувалася таблиця значень, необхідних для побудови теоретичної штрих - дифрактограми і визначалися кути відбиття від цих площин та напрямків. Приблизний рівень інтенсивності усіх відбиттів можна розрахувати за умови, що він буде включати в себе множник повторюваності P для граней і напрямків в ікосаедрі, множник Qc, який є оберненим до інтенсивності і визначає відстань від плями в шестивимірному оберненому просторі до січної площини, а також кутовий множник F(θ). Поклавши в основу ці положення, будувалися графіки можливої поведінки штрих - дифрактограм для визначених кутів.

Теоретичні штрих - дифрактограми дали можливість візуального порівняння отриманих експериментальних даних та призвели до спрощення ідентифікації ікосаедричних квазікристалічних фаз.