1.3 Физические модели возникновения низкочастотных шумов в ппи

В настоящее время имеется большое число моделей, объясняющих механизмы образования низкочастотного шума. Каждая из таких моделей не может быть принята в качестве единой и отвергающей другие предположения, но скорее всего НЧШ является результатом одновременного действия различных механизмов. Преобладание того или иного механизма зависит от условий эксперимента, а именно области температур, в которой шум проявляется, режима по постоянному току, материала, из которого сделано ППИ. По этой причине все предлагаемые модели не обладают универсальностью[1].

Реальные полупроводниковые материалы, используемые для производства ППИ, не обладают идеальной с физической точки зрения структурой. Обычно они имеют различные нарушения кристаллической решетки, такие как примесные атомы, вакансии, дислокации, дефекты внедрения и др. Особенно много дефектов на поверхности полупроводника, поскольку она является границей раздела объем – среда, и, следовательно, на ней из-за конечности размеров образца сосредоточено большое количество оборванных электронных связей[9].

При протекании электрического тока в системе, содержащей структурно неравновесные фрагменты нанометрических размеров, генерируются некоторые «исходные макроскопические флуктуации, каждая из которых в ходе своей релаксации способствует зарождению и развитию последующей флуктуации. Ясно, что число таких «исходных» флуктуаций, генерирующихся стахостически по всему объему, должно быть пропорционально общему числу N структурно независимых фрагментов в системе, то есть пропорционально объему системы V при достаточно большой его величине[10,11].

Экспериментальные исследования показывают, что первопричиной низкочастотных шумов являются медленные состояния вблизи поверхности раздела полупроводника и защитных слоев оксидной пленки. При рассмотрении, например, ловушечной модели НЧ шума применительно к МДП структурам считается, что процесс захвата-эмиссии носителей заряда (электронов) поверхностными ловушками происходит в два этапа [12]. Вначале электроны захватываются быстрыми поверхностными состояниями на границе раздела полупроводник – диэлектрик с энергией в запрещенной зоне полупроводника, а затем туннелируют на ловушки в оксиде, имеющие приблизительно тот же энергетический уровень. Быстрые поверхностные состояния обусловлены избыточными атомами кремния или атомами примеси. Их плотность зависит от ориентации кристалла. Флуктуации плотности поверхностных состояний вызывают изменение пространственного заряда в обедненной области вблизи поверхности, что, в свою очередь, вызывает изменение высоты барьера, что, в свою очередь, влечет за собой изменение тока через p-n-переход.

Различные объемные неоднородности (примеси, дислокации, микротрещины), являясь центрами захвата, также сильно влияют на прохождение тока через p-n-переход. Особенно резко сказываются уровни захвата носителей в области пространственного заряда, расположенные вблизи середины запрещенной зоны. В отсутствие поля они нейтральны и не участвуют в захвате носителей. При наличии обратного смещения уровни ионизируются, пространственный заряд в области перехода изменяется, следовательно, изменяется и потенциальный барьер. Учитывая довольно большое время захвата и освобождения носителей на центрах захвата, можно понять, что модуляция будет проявляться в виде низкочастотного шума. Если же p-n-переход сместить в прямом направлении, то в работу вступит механизм генерации – рекомбинации носителей заряда в объеме полупроводника, что также создает НЧ шум.

В 1969 г. Хоуге на основании большого числа экспериментов для металлических и полупроводниковых образцов получил империческую зависимость, показывающую, что спектральная плотность шума обратно пропорциональна общему числу носителей заряда [13]

, (6)

где df – полоса частот;

N – число носителей заряда в образце;

α₀ – универсальная константа, равная 2·10^-3;

- показатель формы спектра.

В формуле (6) до настоящего момента существует ряд неоднозначностей, но, тем не менее, она является одной из наиболее общих и позволяет систематизировать экспериментальные данные.

В основе природы возникновения низкочастотного шума могут лежать два подхода – стационарный термодинамический (подход, исключающий диссипативные процессы в образцах) и подход на основе диссипативных процессов, приводящих к деградации приборов.

В основе термодинамического подхода лежит положение о том, что шум вызван флуктуациями сопротивления, что в свою очередь ставит вопрос об определяющей роли подвижности носителей заряда или их концентрации.

Модель, связанная с флуктуациями плотности носителей заряда, остается наиболее привлекательной. Физические причины таких флуктуаций могут быть разнообразными. Наиболее вероятная из них связана с генерационно-рекомбинационными процессами (ГР-процессами). Если говорить о полупроводнике n-типа, то электроны, находящиеся в зоне проводимости, то есть свободные носители, и создают электрический ток. Однако постоянная концентрация носителей заряда, которая при прочих неизменных условиях определяет постоянство тока, является следствием динамического равновесия ГР-процессов, протекающих в полупроводнике. Иными словами, в рассматриваемом полупроводнике n-типа при протекании тока должны проявляться флуктуации концентрации носителей заряда за счет ГР-процессов.

Из рисунка 1.1 следует, что с ростом частоты спектральная плотность мощности шумов уменьшается и при определенной частоте f₀ становится постоянной и равной некоторой величине S₀. Значения частоты лежат в пределах единиц килогерц. Исходя из рисунка 1.1 зависимость S(f) может быть представлена следующем в виде

(7)

Из этой зависимости можно получить выражение для показателя формы спектра γ

. (8)

Таким образом, шумовыми характеристиками полупроводниковых изделий могут быть приняты величины S₀, f₀, γ. Определив S₀ и f₀, можно рассчитать параметр γ и построить зависимость S(f).

Для аппроксимации зависимости 1/f шума от режима работы прибора по току используется эмпирическое соотношение

, (9)

где - эквивалентный генератор шумового тока;

А – коэффициент;

α=12;

I – сила тока;

Δf – единичная полоса частот;

f – частота;

γ – показатель формы спектра.

Показатель формы спектра γ падает при увеличении температуры от 200 до 600 К, проходя через значение γ=1.

Физически приведенное соотношение отражает тот факт, что с ростом величины протекающего через элемент тока возрастает скорость его деградации, следовательно, и уровень 1/f шума.

Практически найти значения коэффициентов α, γ можно следующим образом. Воздействуя на прибор различными величинами токов, например I₁, I₂ на одинаковой частоте f и Δf, можно найти коэффициент α, беря логарифмы от левой и право частей при различных токах:

,

. (10)

Для нахождения коэффициента γ необходимо провести дважды измерения шума при одинаковом токе и одной полосе частот при разных значениях частоты, беря логарифмы от левой и правой частей при различных частотах:

,

. (11)

В настоящее время для объяснения 1/f-шума в полупроводниках используются две модели [13,14]. Одна из них основана на флуктуации числа носителей заряда ΔN, другая на флуктуации подвижности носителей заряда Δµ. Шумы одних приборов лучше согласуются с первой моделью, шумы других приборов со второй. Дефекты в полупроводниковых структурах усиливают шум 1/f. Они могут действовать как доноры и акцепторы, изменяя число свободных носителей, или как рассеивающие центры, изменяя подвижность µ.

2 Описание используемого оборудования

В данной работе измерение напряжения низкочастотного шума осуществлялось методом прямого измерения, при прямом рабочем токе величиной порядка нескольких миллиампер. При этом полученное значение имеет вели­чину порядка микровольт. Для задания прямого тока через пару выводов, на которой непосредственно измерялось , использовался внешний источник напряжения с добавочным последовательно включенным сопротивлением. Значение снима­лось с цифрового табло вольтметра В7–27. Полученные значения шума соответст­вуют параметрам измерения – центральная частота 1000 Гц, ширина полосы частот Δf=200 Гц, время усреднения τ=2 с. Принципиальная схема установки для измерения низкочастотных шумов представлена на рисунке 2.1.

Рисунок 2.1 – Принципиальная схема измерения НЧ шумов

3 Изучение влияния электростатического разряда на уровень низкочастотного шума МДП-микросхем

Для исследования в данной работе использовались два типа микросхем: К561ЛН2, КР100ВИ1.

В начале эксперимента были измерены низкочастотные шумы (НЧШ) всех микросхем. Измерения проводились по следующим парам выводов: вход – общая точка, выход – общая точка, питание – общая точка, вход – выход. Затем на каждую пару выводов каждой микросхемы подавался электростатический разряд (ЭСР), и снова измерялся уровень НЧШ. Полученные результаты представлены в таблицах 1-10.

Таблица 1 – Результаты измерения НЧ шумов ИС К561ЛН2 при различных значениях тока (выводы 14^––7⁺)

I, мА	, мкВ2
	Микросхема № 1			Микросхема № 2
	Без ЭСР	После ЭСР	Без ЭСР		После ЭСР
1,0	11,34	11,25	11,20		11,15
2,5	12,94	12,82	12,46		12,37
5,0	14,17	14,03	13,35		13,23
7,5	14,93	14,73	13,91		13,75
10,0	15,48	15,24	14,33		14,15

Таблица 2 – Результаты измерения НЧ шумов ИС К561ЛН2 при различных значениях тока (выводы 1^––7⁺)

I, мА	, мкВ2
	Микросхема № 1			Микросхема № 2
	Без ЭСР	После ЭСР	Без ЭСР		После ЭСР
1,0	12,77	12,44	12,78		13,58
2,5	14,49	14,68	14,53		17,28
5,0	15,86	15,96	16,23		19,58
7,5	16,77	16,79	17,61		21,20
10,0	17,48	17,46	19,00		22,50

Таблица 3 – Результаты измерения НЧ шумов ИС К561ЛН2 при различных значениях тока (выводы 2⁺–7^–)

I, мА	, мкВ2
	Микросхема № 1			Микросхема № 2
	Без ЭСР	После ЭСР	Без ЭСР		После ЭСР
1,0	7,49	6,76	7,62		6,48
2,5	12,62	8,10	12,85		7,95
5,0	16,50	–	17,80		–
7,5	18,90	–	18,30		–

Таблица 4 – Результаты измерения НЧ шумов ИС К561ЛН2 при различных значениях тока (выводы 1^––2⁺)

I, мА	, мкВ2
	Микросхема № 1, выводы 9––8+			Микросхема № 2, выводы 1––2+
	Без ЭСР	После ЭСР	Без ЭСР		После ЭСР
1,0	63,5	72,8	14,27		6,96
2,5	71,0	84,5	15,88		85,0
5,0	77,5	–	17,45		–
7,5	–	–	18,72		–
10,0	–	–	19,90		–

Таблица 5 – Результаты измерения НЧ шумов ИС КР100ВИ1 при различных значениях тока (микросхема № 1)

I, мА	, мкВ2
	Выводы 39––1+	Выводы 39+–1–	Выводы 39––2+	Выводы 1––2+	Выводы 1––15+	Выводы 39––15+	Выводы 1––29+
1,0	22,4	10,23	28,50	12,08	12,64	29,40	12,60
2,5	25,9	11,72	33,40	14,16	15,05	34,40	15,00
5,0	29,9	12,81	38,90	16,32	17,63	40,30	17,51
7,0	32,9	13,37	43,00	17,71	19,31	44,70	19,15
8,0	34,5	13,60	45,30	18,34	20,00	47,00	20,00

Таблица 6 – Результаты измерения НЧ шумов ИС КР100ВИ1 при различных значениях тока (микросхема № 2)

I, мА	, мкВ2
	Выво­ды 39––1+	Выводы 39+–1–	Выводы 39––2+	Выводы 1––2+	Выводы 1––15+	Выводы 39––15+			Выводы 1––29+
						Без ЭСР	После ЭСР 4 кВ
1,0	20,4	10,5	26,7	12,40	13,1	27,9	14,86	27,9
2,5	23,4	12,0	31,4	15,04	16,4	33,2	18,75	33,1
5,0	26,9	13,1	37,4	18,11	20,2	40,1	21,20	40,1
7,5	29,6	13,87	43,1	20,70	23,4	46,3	22,80	46,4
8,0	31,1	14,0	44,4	21,20	24,1	47,5	23,20	47,5
10,0	–	14,5	–	–	–	–	–	–

Таблица 7 – Результаты измерения НЧ шумов ИС КР100ВИ1 при различных значениях тока (микросхема № 3)

I, мА	, мкВ2
	Выво­ды 39––1+	Выводы 39+–1–	Выводы 39––2+	Выводы 1––2+	Выводы 1––15+	Выводы 39––15+			Выводы 1––29+
						Без ЭСР	После ЭСР 4 кВ
1,0	21,7	10,0	27,7	12,3	12,9	29,3	27,1	13,48
2,5	25,7	11,6	33,7	–	16,3	35,6	34,3	17,22
5,0	29,5	12,9	40,5	–	20,2	42,9	41,8	22,10
7,5	33,4	13,8	47,0	–	23,5	48,5	48,5	26,30
8,0	34,4	14,0	48,4	–	24,3	–	–	27,2

Таблица 8 – Результаты измерения НЧ шумов ИС КР100ВИ1 при различных значениях тока (микросхема № 4)

I, мА	, мкВ2
	Выво­ды 39––1+	Выводы 39+–1–	Выводы 39––2+	Выводы 1––2+	Выводы 1––15+	Выводы 39––15+		Выводы 1––29+
						Без ЭСР	После ЭСР 4 кВ
1,0	21,4	10,40	27,5	12,54	13,12	28,7	20,8	13,15
2,5	24,3	11,90	32,7	15,69	16,72	34,5	27,8	16,21
5,0	–	13,03	39,1	19,49	21,20	41,9	32,3	19,19
7,5	27,7	13,77	45,1	22,70	24,90	49,1	36,3	23,0
8,0	30,9	13,89	46,2	23,40	25,70	–	–	23,6

Таблица 9 – Результаты измерения НЧ шумов ИС КР100ВИ1 при различных значениях тока (микросхема № 5)

I, мА	, мкВ2
	Вы­­во­ды 39––1+	Выво­ды 39+–1–	Выво­ды 39––2+	Выво­ды 1––2+	Выво­ды 1––15+	Выводы 39––15+			Выво­­ды 1––29+
						Без ЭСР	После ЭСР 4 кВ
1,0	22,2	10,90	28,7	12,63	13,01	29,3	16,92	12,99
2,5	25,4	12,40	33,5	14,93	15,33	33,8	22,50	15,38
5,0	29,2	13,62	39,1	17,35	17,76	39,2	28,30	17,97
7,5	32,7	14,46	44,2	19,32	19,67	44,3	32,10	20,10
8,0	33,7	14,61	45,6	19,67	20,00	45,2	32,80	20,50

Таблица 10 – Результаты измерения НЧ шумов ИС КР100ВИ1 при различных значениях тока (микросхема № 6)

I, мА	, мкВ2
	Выво­ды 39––1+	Выводы 39+–1–	Выводы 39––2+	Выводы 1––2+	Выводы 1––15+	Выводы 39––15+	Выводы 1––29+
1,0	22,4	10,4	28,6	12,47	13,12	29,9	13,34
2,5	26,0	11,92	34,1	15,55	16,57	36,0	17,1
5,0	29,9	13,06	40,8	19,26	20,80	43,6	21,9
7,5	33,0	13,83	47,0	22,50	24,50	50,7	26,0
8,0	34,5	13,96	48,4	23,10	25,00	–	27,0

После воздействия ЭСР исследуемые микросхемы хранились в нормальных условиях в течение 48 часов и снова замерялся уровень НЧШ. Затем микросхемы подвергались температурному отжигу. Все исследуемые изделия выдерживались при температуре 100ºС в течение 1 часа. После этого опять замерялся уровень шумового напряжения. Полученные результаты представлены в таблицах11-18.

I, мА	, мкВ2
	Микросхема № 1		Микросхема № 2
	После 48 ч	После отжига	После 48 ч	После отжига
1,0	11,22	11,2	11,13	11,11
2,5	12,88	12,8	12,31	12,35
5,0	14,09	13,99	13,25	13,23
7,5	14,7	14,71	13,76	13,75
10,0	15,23	15,22	14,15	14,15

Таблица 11 – Результаты измерения НЧ шумов ИС К561ЛН2 при различных значениях тока (выводы 14^––7⁺)

Таблица 12 – Результаты измерения НЧ шумов ИС К561ЛН2 при различных значениях тока (выводы 1^––7⁺)

I, мА	, мкВ2
	Микросхема № 1		Микросхема № 2
	После 48 ч	После отжига	После 48 ч	После отжига
1,0	12,48	12,43	13,48	13,47
2,5	14,76	14,66	17,38	17,35
5,0	16,06	15,93	19,79	19,72
7,5	16,97	16,75	21,2	21,2
10,0	17,8	17,41	22,5	22,5

Таблица 13 – Результаты измерения НЧ шумов ИС К561ЛН2 при различных значениях тока (выводы 2⁺–7^–)

I, мА	, мкВ2
	Микросхема № 1		Микросхема № 2
	После 48 ч	После отжига	После 48 ч	После отжига
1,0	6,75	6,66	6,5	6,32
2,5	8,19	8,10	7,97	8,01
5,0	-	-	-	-
7,5	-	-	-	-

Таблица 14 – Результаты измерения НЧ шумов ИС К561ЛН2 при различных значениях тока (выводы 1^––2⁺)

I, мА	, мкВ2
	Микросхема № 1		Микросхема № 2
	После 48 ч	После отжига	После 48 ч	После отжига
1,0	72,0	69,1	23,8	19,48
2,5	84,0	82,9	57,2	44,5
5,0	-	-	-	-
7,5	-	-	-	-
10,0	-	-	-	-

Таблица 15 – Результаты измерения НЧ шумов ИС КР1005ВИ1 при различных значениях тока (микросхема № 2)

I, мА	, мкВ2
	Выводы 39––15+
	Без ЭСР	После ЭСР 4 кВ	После 48 ч	После отжига
1,0	27,9	14,86	14,88	14,87
2,5	33,2	18,75	18,74	18,71
5,0	40,1	21,20	21,20	21,1
7,5	46,3	22,80	22,81	22,8
8,0	47,5	23,20	23,22	23,1
10,0	–	–	–

Таблица 16 – Результаты измерения НЧ шумов ИС КР1005ВИ1 при различных значениях тока (микросхема № 3)

I, мА	, мкВ2
	Выводы 39––15+
	Без ЭСР	После ЭСР 4 кВ	После 48 ч	После отжига
1,0	29,3	27,1	27,1	27,8
2,5	35,6	34,3	34,3	34,8
5,0	42,9	41,8	41,82	42,2
7,5	48,5	48,5	48,49	48,9
8,0	–	–	-	-
10,0	-	-	-	-

Таблица 17 – Результаты измерения НЧ шумов ИС КР1005ВИ1 при различных значениях тока (микросхема № 4)

I, мА	, мкВ2
	Выводы 39––15+
	Без ЭСР	После ЭСР 4 кВ	После 48 ч	После отжига
1,0	28,7	20,8	20,78	20,01
2,5	34,5	27,8	27,81	28,0
5,0	41,9	32,3	32,3	32,5
7,5	49,1	36,3	36,33	36,2
8,0	–	–	-	-
10,0	-	-	-	-

Таблица 18 – Результаты измерения НЧ шумов ИС КР1005ВИ1 при различных значениях тока (микросхема № 5)

I, мА	, мкВ2
	Выводы 39––15+
	Без ЭСР	После ЭСР 4 кВ	После 48 ч	После отжига
1,0	29,3	16,92	16,99	16,85
2,5	33,8	22,50	22,70	22,4
5,0	39,2	28,30	28,60	28,2
7,5	44,3	32,10	32,50	32,1
8,0	45,2	32,80	33,10	32,7
10,0	-	-	-	-

Проанализируем полученные результаты. Из полученных результатов видно, что величина низкочастотного шума (НЧШ) МОП ИС может существенно различаться для различных пар выводов. Это, очевидно, связано с тем фактом, что при приложении напряжения к различным выводам ИС, задействуются различные внутренние цепи с различным количеством и конструкцией элементов. Каждый элемент схемы содержит определенное число дефектов, являющихся источниками НЧШ. Понятно, что чем больше таких источников, тем выше должен быть уровень шума. Соответственно, чем большее число элементов задействовано, тем выше должен быть НЧШ. Кроме того, из представленных таблиц видно, что для некоторых пар выводов ИС ток, который пропускается через эти выводы, ограничивается совершенно определенным значением. Скорее всего, такое значение максимально возможного тока должно существовать для каждой пары выводов, но в рамках данного исследования ток более 10 мА не использовался. Значение максимально возможного тока (или тока насыщения) также должно зависеть от числа элементов, задействованных при приложении напряжения к данной паре выводов. Число задействованных элементов будет зависть: во-первых – от схемотехники конкретной ИС, а во-вторых – от целостности внутренних цепей, т.е. от сохранности дорожек металлизации, изоляции, p-n-переходов. Нарушение сохранности какого-нибудь из выше перечисленных элементов неизбежно должно привести к исключению из цепи, по которой протекает ток, определенного участка.

После замеров шумового напряжения на пары выводов, по которым проводились замеры, подавался электростатический разряд обеих полярностей потенциалом 1 кВ для ИС типа К561ЛН2 и 4 кВ для ИС типа КР1005ВИ1. После чего снова измерялся уровень НЧШ. В результате получилось, что для ИС типа К561ЛН2 уровень шума изменился для всех пар выводов, а для КР1005ВИ1 только для одной пары. Рассмотрим, как изменились шумы приборов после воздействия ЭСР.

Из таблиц видно, что уровень шумового напряжения после ЭСР увеличивается для одних пар выводов и уменьшается – для других. Причины столь разной реакции ИС на воздействие ЭСР предположительно следующие. Электростатический разряд может создавать дополнительные дефекты как внутри кристалла ИС (пробой p-n-перехода, пробой окисла, расплавление металлизации, локальное расплавление кремния, заряд в окисле и т.д.), так и в конструкции в целом (отрыв внутренних выводов от траверс корпуса, от контактных площадок, отслоение металлизации). Одни дефекты могут выступать в качестве дополнительных источников НЧШ, другие могут нарушать внутренние цепи прибора и, следовательно, выводить из строя некоторые их [цепей] участки. В соответствии со сказанным выше может быть два варианта: НЧШ увеличивается после воздействия ЭСР, НЧШ уменьшается после воздействия ЭСР, что, собственно, и наблюдаем в эксперименте.

Проверить правильность приведенных предположений можно следующим образом. Дефекты, вызывающие увеличение уровня шума (например, ловушки на границе раздела Si – SiO₂) могут со временем исчезнуть (релаксировать). Это возможно либо при длительном хранении, либо при температурном отжиге. Те же дефекты, которые вызывают выход из строя некоторый участок цепи, никуда не исчезнут ни после хранения, ни после отжига. Поэтому, если провести отжиг ИС, а затем снова замерить уровень шума, то можно предположить в каком случае ЭСР вызвал восстанавливаемый дефект, а в каком – невосстанавливаемый.

Замеры уровня шума проводились после хранения ИС, на которые воздействовали ЭСР, в течение 48 часов и после температурного отжига при Т=100ºС в течение 1ч.

Как видно из таблиц, уровень шума на тех выводах ИС К561ЛН2, на которых шумовое напряжение после воздействия ЭСР уменьшалось (14-7, 2-7) не претерпели после хранения и отжига практически никаких изменений, т.е. отжига дефектов не произошло. На тех же выводах, шумовое напряжение которых увеличивалось, уровень шума частично восстановился, т.е. произошел частичный отжиг дефектов. Но есть один спорный момент – на выводах 1-7 уровень шума увеличился, но отжига практически не произошло. Причины могут быть различными. Например, недостаточно длительный отжиг или возникновение дефектов в конструкции ИС, которые в общем случае повышают уровень НЧШ, но отжигу не подвергаются.

Уровень шума на большинстве выводов ИС КР1005ВИ1не претерпел изменений после воздействия ЭСР, кроме выводов 39-15. На этой паре выводов уровень шума существенно уменьшился. После отжига никаких существенных изменений не произошло. Это еще раз доказывает, что уменьшение шума свидетельствует о возникновении катастрофических дефектов, которые не могут быть отожжены.

Таким образом, в ходе выполнения эксперимента, была изучена зависимость изменения уровня НЧШ от природы дефектов, вносимых ЭСР, и выявлена следующая закономерность: дефекты, вызывающие выход из строя определенный участок цепи ИС (т.е. вызывающие катастрофический отказ ИС), снижают уровень шумового напряжения; дефекты которые не вызывают катастрофического отказа, но являются источниками шума, повышают уровень шума.

Данное исследование может использоваться для диагностики полупроводниковых приборов, для выявления выводов ИС наиболее чувствительных к ЭСР, и при прогнозировании надежности полупроводниковых изделий (ППИ).

Заключение

Результатом проведенного исследования является выявление зависимости уровня НЧШ от воздействия ЭСР. Показано, что ЭСР может как снижать, так и повышать шумовое напряжение МДП-микросхем. Сделано предположение о том, что различие в поведении НЧШ на разных выводах схемы наблюдается по той причине, что ЭСР может вносить в конструкцию ИС дефекты различного рода.

Данная работа показывает, что НЧШ может служить очень хорошим информативным параметром при испытании ИС на надежность и при отбраковке потенциально ненадежных ИС.

Список литературы

1 Диагностика твердотельных полупроводниковых структур по параметрам низкочастотного шума / М.И. Горлов, Л.П. Ануфриев, А.П. Достанко, Д.Ю. Смирнов. – Минск: Интегралполиграф, 2006. – 112 с.

2 Ван дер Зил А. Шум (источники, описание, измерение): Пер. с англ. / Ван дер Зил А. – М.: «Сов. радио», 1973. – 228 с.

3 Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем / Чернышев А.А. – М.: Радио и связь, 1988. С. 180 – 184.

4 Исследование и разработка методов неразрушающего контроля качества и методов анализа отказов изделий микроэлектроники: отчет по НИР РТ / СЗЗПИ; Рег. №01840010239. – М., 1984 – 359 с.

5 Жигальский Г.П. Неразрушающий контроль качества и предсказание надежности интегральных микросхем по электрическим шумам и параметрам надежности / Жигальский Г.П.// Радиотехника и электроника. – 2005. - №5. - С. 1 – 35.

6 Пряников В.С. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов / В.С. Пряников – М.: Энергия, 1987 – 324 с.

7 Леонтьев Г.Е. Рекомбинационный шум в p-n-переходах и биполярных транзисторах // Мат. докл. научн. – техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1997 С. 52 – 57.

8 Врачев А.С. Низкочастотный шум – свойство диссипативных систем // Мат. докл. научн. – техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1995 С. 43 – 56.

9 Нарышкин А.К. Теория низкочастотных шумов / Нарышкин А.К., Врачев А.С.– М.: Энергия, 1972. – 153 с.

10 Тимащев С.Ф. Принципы фликкер – шумовой спектроскопии // Мат. докл. научн. – техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1995 С. 5 – 19.

11 Тимащев С.Ф. Что такое фликкер-шум в электровакуумных системах? // Мат. докл. научн. – техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1999 С. 239 – 260.

12 Hooge F.N. 1/f noise is no surface effect // Phys. Lett. A. 1969, №29. P. 139 – 140.

13 Жигальский Г.П. Избыточные шумы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / Г.П. Жигальский // Радиотехника и электроника. – 1999. - № 12. - С. 1413 – 1430.

14 Потемкин В.В. XIII Международная конференция по шумам. Паланга, май – июнь 1995 // Мат. докл. наунч. – техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1996. С. 5 – 17.