высший государственный колледж связи

Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой в статическом режиме

Методическое руководство

к лабораторной работе №4

по дисциплине «Электронные приборы»

для студентов специальности

2-45 01 03 – Сети телекоммуникаций

Минск 2003

Составила преподаватель кафедры ТКС Кот Л.М.

Рассмотрено и одобрено на заседании кафедры ТКС

« » 2002 г. Протокол №

Исследование транзистора, включенного по схеме с ОБ

в статическом режиме

1. Цель занятия

1.1 Исследовать зависимость тока коллектора биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ от приложенных к электродам напряжений, определить параметры, сравнить со справочными значениями.

2. Подготовка к занятию

2.1 Литература

2.1.1 Вайсбурд Ф.И и др. Электронные приборы и усилители. М.: Радио и связь, 1987 с. 60…96, [1]

2.1.2 Булычев А.Л. и др. Электронные приборы. М.: ЛАЙТ ЛТД, 2000 с. 79…179, [2]

2.1.3 Галкин В.И. и др. Полупроводниковые приборы. Справочник. Минск. Беларусь, 1987, с. 75, с. 78,79, [3].

2.2 Домашнее задание

2.2.1 Повторить по [1] и [2] физические свойства биполярных транзисторов, особенности включения по схеме с ОБ, статические характеристики, примерные значения параметров.

2.2.2 Подготовить бланк отчета, который должен содержать: цель работы; схему снятия характеристик таблицы 1,2,3.

2.2.3 Выписать из [3] в табл. 3 основные и предельно-допустимые параметры транзистора МП25.

2.2.4 Используя рис. 1 изучить, как надо подключать приборы: РА1, РА2, РV1, РV2, чтобы измерить I_б, I_к, U_бэ, U_кэ.

2.2.5 Подготовить ответы на вопросы для самопроверки (устно).

2.3 Вопросы для самопроверки

2.3.1 Нарисуйте конструкцию сплавного плоскостного транзистора типа р-n-р. Поясните назначение электродов, назовите переходы.

2.3.2 Поясните явления инжекции и экстракции.

2.3.3 Назовите режимы работы транзистора, поясните их.

2.3.4 Назовите транзистор структуры р-n-р, включенный по схеме с ОБ, поясните токопрохождение в нем и покажите подключение полюсов источников питания.

2.3.5 Изобразите транзистор структуры n-р-n, включенный по схеме с ОБ, поясните токопрохождение в нем и покажите подключение полюсов источников питания.

2.3.6 Поясните, что понимают под коэффициентом передачи тока эмиттера .

2.3.7 Поясните, какой функциональной зависимостью выражаются выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ, покажите их вид, поясните ход характеристик.

2.3.8 Поясните почему в схеме с ОБ ток коллектора в зависимости от коллекторного напряжения почти не изменяется.

2.3.9 Назовите порядок величины выходного сопротивления транзистора в схеме с ОБ, чем объясняется такая величина.

2.3.10 Начертите входные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ, объясните их ход.

2.3.11 Назовите порядок величины входного сопротивления транзистора, включенного по схеме с ОБ, чем объясняется такая величина.

2.3.12 Назовите порядок возможных величин напряжений между эмиттером и базой.

2.3.13 Перечислите h-параметры транзистора и запишите их выражение для схемы с ОБ, назовите порядок величин.

2.3.14 Поясните, как определяются h-параметры по статическим характеристикам транзистора, включенного по схеме с ОБ.

2.3.15 Поясните, как маркируются (обозначаются) биполярные транзисторы.

2.3.16 Поясните, как рассчитать мощность, рассеиваемую транзистором, если положение РТ задано.

2.3.17 Перечислите предельно-допустимые параметры транзисторов, поясните, как повлияет, на работу транзистора превышение одного из параметров.

2.3.18 Запишите формулу токов транзистора, сравните токи по величине. Поясните полный ток коллектора.

2.3.19 Назовите, величину температурного тока транзистора КТ315А.

2.3.20 Назовите основные недостатки биполярных транзисторов, поясните их, используя справочник [3], на примере биполярного транзистора КТ908А.

2.3.21 Поясните, какой транзистор можно применить из предложенных, если необходимо усилить сигнал с частотой больше 30 МГц и мощностью свыше 1,5 Вт: КТ311А, ГТ403Г, КТ805А, КТ209А, КТ903Б.