- •Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой в статическом режиме
- •3. Приборы и оборудование
- •4. Порядок выполнения работы
- •5. Содержание отчета
- •6. Контрольные вопросы
- •7. Содержание отчета
- •Кот Лариса Михайловна Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой в статическом режиме Методическое руководство
3. Приборы и оборудование
3.1 Макет лабораторный.
3.2 Омметр Ц4312 или другого типа.
3.3 Биполярные транзисторы МП25 (или МП26).
3.4 Соединительные провода.
4. Порядок выполнения работы
4.1 Проверка подготовки к занятию в виде программированного опроса.
4.2 Подготовить лабораторный макет к проведению лабораторной работы, для этого собрать схему, приведенную на рис. 1.
4.2.1 Вставить в контактную панель исследуемый транзистор, предварительно ознакомившись с конструкцией транзистора [3], с. 75.
4.2.2 Установить пределы измерения вольтметра РV1 на 3В, миллиамперметра РА1 на 15 мА.
4.2.3 Установить ступенчатый переключатель напряжения питания SA3 в положение 5В.
4.2.4 Для измерения напряжения между коллектором и базой, и тока коллектора установить соответственно пределы измерения вольтметра РV2 в положение 15 В, миллиамперметра РА2 в положение 15 мА.
4.2.5 Установить ступенчатый переключатель SA4 в положение 15 В.
4.2.6 Для подключения полюсов питающих напряжений во входную и выходную цепи транзистора, следует установить переключатель SA1 в положение «+», SA2 – в положение «-«. Т.о. транзистор включен в активном режиме.
4.2.7 Установить ручки потенциометров регулировки (RР1, RР2) в крайнее левое положение.
4.2.8 Для включения источников питания лабораторного макета установить тумблеры «220 В», « 30 В» и «150 В» в верхнее положение. Включение контролировать по загоранию индикаторных лампочек.
4.2.9 Вращением ручки потенциометра RР1 убедитесь в изменении тока эмиттера. При этом будет увеличиваться прямое напряжение на эмиттерном переходе и стрелки приборов РV1 и РА1 будут отклоняться вправо.
Вращением ручки RР2, убедитесь, что при увеличении напряжения Uкб в пределах 3…12 В ток коллектора не изменяется, при этом потенциометр RР1 должен находиться в среднем положении.
4.2.10 Снять семейство выходных статических характеристик:
установить заданное в табл. 1 значение тока эмиттера и поддерживать его постоянным;
устанавливая значение напряжения на коллекторе – Uкб, заданное в табл. 1, измерить ток коллектора Iк.
Данные измерений записать в табл. 1.
Таблица 1
|
Uкб, В |
0 |
0,5 |
1 |
2 |
3 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
14 |
Iэ=2 мА, const |
Iк, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iэ=4 мА, const |
Iк, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iэ=6 мА, const |
Iк, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iэ=8 мА, const |
Iк, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4.2.11 Снять входную статическую характеристику: Iэ=f(Uкб), при постоянном Uкб, для этого:
установить заданное в табл. 2 значение напряжения на коллекторе – Uкб и поддерживать его постоянным;
установить значение напряжение на базе Uкб, заданные в табл. 2, измерять ток эммитера – Iэ.
Данные измерений записать в табл. 2.
Таблица 2
|
Uэб, В |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,8 |
1,2 |
1,6 |
Uкб=6В, const |
Iэ, мА |
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 3
Тип транзистора |
Структура |
Рк max, мВт |
Uкэ max, В |
Iк max, мА |
fгр, МГц |
h21Э | |
min |
max | ||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
4.3 Постройте график и выполните расчеты.
4.3.1 По результатам табл. 1 и табл. 2 постройте графики Iэ=f(Uэб), Uкб=const, Iк= f(Uкб), Iэ=const.
4.3.2 Покажите на выходных характеристиках области насыщения, отсечки и рабочую область.
4.3.3 Выберите рабочую точку и покажите РТ на входных и выходных характеристиках.
Запишите параметры РТ
Uэб 0 = Uкб 0 =
Iэ 0 = Iк 0 =
4.3.4 Рассчитайте мощность, выделяемую на транзисторе в выбранном режиме РКо=IКо. UКбо.
Сравните значение мощности со справочным значением максимально допустимой мощности, сделайте вывод о допустимости режима работы.
4.3.5 По выходным и входным характеристикам рассчитайте соответственно h21б, h11б.
Сравните полученное значение h21б со справочным значением. Если h21б в справочнике не указано, рассчитайте по формуле h=и сравните со справочными данными.
4.3.6 Напишите вывод о экспериментальном подтверждении теоретических положений:
Характер зависимости Iк от Uкб и Iэ;
Характер зависимости Iэ от Uэб и Uкб;
О возможных величинах напряжений Uэб для маломощных транзисторов;
О возможных величинах Rвх б(h11б);
О допустимости выбранного режима: Uкб=5 В, Iэ=14 мА.
4.4 Составьте отчет по работе и сдайте зачет.