- •1 Расшифровка и анализ технического задания
- •2.1 Основные параметры цп z-80
- •2.2 Архитектура и режимы работы мп z-80
- •2.3 Генератор тактовых импульсов кр580гф24
- •2.4 Буферный регистр кр580ир82
- •2.5 Шинный формирователь кр580ва86
- •3 Разработка подсистемы памяти
- •4 Разработка подсистемы прерываний, ввода/вывода. Выбор таймера.
- •4.4 Аналого – цифровой преобразователь к572пв3
- •4.7 Уточненная схема мпс на основе мп z-80
- •5 Разработка алгоритма работы мпс
3 Разработка подсистемы памяти
3.1 Оперативно запоминающее устройство КР537РУ8
Микросхема ОЗУ К537РУ8. Данная серия микросхем наиболее развита. Она включает в себя более 20 типономиналов микросхем, отличающихся друг от друга информационной емкостью (от 1024 до 65536 бит), организацией (одноразрядная и словарная), быстродействием (более чем в пять раз), потребляемой мощностью. Общими свойствами микросхем являются: единое напряжение питания 5 В, уровни ТТЛ входных и выходных сигналов, схема выхода с тремя состояниями и др. Таким образом, при необходимости увеличения ОЗУ достаточно взять микросхему большей емкости той же серии. Микросхема КР537РУ8 имеет емкость 2К х 8 байт и работает в режиме записи, считывания и хранения информации, в зависимости от сигналов управления, приходящих с микроконтроллера. На рисунке 11 представлена цоколевка БИС ОЗУ К537РУ8.
Рисунок 11 – Цоколевка БИС ОЗУ К537РУ8
Таблица 7 — Описание выводов БИС ОЗУ К537РУ8
Номера выводов |
Обозначение |
Назначение выводов |
Тип сигн. |
Сос-тояние |
|
Англ. |
Рус. |
||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
9-11, 13-17 |
DIO(7-0) |
ДО(7-0) |
Выходы данных |
выход |
1 |
1-8, 23, 22, 19 |
А(10-0) |
А(10-0) |
Входы данных с локальной шины МП |
вход |
1 |
18, 20 |
CS1,CS2 |
ВМ |
Выбор микросхем, L-уровень сигнала подключения ОЗУ к системной шине |
вход |
1 |
21 |
W/R |
ЗП/ЧТ |
Сигнал записи/чтения |
вход |
1 |
20 |
5V |
5B |
Напряжение питания (+5 В) |
вход |
0 |
10 |
OV |
ОБЩ |
Напряжение питания (0 В) |
вход |
1 |
Приведенные значения параметров характеризуют микросхему в диапазоне рабочих температур — 10... +70° С.
Для микросхемы памяти К537РУ8 характерно сравнительно невысокое быстродействие, определяемое временем цикла обращения, равным сотням наносекунд, высокая помехоустойчивость, малая потребляемая мощность, способность сохранять записанную информацию при напряжении питания 1,5 ... 3 В и при значительно меньшем уровне энергопотребления, чем в режиме обращения, и возможность использования источника низковольтного резервного питания - для обеспечения свойства энергонезависимости.
3.2 Постоянное запоминающее устройство К541РТ2
Микросхемы программируемых ПЗУ по принципу построения и функционирования аналогичны масочным ПЗУ, но имеют существенное отличие в том, что допускают программирование на месте своего применения пользователем. Операция программирования заключается в разрушении (пережигании) части плавких перемычек на поверхности кристалла импульсами тока амплитудой 30 ... 50 мА. Технические средства для выполнения этой операции достаточно просты и могут быть построены самим пользователем. Это обстоятельство в сочетании с низкой стоимостью и доступностью микросхем ППЗУ обусловило их широкое распространение в радиолюбительской практике. На рисунке 12 представлена цоколевка БИС ПЗУ К541РТ2.
Рисунок 12 — Цоколевка ПЗУ К541РТ2
Таблица 8 — Описание выводов БИС ПЗУ К541РТ2
Номера выводов |
Обозначение |
Назначение выводов |
Тип сигн. |
Сос-тояние |
|
Англ. |
Рус. |
||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
17; 16; 15; 14; 13; 11; 10; 9 |
DO(7-0) |
ДО(7-0) |
Выходы данных |
выход |
1 |
8; 7; 6; 5; 4; 3; 2; 1; 23; 22; 19 |
А(10-0) |
А(10-0) |
Входы данных с локальной шины МП |
вход |
1 |
18 |
CS (3-1) |
ЦС(3-1) |
Выбор микросхем, L-уровень сигнала подключения ОЗУ к системной шине |
вход |
1 |
20 |
UCC |
UCC |
Напряжение питания (+5 В) |
вход |
0 |
10 |
OV |
ОБЩ |
Напряжение питания (0 В) |
вход |
1 |
Микросхемы ППЗУ потребляют большую мощность от источника питания. Поэтому представляется целесообразным использовать их свойство работать в режиме импульсного питания, когда питание на микросхему подают только при обращении к ней для считывания информации. При использовании импульсного режима питания среднее значение потребляемого тока и, следовательно, уровень потребляемой мощности существенно уменьшаются.
3.3 Подключение ОЗУ и ПЗУ к системной шине
Подключение БИС ОЗУ КР537РУ8 и БИС ПЗУ КР541РТ2 к cистемной шине зависит от их разрядности, а для оперативной памяти - также от ее типа. В микропроцессорной системе построенной на базе МП серии Z80, удобнее всего использовать восьмиразрядные запоминающие устройства. Подключение статических ОЗУ осуществляется аналогично ПЗУ. Объем памяти определяется количеством используемых БИС.
Схема подключение ОЗУ и ПЗУ к системной шине показа на рисунке 13.
Рисунок 13 - Подключение ОЗУ и ПЗУ к системной шине