Вольт-амперные характеристики мдп-транзисторов

Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора со встроенным каналом n-типа I_c =f(U_си) показаны на рис. 6б.

При U_зи=0 через прибор протекает ток, определяемый исходной проводимостью канала. В случае приложения к затвору напряжения U_зи0 поле затвора оказывает отталкивающее действие на электроны – носители заряда в канале, что приводит к уменьшению их концентрации в канале и проводимости канала. Вследствие этого стоковые характеристики при U_зи0 располагаются ниже кривой, соответствующей U_зи=0.

При подаче на затвор напряжения U_зи0 поле затвора притягивает электроны в канал из полупроводниковой пластины (подложки) р-типа. Концентрация носителей заряда в канале увеличивается, проводимость канала возрастает, ток стока Iс увеличивается. Стоковые характеристики при U_зи0 располагаются выше исходной кривой при U_зи=0.

Стоко-затворная характеристика транзистора со встроенным каналом n-типа I_c=f(U_зи) приведена на рис. 6б.

Стоковые (выходные) характеристики I_c=f(U_си) и стоко-затворная характеристика

I_c = f(U_зи) полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа приведены на рис. 6б, 6в.

Отличие стоковых характеристик заключается в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряжения U_си. Ток I_c = 0 при U_си=0, в то время как в транзисторе со встроенным каналом для этого необходимо изменить полярность напряжения на затворе относительно истока.

Рис. 6. Семейство стоковых характеристик (б);

стоко-затворная характеристика (в)

Основные параметры мдп-транзисторов

Параметры МДП-транзисторов аналогичны параметрам полевых транзисторов с

р-n-переходом.

Что касается входного сопротивления то МДП-транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с р-n-переходом. Входное сопротивление у них составляет r_вх =1012…1014 Ом.

Порядок выполнения работы

1. Нажатием кнопки «Тип прибора» подключить к измерительной схеме исследуемый полевой транзистор (5);

2. Установить Еоп=+12 В;

3. Переключить кнопкой, расположенной у дисплея мультиметра ► в режим, отображающий значения напряжения база-эмиттер Е2;

4. Установить напряжение на втором затворе E2=8 В;

5. Провести измерения при пяти значениях напряжения на базе Е1 выбираемых самостоятельно из диапазона 0,6-2,0 В, для этого:

5.1. установить выбранное значение E1;

5.2. переключить кнопкой ◄, расположенной у дисплея мультиметра, в режим, отображающий ток I3 и напряжение Е3;

5.3. прокручивая ручку потенциометра Е3, добиться появления на экране «точки максимума» (таких значений напряжения и тока, которые будут удовлетворять условию:

Р=I3·E3<20 мВт

где - мощность, рассеиваемая на коллекторе;

5.4. изменяя значение напряжения по убыванию с шагом 0,5 В, снять зависимость тока коллектора I3 от напряжения коллектора Е3 (при этом необходимо постоянно контролировать уровень напряжения на базе Е1 переключением кнопок у дисплея мультиметра ◄ ►);

6. По полученным значениям построить семейство выходных характеристик полевого транзистора (по оси ординат (Y) – ток I3; по оси абсцисс – напряжение Е3 (X));

7. Уменьшить в два раза напряжение на втором затворе E2;

8. Повторить исследования пункта 5 настоящего руководства;

9. Сравнить полученные в ходе работы результаты.