Задание к лабораторной работе

1. Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик униполярного транзистора, включенного по схеме с общим истоком.

1.1 Установите плату с исследуемыми транзисторами в разъемы на верхней поверхности измерительного стенда.

1.2 В правые гнезда стенда включите тестер, установленный в режим измерения постоянных напряжений на пределе 20 В. Включите тестер. Этим вольтметром будет измеряться стоковое напряжение U_СИ и стоковый ток I_С.

0. В левые гнезда стенда включите тестер, установленный в режим измерения постоянных напряжений на пределе 2 В. Включите тестер. Этим вольтметром будет измеряться напряжение на затворе транзистора U_3И.

1.4 Движки потенциометров R1 и R2 установите в крайнее левое положение, что соответствует отсутствию напряжения на транзисторе.

1.5 Включите измерительный стенд в сеть. При этом загорится светодиод.

2. Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа КП303И.

2.1 Для снятия статических характеристик этого транзистора установите перемычку J1 в положение 4.

2.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «−».

2.3 Установите тумблер К2 в положение «U».

2.4 Потенциометром R2 установите требуемое напряжение на затворе U_3И согласно табл. 6.1 (например, −0,25 В).

2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».

2.6 Потенциометром R1 установите требуемое стоковое напряжение U_СИ согласно табл. 6.1 (например, 0,5 В).

2.7 Установите тумблер К1 в положение «U_R». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует стоковому току в [мА], протекающему через сток транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению стокового тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 6.1 (в данном примере на пересечении колонки −0,25 В и строки 0,5 В).

Таблица 6.1 Статические характеристики полевого транзистора управляемого

р-переходом и каналом п-типа КТ303И

Ток I_С = 10*U_R, мА

UСИ, В	UЗИ, В
	0	-0,25	-0,5	-0,75	-1
0	0	0	0	0	0
0,5
1
1,5
2
4
6
8
10

2.8 Повторите действия согласно п.2.4…2.7 для последующих значений стокового напряжения U_СИ и напряжения на затворе U_3И согласно табл.6.1.

2.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях напряжения на затвореU_3И. Графически из этих характеристик найти выходное сопротивление при U_ЗИ =0 и U_ЗИ =−0,5 В.

2.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения U_СИ. Из этих характеристик графически найти крутизну при U_CИ =0,5 В и 10 В. Аппроксимируя графики переходных характеристик до значения I_C=0 определить напряжение отсечки U_ЗИотс. По данным характеристикам определить величину начального тока стока I_Снач при U_CИ =0,5 В и 10 В и напряжении U_ЗИ =0 В.

3. Исследование МДП транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа КП305Е.

3.1 Для снятия статических характеристик этого транзистора установите перемычку J1 в положение 3.

3.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «−».

3.3 Установите тумблер К2 в положение «U».

3.4 Потенциометром R2 установите требуемое напряжение на затворе U_3И согласно табл. 6.2 (например, −3,0 В).

3.5 Установите тумблер К1 в положение «U».

3.6 Потенциометром R1 установите требуемое стоковое напряжение U_СИ согласно табл. 6.2 (например, 0,5 В).

3.7 Установите тумблер К1 в положение «U_R». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует стоковому току в [мА], протекающему через сток транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению стокового тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 6.2 (в данном примере на пересечении колонки −3,0 В и строки 0,5 В).

3.8 Повторите действия согласно п.3.4…3.7 для последующих значений стокового напряжения U_СИ и отрицательного напряжения на затворе U_3И согласно табл.6.2.

3.9 Измените полярность напряжения на затворе установкой тумблера К5 в положение «+».

3.10 Повторите измерения согласно п. 3.4…3.7 для последующих значений стокового напряжения U_СИ и положительного напряжения на затворе U_3И согласно табл.6.2.

3.11 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях напряжения на затвореU_3И. Графически из этих характеристик найти выходное сопротивление при U_ЗИ =−1,0 В, U_ЗИ =0 и U_ЗИ =+1,0 В.

3.12 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения U_СИ. Из этих характеристик графически найти крутизну при U_CИ =0,5 В и 10 В. Аппроксимируя графики переходных характеристик до значения I_C=0 определить напряжение отсечки U_ЗИотс.

Таблица 6.2 Статические характеристики МДП транзистора с изолированным

затвором и встроенным каналом п-типа КТ305Е

Ток I_С = 10*U_R, мА

UСИ, В	UЗИ, В
	-3	-2	-1	-0,5	0	+1	+2
0	0	0	0	0	0	0	0
0,5
1
1,5
2
4
6
8
10

4. Исследование МДП транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа КП301Е.

4.1 Для снятия статических характеристик этого транзистора установите перемычку J1 в положение 2.

4.2 Установите тумблер К4 в положение «−», тумблер К5 в положение «−».

4.3 Установите тумблер К2 в положение «U».

4.4 Потенциометром R2 установите требуемое напряжение на затворе U_3И согласно табл. 6.2 (например, −3,0 В).

4.5 Установите тумблер К1 в положение «U».

4.6 Потенциометром R1 установите требуемое стоковое напряжение U_СИ согласно табл. 6.2 (например, 0,5 В).

4.7 Установите тумблер К1 в положение «U_R». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует стоковому току в [мА], протекающему через сток транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению стокового тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 6.2 (в данном примере на пересечении колонки −3,0 В и строки 0,5 В).

4.8 Повторите действия согласно п.3.4…3.7 для последующих значений стокового напряжения U_СИ и отрицательного напряжения на затворе U_3И согласно табл.6.2.

4.9 Измените полярность напряжения на затворе установкой тумблера К5 в положение «+».

4.10 Повторите измерения согласно п. 3.4…3.7 для последующих значений стокового напряжения U_СИ и положительного напряжения на затворе U_3И согласно табл.6.2.

4.11 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях напряжения на затвореU_3И. Графически из этих характеристик найти выходное сопротивление при U_ЗИ =−1,0 В, U_ЗИ =0 и U_ЗИ =+1,0 В.

4.12 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения U_СИ. Из этих характеристик графически найти крутизну при U_CИ =0,5 В и 10 В. Аппроксимируя графики переходных характеристик до значения I_C=0 определить напряжение отсечки U_ЗИотс.

Таблица 6.3 Статические характеристики МДП транзистора с изолированным

затвором и встроенным каналом п-типа КТ305Е

Ток I_С = 10*U_R, мА

UСИ, В	UЗИ, В
	-3	-2	-1	-0,5	0	+1	+2
0	0	0	0	0	0	0	0
0,5
1
1,5
2
4
6
8
10

5. Сделать выводы по работе, в которых отразите полученные результаты.

В табл.6.4 приведены основные параметры исследуемых униполярных транзисторов.

Таблица 6.4 Основные параметры исследуемых униполярных транзисторов

Транзистор	Тип	IСнач, мА	S, мА/В	UЗИотс, В	UЗИмах, В	UСИмах, В	IСмах, мА	Рмах, мВт
КП303И	р-п переход, п-канал	1,5-5,0	2-6	−0,5… −2,0	27	27	25	250
КП305Е	Изолированный затвор, встроенный п-канал	−	2-8	−0,5… −3,0	±15	±15	15	150
КП301Е	Изолированный затвор, индуцированный р-канал	5·10−4	0,5-2,0	−	30	20	15	200