3 История
Год |
Месяц |
Что было изобретено, разработано, внедрено |
1955 |
|
изобретение памяти на магнитных сердечниках, использующей сходный с MRAM, способ чтения и записи информации. |
1989 |
|
учёные IBM сделали ряд ключевых открытий о «гигантском магниторезистивном эффекте» в тонкоплёночных структурах. |
1995 |
|
Motorola (в дальнейшем Freescale) начинает разработку MRAM. |
2004 |
Июнь |
Infineon анонсирует 16-Мбит опытный образец, основанный на 0,18 мкм технологии. |
|
Сентябрь |
MRAM становится стандартным продуктом в Freescale, которая начала испытывать MRAM. |
|
Октябрь |
Тайваньские разработчики MRAM печатают 1 Мбит элементы на TSMC |
2005 |
Январь |
рекорд MRAM: Ячейка памяти работает на 2 ГГц |
|
Март |
Cypress продаёт дочернюю компанию MRAM |
|
Ноябрь |
Renesas Technology и Grandis сотрудничают в Разработке 65 нм MRAM, применяя вращательно-крутящее перемещение. |
|
Декабрь |
Sony представляет первую лабораторию производящую вращательно-крутящее-перемещение MRAM, которая использует вращательно-поляризованный ток через туннельный магниторезистивный слой, чтобы записать данные. Этот метод более энергоэффективен и более расширяем, чем обыкновенная MRAM. C дальнейшими преимуществами в материалах, этот процесс должен позволить плотности, большие, чем те, что возможны в DRAM. |
Таблица 1 − История развития MRAM
Заключение
Предполагается использовать память MRAM в таких устройствах как:
Аэрокосмические и военные системы
Цифровые фотоаппараты
Ноутбуки
Смарт карты
Мобильные телефоны
Сотовые базовые станции
Персональные компьютеры
Для замены SRAM с питанием от аккумуляторной батареи
Специальные устройства для регистрации данных (чёрные ящики)
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Силикаев С.И. Виды внешних запоминающих устройств: учебное пособие / С.И. Силикаев – М.: Изд-во Просвещение, 2003. – 178 с.
2. Кетков Ю.Л. Персональный компьтер: энциклопедия / Ю.Л. Кетков, А.Ю. Кетков, Д.Е. Шапошников – М.: Изд-во Дрофа, 1997. – 439 с.