Федеральное агентство связи

ФГОБУ ВПО «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»

Уральский технический институт связи и информатики (филиал)

Расчёт усилителей на биполярных транзисторах

Курсовая работа по дисциплине «Основы схемотехники»

Пояснительная записка

210405 000000 043 ПЗ

Руководитель		В.А. Матвиенко
канд. техн. наук, доцент
Студент группы РЕ-91		П.А. Бабушкин

Екатеринбург

2011

Содержание

Введение 3

1. Исходные данные к курсовой работе 4

2.Расчет усилительного каскада 5

2.1 Выбор режима работы транзистора 5

2.2 Расчет делителя в цепи базы 8

2.3 Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам 9

2.4 Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора 12

2.5 Расчет основных параметров каскада 14

2.6 Оценка нелинейных искажений каскада 15

2.7 Выбор резисторов и конденсаторов 19

Заключение 22

Список литературы 23

Приложение 2. Перечень элементов.................................................................................................24

Введение

Курсовая работа по дисциплине «основы схемотехники», заключается в расчете типового усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером.

Целью курсовой работы является

• закрепление теоретических знаний, полученных при изучении дисциплины;

• формирование углубленного понимания физических процессов в усилительных устройствах;

• изучение методов расчета усилительных устройств и их основных параметров;

• ознакомление с элементной базой аналоговых электронных устройств;

• получение навыков информационного поиска и пользования справочной информацией;

• ознакомление с системой стандартизации и приобретение опыта применения стандартов в практической деятельности;

• усвоение правил составления и оформления технической документации.

Исходные данные к курсовой работе включают:

• тип транзистора;

• номинальное напряжение источника питания;

• сопротивление резистора в цепи коллектора;

• сопротивление нагрузки каскада.

Выполнение данной курсовой работы призвано активизировать самостоятельную работу студента, и является важным этапом в формировании профессиональных компетенций.

1. Исходные данные к курсовой работе

Вариант	Транзистор	E, В	Rк, кОм	Rн, кОм
43	КТ208Б	12	0,91	1,2

Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ208Б. Транзистор КТ208Б – кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p типа, предназначенный для использования в импульсных, усилительных и других схемах. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7г.

Наименование	Обозначение	значения			режимы измерения
		min	типовое	max	Uk,В	Ik,мА	IБ,мА	F,кГц
Обратный ток коллектора, мкА	IКБО			1	UКБ max
Обратный ток эмиттера, мкА (при UЭ=UЭВ max)	IЭВО			1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер ,В	UКЭ нас			0,4		300	60
Напряжение насыщения база -эмиттер ,В	UБЭ нас			1,5		300	60
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: При Т=+125С При Т=-60С	h21э	40 40 20	80	120 240 120	1 1 1	30 30 30		0,27 0,27 0,27
Отношение статического коэф-та передачи тока в прямом и инверсном включении	h21э/ h21эинв	2	4,5	12	1	30		0,27
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ ,Ом(при IЭ=5 мА)	h11э	130	800	2500	5			0,27
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., 10-4См (при IЭ=1 мА)	h22э	0,15	0.3	0,55	5			0,27
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			50	10			500
Емкость эмиттерного перехода, пФ(при Uэ=0,5 B)	Cэ			100				500
Граничная частота коэф-та передачи тока в схеме с ОЭ ,МГц	fгр	5			5	10

2.) Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с=-60…+125 ⁰С

Iк max – постоянный ток коллектора, мА	0,3
Iк и max – импульсный ток коллектора,A IБ max – постоянный ток базы, мА	0,5 0,1
Uк бmax – постоянное напряжение коллектор-база, В	15
Uкэ max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб10 кОм), В	15
Uэб max – постоянное напряжение эмиттер-база, В	10
Pк max – постоянная рассеиваемая мощность, мВт	200
Т п мах - Температура перехода, 0С	150
Допустимая температура окружающей среды, 0С	-60…+125