3.3.2.3. Некоторые зависимости, определяющие работу мдп-транзистора

Как показано в [1], зависимость тока стока от U_с-и и U_з-и достаточно точно описывается следующим уравнением

, (3.1)

где b – удельная крутизна транзистора, находится как [мА/В²].

Для значений U_с-и меньше, чем напряжения стока насыщения U_сн, что соответствует начальному крутому участку выходной ВАХ (рис. 3.15) вторым слагаемым в скобках формулы (3.1) можно пренебречь и тогда ток стока

. (3.2)

Следовательно, до точки насыщения при постоянном U_з-и ВАХ имеет приблизительно линейный характер. Сопротивление канала на этом участке

.

Для пологих участков (после точки насыщения), учитывая, что , и подставляя его в (3.1), получим

. (3.3)

График этой зависимости представлен на рис. 3.14.

3.3.2.4. Обозначение и схемы включения

МДП-транзисторов

Полевые транзисторы могут включаться по схеме общий исток, общий сток и общий затвор. Однако на практике третий вариант включения не нашел применения. В усилителях напряжения и мощности транзистор включается по схеме общий исток и общий сток (рис. 3.18,а,б).

Схема усилителя общий исток (рис. 3.18,а) выполнена на МДП-тран-зисторе со встроенным n-каналом (р-подложкой), а схема усилителя с общим стоком (рис. 3.18,б) выполнена на МДП-транзисторе со встроенным р-каналом (n-подложкой). Поэтому напряжение питания Е_п имеет разную полярность, а тип канала (подложки) указаны стрелкой. МДП-тран-зисторы с индуцируемым каналом чаще всего используются в схемах электронных ключей (рис. 3.19,а,б).

На рис. 3.19,а представлен электронный ключ на МДП-транзисторе с индуцированным каналом n-типа (р-подложка), а на рис. 3.19,б – электронный ключ на МДП-транзисторе с индуцированным каналом р-типа (n-подложка). В первом случае напряжение питания +Е_п и напряжение на затворе U_вх тоже имеет потенциал + относительно истока, а во втором случае – Е_п и – U_вх. Тип канала (подложки) определяется на схемах направлением стрелки.