4 Оценка влияния емкости нагрузки на параметры цимс

Ёмкость нагрузки ИМС с одной стороны может увеличить t_{ЗД.Р.СР..}, а также увеличить Р_ПОТР. Последний эффект для ТТЛ ИМС имеет место только при относительно высоких частотах переключения (свыше 1 МГц для большинства ЦИМС).

Более подробно о влиянии С_Н на Р_ПОТР для ТТЛ ИМС рассмотрено в [3, раздел 2.18], а для КМДП ИМС [3, раздел 3.1]

В справочниках t_{ЗД.Р.СР.} указывается для конкретного U_П и ёмкости нагрузки С_Н. Обычно в качестве С_Н указывается значение 15 или 50 пФ. Первое значение (15 пФ) справедливо для входных и промежуточных ИМС в составе какого-либо цифрового устройства. В этом случае ёмкостью нагрузки ИМС служит ёмкость коротких соединительных линий и входная ёмкость следующих каскадов. Общая емкость в этом случае не превышает 15 пФ.

Для выходных ИМС соединительные выходные линии обычно гораздо длиннее и ёмкость нагрузки увеличивается до 50 пФ и более.

Такое увеличение С_Н приводит к увеличению t_ЗД.Р.СР примерно в 1,7 - 2 раза для ТТЛ, ТТЛШ ИМС [3, раздел 2.18]

Для КМДП схем серий 561, 564, 1561 увеличение С_Н с 15 до 50 пФ приводит к увеличению t_ЗД.Р.СР примерно в 1.5 - 1.7 раза при U_П=15В, в 1.7-2.0 раза при U_П=10 В и в 2.0- 3.5 раза при U_П=5 В[3, раздел 3.1].

Для КМДП ИМС серий 1554 и 1564 изменение С_Н от 15 до 50 пФ практически не влияет на t_ЗД.Р., оно увеличивается всего на 5-10 .

Рисунок 1 -Усредненная зависимость t_ЗД.Р.=f(U_П) для простейших КМДП ЦИМС

При дальнейшем увеличении С_Н для этих серий t_ЗД.Р. увеличивается более быстрыми темпами. Так, увеличение С_Н от 50 до 150 пФ вызывает увеличение t_ЗД.Р. примерно в 1.5 раза.

Учитывая слабое влияние изменения емкости до 50 пФ на t_ЗД.Р., этот параметр для серий 1554 и 1564 в справочниках приводится обычно для С_Н = 50 пФ.

5 Совместное использование ттл и кмдп цимс

В ряде случаев приходится использовать в одном цифровом устройстве и ТТЛ (ТТЛШ) ЦИМС, и КМДП. При совместном использовании могут быть реализованы 2 варианта.

1 Единое напряжение питания (+5 В) для обоих типов ИМС. В этом случае особых проблем не возникает. В варианте ТТЛ - КМДП для обеспечения необходимого режима по выходу ТТЛ ИМС используются дополнительный резистор с номиналом 560 Ом 2 кОм (рисунок 2,а). Для варианта КМДП - ТТЛ выход КМДП ИМС непосредственно подсоединяется ко входу ТТЛ ИМС (рисунок 2,б).

2 Если же КМДП и ТТЛ ИМС питаются от отдельных источников питания, то для сопряжения этих ИМС необходимо использовать преобразователи уровня (ПУ) для перехода от ТТЛ к КМДП ИМС или наоборот (рисунок 3, а и б). В качестве ПУ могут использоваться К564ПУ4, К564ПУ7, К564ПУ8 и др. ПУ могут быть как повышающего, так и понижающего типов.

Рисунок 2- Совместное использование ТТЛ и КМДП ИМС с одним источником питания

Рисунок 3 - Совместное использование ТТЛ и КМДП ИМС при раздельном питании

Примечание: Некоторые преобразователи уровня при использовании их в варианте КМДП- ТТЛ (рис. 3, б) могут работать с одним источником питания

+5 В, при этом питание предшествующих КМДП ИМС может быть до +15В.

Наилучший вариант совместной работы КМДП и ТТЛ ИМС- использование серий 1564 и 1554 с напряжением питания +5 В. Эти серии специально разрабатывались для совместного использования с ТТЛ ИМС, а также для использования вместо ТТЛ ИМС.