- •Г л а в а 3. Физика твердого тела
- •3.4. Электропроводность твердых тел
- •1. Электропроводность металлов
- •2.Электропроводность полупроводников
- •3. Собственная проводимость полупроводников
- •4.Примесная проводимость полупроводников
- •5.Эффект Холла в металлах и полупроводниках
- •3.5 Контактные явления в твердых телах.
- •1. Контакт двух металлов.
- •2.Контакт металл- полупроводник
- •3.6 Магнитные свойства твердых тел.
- •Магнитные свойства атомов
- •Диамагнетизм и парамагнетизм твердых тел
- •3.7 Сильномагнитные свойства твёрдых тел
- •Примеры решения задач.
- •3.8 Сверхпроводимость
- •Список литературы
3.8 Сверхпроводимость
Основные экспериментальные факты
Сверхпроводимость Камерлинг-Оннесом была открыта в 1911г. Он обнаружил удивительное явление: с понижением температуры T сопротивление металла вначале падало по известному закону , а затем ниже температуры Тс вдруг резко обратилось в нуль: . Камерлинг-Оннес назвал это явление сверхпроводимостью, а температуру ниже которой оно наступало - критической температурой Тс (см. рис. 32).
Кроме идеальной проводимости сверхпроводники обладают еще и идеальным диамагнетизмом – способностью выталкивать магнитное из толщи материала. Это явление носит название эффекта Мейснера-Оксенфельда (см. рис. 33). Поместим шар из сверхпроводящего материала в постоянное магнитное поле. Силовые линии пронизывают образец при Т > Tc. Если охладить образец ниже Tc ,то силовые линии магнитного поля выталкиваются разом из образца В = 0:
, (3.96)
где - напряженность магнитного поля, - магнитная проницаемость среды . Из условия B = 0, а H ≠ 0 сразу следует, что = 0 и = -1 –сверхдиамагнетизм!
В поле , превышающем критическое магнитное поле с силовые линии разом пронизывает образец и сверхпроводящее состояние разрушается, несмотря на то, что Т < Tc. Величина с зависит от температуры; эта зависимость с(T) приведена ниже на рис. 34. Заштрихованная область S отвечает сверхпроводящему состоянию, а незаштрихованная – обычному нормальному состоянию металла N.
Из тепловых свойств отметим также резкий скачок электронной теплоемкости в точке Tc с последующим экспоненциальным спадом до нуля. Все эти яркие аномалии в тепловых, электрических и магнитных свойствах еще не давали ключа к разгадке феномена сверхпроводимости. Такой ключ появился в 1950 г. с открытием изотопического эффекта. Оказалось, что критическая температура сверхпроводников обратно пропорциональна корню квадратному из массы ионов решетки . Это означало, что сверхпроводимость, обязанная подсистеме электронов проводимости, связана еще и с колебаниями решетки, дебаевская частота которых .
Теория сверхпроводимости
Теория сверхпроводимости, блестяще описавшая все уникальные свойства сверхпроводников, была создана в 1957 г. Бардином-Купером-Шриффером (БКШ). Они показали, что ниже Tc электроны из изоэнергетических состояний , благодаря притяжению через поле фононов, объединяются в пары БКШ. Согласно теории БКШ энергия связи такой пары при T = 0 K равна
. (3.97)
В результате в энергетическом спектре неспаренных электронов на уровне Ферми появляется щель шириной 2Δ (рис. 35), а спаренные электроны,
являющиеся уже бозонами, конденсируются на свой особый уровень пар на нижнем краю этой щели. В результате образования связанных пар электронов и
такой перестройки спектра выигрыш в энергии составляет 2Δ в расчете на пару. Разрыв пар энергетически невыгоден системе, поэтому пары переносят ток без сопротивления - не рассеиваясь на дефектах. Только, когда энергия, сообщаемая током, превысит 2Δ – пары разрушатся и металл перейдет в нормальное резистивное состояние. Плотность такого тока jc называется критической.
С повышением температуры в кристалле появляются фононы, способные разрушать пары и переводить электроны в нормальное состояние. Нормальные электроны, взаимодействуя с парами, нарушают их импульсную упорядоченность и уменьшают ширину энергетической щели (рис.36).При критической температуре энергетическая щель сужается до нуля и сверхпроводящее состояние разрушается. Теория БКШ дает следующее выражение для :
, (3.98)
где – температура Дебая для материала проводника, – плотность состояний на уровне Ферми, – энергия взаимодействия электронов в парах.
Наложение внешнего магнитного поля, закручивает электроны пары в противоположные стороны, нарушает их изоэнергетичность и стремится разорвать пары БКШ. Поскольку это энергетически невыгодно подсистеме связанных пар, они создают свой незатухающий сверхпроводящий ток такого направления и величины, чтобы полностью скомпенсировать внешнее поле. В этом суть объяснения эффекта Мейсснера-Оксенфельда. Только, когда энергия, сообщаемая критическим полем каждой паре превысит 2Δ сверхпроводник перейдет в нормальное состояние.
Существование щели в спектре электронов проще всего следует из экспериментов по поглощению электромагнитного излучения на частотах, больших . Это говорит о том, что энергетическая щель должна быть порядка эВ (это соответствует температуре около 1 К).
Распределение магнитной индукции B с учетом выталкивания поля из сверхпроводника хорошо описывается уравнением Лондонов:
(3.99)
Примеры решения задач.
Задача 1. Пользуясь экспериментальным фактом выталкивания магнитного поля Н<Нс из толщи сверхпроводника, найти магнитную проницаемость, восприимчивость и намагниченность сверхпроводника. Изобразить графически зависимость для сверхпроводника 1-го рода. Рассмотреть .
Решение.
В соответствие с эффектом Мейснера-Оксенфельда магнитное поле внутри сверхпроводника равно нулю В = 0. Из уравнения
следует, что =0. Так как , следовательно: .
Поэтому: .
На рисунке приведена зависимость намагниченности от величины напряженности магнитного поля для сверхпроводника 1-го рода.
Ответ: .
Задача 2. Критическая температура сверхпроводящего перехода олова при Н=0, Тсо=3,7 К, а критическое поле при Т=0; Нсо=2,4 104 А/м. Найти величину критического тока, протекающего в оловянной проволоке диаметром 0,1м при 2К.
Решение
При протекании тока по сверхпроводнику вокруг него возникает магнитное поле напряженностью . Пока ток не достиг критического значения сверхпроводящее состояние осуществляется, при достижении током критического значения напряженность магнитного поля Н>Нс и сверхпроводящее состояние разрушается. Зависимость Нс от Т имеет вид:
H определим из формулы для напряженности магнитного поля кругового тока в центре:
,
где Ic – критическая сила тока, d – диаметр проволоки.
.
Расчет дает значение Ic=5,4∙103 A.
Задачи для самостоятельного решения
-
Пользуясь уравнением Лондонов решить задачу о проникновении магнитного поля в пластинку толщиной 2 d (полубесконечный сверхпроводник). Найти величину магнитной индукции в центре пластины, если индукция внешнего поля B0 = 0,05 Тл, глубина проникновения =100 Å, а толщина пластинки 2d=200 Å.
-
Известно, что для массивного образца сверхпроводника первого рода критическое поле равно 6,28 А/м. Найдено, что для пленки толщиной в критическое поле равно 6,908 А/м. Какой будет разница критического поля для образца толщиной ? Предположить, что проникновение поля в сверхпроводник задается лондоновской теорией, и глубина проникновения не зависит от магнитного поля; эффектами размагничивания пренебречь.
-
Критическая температура сверхпроводящего перехода олова при Н=0, Тсо=3,7 К, а критическое поле при Т=0; Нсо=2,4 104 А/м. Найти максимальный диаметр оловянной проволоки, если величина критического тока при 2К составляет 100 А.
-
Уравнение Лондонов может быть записано в виде , где – лондоновская глубина проникновения. Показать, что внутри сверхпроводящей пластины толщиной поле определяется выражением:
,
где – поле вне пластины, начало отсчета координаты взято в центре пластины, ось перпендикулярна к ее плоскости. Предполагается, что поле параллельно поверхности пластины.
Таблица 1. Физические параметры полупроводников (T = 300 K)
Параметры п/п |
Si |
GaAs |
GeSb |
Ge |
In |
InSb |
Ширина запрещенной зоны Eg,эВ |
1,11 |
1,43 |
0,8 |
0,66 |
0,43 |
0,22 |
Эффективная масса |
1,08 |
0,068 |
0,047 |
0,56 |
0,083 |
0,013 |
Эффективная масса |
0,059 |
0,5 |
0,83 |
0,37 |
2,41 |
2,4 |
Подвижность un, м2/Вс |
0,15 |
0,75 |
0,4 |
0,39 |
3,3 |
7,8 |
Подвижность up, м2/Вс |
0,06 |
0,04 |
0,15 |
0,19 |
0,046 |
0,075 |
Таблица 2. Энергия активации примесей в электронвольтах
п/п |
Примеси |
||||||
B |
Al |
Ga |
Sn |
P |
As |
Sb |
|
Si |
0,045 |
0,057 |
0,065 |
0,16 |
0,04 |
0,049 |
0,039 |
Ge |
0,01 |
0,01 |
0,01 |
0,011 |
0,012 |
0,012 |
0,0096 |