5. Цифровые и аналоговые ис

6. Ламповые

$$$ В зависимости от характера устойчивых состояний генераторы прямоугольных импульсов подразделяются на:

1. бистабильные

2. моностабильные

3. астабильные

4. нестабильные

5. комбинированные

$$$ Формы отображения логических операций

1. Буквенная

2. Аналитическая

3. Символическая

4. Интегральная

5. Периодическая

6. Языковая

$$$ Какие резисторы используются в электронной технике

1. Постоянные

2. Переменные

3. Подстроечные

4. Изменяющиеся

5. Колебательные

$$$ В каких устройствах резисторы должны обладать только активным сопротивлением:

1. колебательных контурах

2. усилителях высокой частоты

3. аттенюаторах

4. компараторах

5. иммитатарах

6. сумматорах

$$$ Во всех полупроводниках сильная зависимость удельного электрического сопротивления зависит от:

1. воздействия полей

2. изменения температуры

3. ионизированного излучения

4. светового воздействия

5. колебаний энергии

6. вибрации

7. равновесного режима

$$$ Какие переходы используются в полупроводниковой технике

1. электронно-дырочный

2. металл – полупроводник

3. между двумя областями полупроводника одного типа

4. металл-металл

5. полупроводник- диэлектрик

6. металл-диэлектрик

7. электронно-металлический

8. дырочно-электрический

$$$ Полупроводниковые диоды применяется в устройствах электроники для цепей:

1. усиления напряжения;

2. стабилизации напряжения;

3. регулирования напряжения;

4. защиты от перенапряжений;

5. все ответы неверные

6. уменьшения напряжения

$$$ Основные параметры полупроводниковых точечных диодов

1. линейные размеры площади p-n-перехода очень малы и соизмеримы с его шириной

2. p-n-переход создается около контакта острия металлической пружины с полупроводниковым кристаллом n-типа

3. имеют малую емкость p-n-перехода благодаря его небольшим размерам

4. габариты корпуса имеют маленький размер

5. p-n переход имеет очень малое сопротивление

$$$ Основными параметрами выпрямительных диодов являются:

1. прямое напряжение

2. обратный ток

3. сопротивление диода в прямом направлении

4. емкость диода в прямом направлении

5. заданное обратное напряжение

6. заданный обратный ток

$$$ В целях обеспечения длительной и надежной работы диодов нельзя превышать:

1. максимально допустимое обратное напряжение

2. максимально допустимую мощность, рассеиваемую диодом

3. максимально допустимый постоянный прямой ток

4. максимально допустимый уровень сопротивления

5. максимально допустимый предел ёмкости

6. максимально допустимый порог срабатывания

7. максимально допустимый уровень напряженности

$$$ Основные параметры характеризующие импульсные диоды:

1. Общая ёмкость диода

2. Максимальное импульсное прямое напряжение

3. Максимально допустимый импульсный ток

4. Общее сопротивление диода

5. Общая частота импульсов

6. Максимально допустимое сопротивление

7. Длительность импульсов

8. Минимальное импульсное прямое напряжение

$$$ Основные особенности выпрямительных диодов Шотки:

1. меньше прямое напряжение

2. большая максимально допустимая плотность прямого тока

3. хороший теплоотвод из-за наличия металлической подложки

4. большое прямое напряжение

5. хороший теплоотвод из-за наличия большой поверхности

6. большая максимально допустимая плотность обратного тока

7. большой прямой ток

$$$ Структура биполярного транзистора состоит из следующего слоя

1. Эмиттера

2. Базы

3. Коллектора

4. Триода

5. Стока

6. Конектора

$$$ При приложении к эмиттерному переходу прямого напряжения начинается:

1. Усиленная диффузия дырок из эмиттера в базу

2. Усиленная инжекция дырок из эмиттера в базу

3. Усиленный перенос дырок из эмиттера в базу

4. Усиленная диффузия электронов из эмиттера в базу

5. Усиленная инжекция электронов из эмиттера в базу

$$$ При увеличении тока базы биполярного транзистора

1. растет прямое напряжение на эмиттерном переходе

2. растет инжекция носителей из эмиттера в базу

3. увеличивается ток эмиттера

4. растет обратное напряжение на эмиттерном переходе

5. растет инжекция носителей из эмиттера в коллектор

6. увеличивается обратный ток эмиттера

$$$ Коэффициенты передачи токов транзистора α и β зависят от ча- стоты, это связано с инерционностью процессов происходящих в транзисторе:

1. От прохождении носителей заряда через базовый слой

2. При изменением концентрации носителей в базе

3. От диффузии неосновных носителей к коллектору

4. От усиленныя переноса дырок из эмиттера в базу

5. От усиленная диффузия электронов из эмиттера в базу

6. Из-за большой максимально допустимой плотности прямого тока

7. При изменением концентрации носителей в коллекторе

30 $$$ Полевые транзисторы с управляющим р-п- переходом состоят из

1. Стока

2. Истока

3. Затвора

4. Защелки

5. Задвижки

6. Управляющего электрода

7. Коллектора

8. Стабилитрона

$$$ Что происходит при повышении температуры полевого транзистора

1. электропроводность примесных полупроводников уменьшается

2. ширина р-п перехода уменьшается, а канал расширяется

3. ток стока при Uзи =const может изменяться различным образом

4. канал выходит из строя

5. растет прямое напряжение на р-п переходе

6. ширина р-п перехода увеличивается, и канал расширяется

$$$ При приложении положительного напряжении к затвору

1. электрическое поле притягивает электроны из подлож- ки, в область канала

2. сопротивление канала уменьшается

3. ток стока растет до режима обогащения

4. электрическое поле выталкивает электроны из подлож- ки, в область канала

5. сопротивление канала увеличивается

$$$ При приложении отрицательного напряжения на затвор

1. электрическое поле выталкивает электроны из канала

2. сопротивление канала увеличивается

3. ток стока падает до режима обеднения

4. сопротивление канала уменьшается

5. ток стока растет до режима обогащения

6. ток стока не изменяется

$$$ Разновидность тиристора основана на четырехслойной р-п-р-п структуре имеет выводы