- •Расчёт усилителей на биполярных транзисторах
- •Введение
- •1. Исходные данные к курсовой работе
- •2.Расчет усилительного каскада
- •2.1 Выбор режима работы транзистора
- •2.2 Расчет делителя в цепи базы
- •2.3 Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
- •2.4 Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора
- •2.5 Расчет основных параметров каскада
- •2.6 Оценка нелинейных искажений каскада
- •2.7 Выбор резисторов и конденсаторов
- •Заключение
- •Список литературы
2.4 Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора
Рис 6. Схема замещения Джиаколетто.
Рассчитаем физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения
биполярного транзистора (рис. 6). Эта схема известна также в литературе под названиями «гибридная схема замещения» и «схема замещения Джиаколетто».
Напряжение коллектор-база в рабочей точке UКБ рт рассчитаем по формуле:
UКБ рт = E – IК ртRК – (IК рт +IБ рт)RЭ – UБЭ РТ=
=
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база UКБ = UКБ рт:
=
где – емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база UКБ = .
Значения и взяли из справочника, причем значение – из той же строки справочника, что и (колонка «Режимы измерения»).
Выходное сопротивление транзистора
=
Сопротивление коллекторного перехода транзистора
=
Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока эмиттера
[Ом]=
Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока базы
=
Сопротивление базы транзистора
rб=
Диффузионная емкость эмиттерного перехода
=
где fгр – граничная частота коэффициента передачи тока
fгр = 5МГц
Крутизна транзистора
= (А/В)
2.5 Расчет основных параметров каскада
Коэффициент усиления по напряжению
=
Коэффициент усиления по току
=
Коэффициент усиления по мощности
=
Входное сопротивление каскада
=
Выходное сопротивление каскада
=
2.6 Оценка нелинейных искажений каскада
Построим нагрузочную прямую по переменному току, которая будет проходить через рабочую точку и точку B (рис. 3) с напряжением
UB = UКЭ рт+IК рт (RК||RН)=
Оценим максимальную амплитуду выходного напряжения каскада UВЫХ m с учетом «подтягивания» рабочей точки к ближайшей выходной характеристике. Максимальная амплитуда UВЫХ m будет равна меньшему из двух напряжений: напряжения в рабочей точке UКЭ рт и разности напряжений UB – UКЭ рт (рис. 2).
UВЫХ m = UB – UКЭ РТ = 8 – 5 = 3 В
Рис.7. Выходная характеристика транзистора.
Построим сквозную характеристику каскада – зависимость тока коллектора iК от напряжения база-эмиттер uБЭ, для чего предварительно заготовьте следующую таблицу:
IБ, мкА |
0 |
15 |
30 |
45 |
60 |
75 |
90 |
105 |
120 |
UБЭ, В |
0.48 |
0.61 |
0.64 |
0.65 |
0.66 |
0.67 |
0.68 |
0.69 |
0.695 |
IК, мА |
0.1 |
1.1 |
3 |
4.2 |
5.8 |
7.8 |
9.2 |
10.9 |
12.2 |
Сквозную характеристику строим по нагрузочной прямой по переменному току. Количество столбцов в таблице будет равно количеству точек пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками транзистора. В таблице ΔIБ – шаг по току базы, с которым приведены выходные характеристики в справочнике.
Каждую точку пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками транзистора спроецируем на ось токов (рис. 4). Полученные значения тока коллектора iК1 – iК9 занесем в таблицу.
Напряжения база-эмиттер, соответствующие токам iК1 – iК9, можно найти по входной характеристике транзистора (рис. 4), для чего на оси токов надо отложить значения токов базы из таблицы, спроецировать их на входную характеристику, а затем – на ось напряжений база-эмиттер. Точность отсчета напряжений база-эмиттер будет крайне низкой.
Рис.8 Входная характеристика транзистора.
Полученные значения напряжений база-эмиттер u1 – u9 занесите в таблицу.
u2
u1
u9
РТ
UБЭ рт
UКЭ = 5В
Рис.9 Входная характеристика транзистора.
Используя пары значений UБЭ, IК из таблицы, построим сквозную характеристику каскада, (рис. 5), и определим наибольшую амплитуду входного сигнала UБЭm.
iD
iB
iC
iA
BB
D
C
A
IК рт
РТ
UБЭm /2
UБЭm /2
UБЭ рт
UБЭm
UБЭm
Рис.10 Сквозная характеристика каскада.
При подаче на вход каскада гармонического колебания с амплитудой UБЭm напряжение база-эмиттер будет изменяться в пределах от UБЭ рт – UБЭm (точка A на рис.4) до UБЭ рт + UБЭm (точка B на рис.4). При увеличении амплитуды входного напряжения UБЭm точки A и B будут удаляться от рабочей точки симметрично по оси напряжений. Найдем такое положение точек A и B, при котором они будут максимально удалены от рабочей точки, но не будут заходить на явно нелинейные участки сквозной характеристики. Нанесите точки A и B на график сквозной характеристики и запишите полученное значение максимальной амплитуды входного сигнала UБЭm.
Оценим нелинейные искажения, вносимые каскадом, при максимальной амплитуде входного напряжения. Для оценки нелинейных искажений воспользуйтесь методом пяти ординат, который называют также методом Клина. Метод пяти ординат позволяет приближенно найти амплитуды первых четырех гармоник выходного колебания каскада и соответствующие коэффициенты гармоник.
Для использования метода пяти ординат построим на сквозной характеристике точки C и D, которые должны быть удалены от рабочей точки на половину амплитуды напряжения входного сигнала. В результате на сквозной характеристике получим пять равноудаленных по оси напряжений точек A, B, РТ, C и D, ординаты которых iA, iB, IК рт, iC, iD, используются при расчете коэффициентов гармоник.
iA = 2.3 мА
iB = 12.2 мА
IК РТ = 5.8 мА
iC = 3.2 мА
iD = 8.9 мА
Коэффициент второй гармоники
=
Коэффициент третьей гармоники
=
Коэффициент четвертой гармоники
=
Интегральный коэффициент гармоник
=