- •220000 – «Автоматика и управление»,
- •220201 - «Управление и информатика в технических системах
- •Введение
- •1. Краткие теоретические сведения
- •1.1.Статические состояния ключа "оэ".
- •1.1.1.Режим отсечки
- •1.1.2. Нормальный активный режим
- •1.1.3. Режим насыщения
- •1.1.4. Выводы
- •1.2.Переходные процессы в ключе "оэ" при управлении от источника тока
- •1.2.1.Сущность метода заряда
- •1.2.2. Переходная характеристика транзистора
- •1 Ек eвх(t) Uвых(t) vt Rб1 .2.3. Переходные процессы в насыщенном ключе
- •1.2.4. Выводы.
- •1.3. Методы повышения быстродействия ключа
- •1.3.1. Оптимизация формы управляющего сигнала с помощью ускоряющего конденсатора
- •1.3.2.Применение нелинейной оос
- •1.3.3. Выводы.
- •2. Программа работы.
- •2.1. Рабочее задание
- •2.2. Методические указания по выполнению лабораторной работы
- •2.3. Содержание отчета
- •3. Контрольные вопросы
- •Литература
2.3. Содержание отчета
В отчет по лабораторной работе необходимо включить:
1. Электрические принципиальные схемы исследованных ключей.
2. Протокол результатов измерения τβэ , τβ , β , Ск.
3. Экспериментальные зависимости по п.п. 3.1.6, 3.1.9. и 3.1.10.
4. Расчетные зависимости tф1 = f1 (S1); tр = f 2(S1). Эти графики совместить с экспериментальными данными по п. 3.1.9. Объяснить возможные расхождения результатов расчета и эксперимента.
3. Контрольные вопросы
В каких режимах может находиться транзистор в ключе "ОЭ" ? "ОБ"? "ОК"?
Как обеспечить режим отсечки в ключе на германиевом и кремниевом транзисторе ?
Чем отличаются статические режимы насыщенного и ненасыщенного ключа ?
Что такое коэффициент насыщения и каков его физический смысл ?
Нарисуйте эквивалентную схему ключа "ОЭ" в режиме отсечки и в режиме насыщения.
Что такое переходная характеристика транзистора ?
Почему в насыщенных ключах появляется избыточный заряд неосновных носителей в цепи базы ? От чего зависит величина этого заряда ?
В схеме рис. 18 транзистор насыщен. Как изменится коэффициент насыщения, если величину резистора в цепи базы увеличить ? Уменьшить ?
Как изменится коэффициент насыщения транзистора в схеме на рис.18, если величину резистора в цепи коллектора увеличить ? Уменьшить ?
Каким образом можно повысить быстродействие ключа на рис.18 ?
Почему ступенчатая форма управляющего тока базы является оптимальной ?
Объяснить назначение элементов схемы ключа на рис. 19.
Как выбрать емкость ускоряющего конденсатора в схеме на рис. 19 ?
Объясните принцип действия нелинейной обратной связи в схеме ключа на рис. 20. Почему в цепи ОС лучше использовать диод Шоттки?
Литература
1.Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов.- М.: Горячая Линия – Телеком, 2000. – с.383-400.
ISBN 5-93517-002-7
2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М.. Электроника: Учеб. Пособие для приборостроит. спец. вузов.-2-е изд., перераб. и доп.- М.: Высш. шк. 1991. -с.505-522
ISBN 5-06-000681-6
3. Степаненко И.П.. Основы микроэлектроники. Учебное пособие для вузов.. – М; Советское радио, 1980.