- •Цифровые интегральные микросхемы ттл, ттлш, кмдп
- •2 Обозначения терминов и параметров цимс
- •3 Основные типы цимс и их параметры
- •Цимс ттл.
- •Цимс ттлш:
- •4 Оценка влияния емкости нагрузки на параметры цимс
- •5 Совместное использование ттл и кмдп цимс
- •6 Функциональное назначение ттл и ттлш цимс
- •7 Параметры ттл и ттлш цимс
- •8 Функциональное назначение
- •9 Параметры кмдп цимс
- •Литература
- •Часть 1 и 2- м. бином 1993.
2 Обозначения терминов и параметров цимс
В различных изданиях справочной литературы используются обозначения, утвержденные отечественными стандартами, а также международные обозначения. Ниже в таблице 1 приведены названия и обозначения основных терминов и параметров.
Таблица 1
Термин или параметр |
Обозначение |
|
|
Россия |
Международные |
Состояние низкого уровня |
0 |
L (от слова Low-низкий) |
Состояние высокого уровня |
1 |
H (от слова High-высокий) |
Третье состояние |
Z |
Z |
Входное напряжение |
UВХ |
UI (от слова Input - вход) |
Входное напряжение низкого, высокого уровня |
U0ВХ, U1ВХ |
UI L , UI H |
Выходное напряжение |
UВЫХ |
UО (от слова output-выход) |
Выходное напряжение низкого, высокого уровня |
U0ВЫХ, U1ВЫХ |
UOL , UOH |
Входной ток при низком, высоком уровне сигнала на входе |
I0ВХ, I1ВХ |
II L, II H |
Выходной ток при низком, высоком уровне на выходе |
I0ВЫХ, I1ВЫХ |
IOL, IOH |
Напряжение питания |
UП |
UCC |
Ток потребления |
IПОТР |
ICC |
Ток потребления при состоянии низкого уровня на выходе |
I0 ПОТР |
ICCL |
Ток потребления при состоянии высокого уровня на выходе |
I1 ПОТР |
ICCН |
Мощность, потребляемая ИМС при состоянии низкого уровня на выходе |
P0 ПОТР = I0 ПОТРUП |
PCCL=ICCL UCC |
Мощность, потребляемая ИМС при состоянии высокого уровня на выходе |
P0 ПОТР = I1 ПОТР UП |
PCCН= ICCН UCC |
Средняя мощность потребления |
PПОТР.СР.= =1/2(P0ПОТР.+P1ПОТР.) |
РСС= =1/2(PCCL+PCCH) |
Время задержки распространения при переходе ИМС из состояния низкого уровня на выходе в состояние высокого уровня |
t0,1ЗД.Р. |
tPLH (p-от слова propagation-распространение) |
Время задержки распространения сигнала при переходе ИМС из состояния высокого уровня на выходе в состояние низкого уровня |
t1,0ЗД.Р. |
tPLH |
Продолжение таблицы 1
Среднее время задержки распространения сигнала |
tЗД.Р.СР.= =1/2(t1,0ЗД.Р.+t0,1ЗД.Р.) |
tP=1/2(tPLH+tPHL)
|
Время задержки распространения сигнала при переходе ИМС из состояния низкого уровня на выходе в третье состояние |
t0,3ЗД.Р. |
tPLZ |
Время задержки распространения сигнала при переходе ИМС из состояния высокого уровня на выходе в третье состояние |
t1,3ЗД.Р. |
tPHZ |
Время задержки распространения сигнала при переходе ИМС из третьего состояния на выходе в состояние низкого уровня |
t3,0ЗД.Р. |
tPZL |
Время задержки распространения при переходе ИМС из третьего состояния на выходе в состояние высокого уровня |
t3,1ЗД.Р. |
tPZH |