- •А.В. Муратов, а.В. Башкиров
- •Учебное пособие
- •Воронежский государственный технический университет а.В. Муратов, а.В. Башкиров
- •Введение
- •1 Классификация источников вторичного электропитания…………………………………………………………………
- •3 Связь миниатюризации с обеспечением тепловых режимов источников электропитания………………………………..
- •Приложение…………………………………………………………………….. Список литературы……………………………………………………………..
- •3.2. Конструкторско-технологические проблемы миниатюризации ивэп
- •3.3 Предельные возможности и ограничения миниатюризации источников вторичного электропитания
- •3.3.1 Ограничения значения кпд
- •3.3.2 Оценка предельных возможностей миниатюризации ивэп
- •4. Особенности обеспечения теплового режима различных конструкций и типов источников вторичного электропитания
- •4.1. Особенности обеспечения теплового режима импульсных источников питания
- •4.2. Особенности обеспечения теплового режима микроэлектронных источников вторичного электропитания
- •4.3 Особенности обеспечения теплового режима источников вторичного электропитания персональных эвм
- •4.4 Особенности обеспечения теплового режима высоковольтных источников вторичного электропитания
- •5. Обеспечение заданного теплового режима модулей источников вторичного электропитания
- •5.1. Ориентировочный выбор способа охлаждения на ранней стадии проектирования
- •5.2. Расчет теплового режима блока источника электропитания при естественном конвективном теплообмене
- •Степень черноты различных поверхностей
- •Т (46)еплофизические параметры сухого воздуха
- •5.3. Этапы проведения расчета теплового режима ивэп, в различном конструктивном исполнении, при естественном конвективном теплообмене
- •5.4. Методика проведения расчета стационарного блока при принудительном охлаждении
- •5.5. Методика проведения расчета радиаторов
- •6. Выбор элементов, для которых необходим подробный тепловой расчет
- •7. Методы оценки тепловых режимов ивэп
- •Учебное издание
- •Обеспечение тепловых режимов вторичных источников питания радиоэлектронных средств
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Степень черноты различных поверхностей
Материал |
ε |
Алюминий полированный |
0,05 |
Алюминий окисленный |
0,25 |
Алюминий грубополированный |
0,18 |
Алюминиевая фольга |
0,09 |
Асбестовый картон |
0,96 |
Бронза полированная |
0,16 |
Бумага |
0,92 |
Вольфрам |
0,05 |
Графит |
0,75 |
Дюралюминий (Д16) |
0,39 |
Железо полированное |
0,26 |
Золото |
0,10 |
Ковар |
0,82 |
Краски эмалевые |
0,92 |
Лак |
0,88 |
Латунь полированная |
0,03 |
Латунь прокатанная |
0,20 |
Медь полированная |
0,02 |
Медь окисленная |
0,65 |
Муар |
0,90 |
Масляные краски |
0,92 |
Никель полированный |
0,08 |
Олово (луженое кровельное железо) |
0,08 |
Платина |
0,10 |
Резина твердая |
0,95 |
Резина мягкая |
0,86 |
Серебро полированное |
0,05 |
Сталь никелированная |
0,11 |
Сталь окисленная |
0,80 |
Стальное литье |
0,54 |
Саиса |
0,96 |
Стекло |
0,92 |
Силумин |
0,25 |
Титан |
0,63 |
Фарфор |
0,92 |
Хром полированный |
0,10 |
Цинк |
0,25 |
Щелак черный матовый |
0,91 |
для ламинарного режима
Т
(45)
Т (46)еплофизические параметры сухого воздуха
при давлении 101,3 · 10³ Па
tm, °C |
λm, x 10², ВТ/(м·К) |
Vm, x106 м²/с |
Pr |
P, кг/м³ |
- 50 |
2,04 |
9,23 |
0,728 |
1,584 |
- 20 |
2,28 |
12,97 |
0,716 |
1,390 |
0 |
2,44 |
13,28 |
0,707 |
1,295 |
10 |
2,51 |
14,16 |
0,705 |
1,247 |
20 |
2,60 |
15,06 |
0,703 |
1,205 |
30 |
2,68 |
16,00 |
0,701 |
1,165 |
40 |
2,76 |
16,96 |
0,699 |
1,128 |
50 |
2,83 |
17,95 |
0,698 |
1,093 |
60 |
2,90 |
18,97 |
0,696 |
1,090 |
70 |
2,97 |
20,02 |
0,694 |
1,029 |
80 |
3,05 |
21,09 |
0,692 |
1,000 |
90 |
3,13 |
22,10 |
0,690 |
0,972 |
100 |
3,21 |
23,13 |
0,688 |
0,946 |
120 |
3,34 |
25,45 |
0,686 |
0,898 |
для турбулентного режима
где λm– теплопроводность газа, для воздуха значение можно выбрать из табл. 6;Ni– коэффициент, учитывающий ориентацию поверхности корпуса:
8. Определяем тепловую проводимость σкмежду поверхностью корпуса и
окружающей средой:
г
(47)
Sн=Sв=L1·L2;Sб= 2L3(L1+L2).
Для более эффективного отвода тепла, часто применяют блоки ИВЭП с оребренными поверхностями. Если перед конструктором ставится задача провести тепловой расчет для такого типа блока вторичного электропитания, то ему необходимо дополнительно определить эффективный коэффициент теплообмена αэф iоребреннойi-й поверхности, который зависит от конструкции ребер и перегрева корпуса относительно окружающей среды. Определяется αэф iтак же, как при расчете радиаторов (см. расчет радиаторов, п. 5.5).
После определения эффективного коэффициента теплообмена αэф i, переходят к расчету тепловой проводимости всего корпусаσк, которая состоит из суммы проводимостей не оребреннойσк 0и оребреннойσк рповерхностей:
гдеσк 0рассчитывается по формуле (47), но без учета оребренной поверхности;
гдеSpi– площадь основания оребренной поверхности;Ni– коэффициент, учитывающий ориентацию этой поверхности.
9
(48)
гдеККП – коэффициент зависящий от перфорации корпуса блокаКП;КН1 – коэффициент учитывающий атмосферное давление окружающей среды.
График, по которому можно определить коэффициент КН1, изображен на рис. 9, а коэффициент ККП на рис. 14.
Коэффициент перфорации определяется по (11) – (13), и по графику изображенному на рис. 8.
1
(49)
Е
(50)
11. Рассчитываем температуру корпуса блока:
На этом первый этап расчета теплового режима блока ИВЭП окончен.
Рис. 14
Этап 2. Определение среднеповерхностной температуры нагретой зоны.
1. Вычисляем условную удельную поверхностную мощность qзнагретой зоны блока по формуле (19).
2. Из графика на рис. 7 находим в первом приближении перегрев нагретой зоны θзотносительно температуры, окружающей блок среды.
3. Определяем коэффициенты теплообмена излучением между нижними αзлн, верхними αзлви боковыми αзлбповерхностями нагретой зоны и корпусом:
г
(51)
ε зi иSзi– степень черноты и площадьi-й поверхности нагретой зоны.
Рис. 15
4. Для определяющей температуры tm= (tk+t0+θз)/2 и определяющего размераhiнаходим число ГрасгофаGrhiи ПрандтляPr(формула (43) и табл. 6).
5. Рассчитываем коэффициенты конвективного теплообмена между нагретой зоной и корпусом для каждой поверхности;
для нижней поверхности
д
(52)
для боковой поверхности
6
(53)
г
(54)
σ – удельная тепловая приводимость от модулей к корпусу блока, зависит от усилий прижима к корпусу (рис. 15); при отсутствии прижима σ = 240 ВТ/(м2·К);Sλ– площадь контакта рамки модуля с корпусом блока.
Таблица 7
Теплофизические свойства материалов
Материал |
Коэффициент теплопроводности, λ, ВТ/(м·К) |
Алюминий |
208 |
Бронза |
64 |
Латунь |
85,8 |
Медь |
390 |
Сталь |
45,5 |
Асбестовая ткань |
0,169 |
Асбест листовой |
0,116 |
Слюда |
0,583 |
Пластмасса полихлорвиниловая |
0,443 |
Фторопласт – 4 |
0,25 |
Полистирол |
0,09…0,14 |
Эбонит |
0,163 |
Стеклотекстолит |
0,24…0,34 |
Стекло |
0,74 |
Фарфор |
0,834 |
Картон |
0,231 |
АЛ – 9 |
151 |
АЛ – 2 |
175 |
АМЦ |
188 |
Пенопласт ПВХ – 2 |
0,04 |
Пенополиуретан ЭПЭ |
0,06 |
7
(55)
гдеKw– определяем по графику изображенному на рис. 11;Kн2– определяем по графику (рис. 10).
8
(56)
Если δ < 0,1, то расчет окончен. При δ ≥ 0,1 следует повторить расчет для скорректированного значенияθз.
9
(57)
Этап 3. Расчет температуры поверхности компонента, входящего в состав схемы ИВЭП
Приведем последовательность расчета, необходимого для определения температуры корпуса компонента установленного в модуле первого уровня разукрупнения.
1. Определяем эквивалентный коэффициент теплопроводности модуля, в котором расположен компонент, например микросхема, для следующих вариантов:
при отсутствии теплопроводных шин λэкв= λП, где λП– теплопроводность материала основания платы;
п
(58)
г
(59)
гдеSш– суммарная площадь, занимаемая теплопроводными шинами на печатной плате.
В табл. 7 приведены теплофизические параметры некоторых материалов.
2. Определяем эквивалентный радиус корпуса микросхемы:
г
(60) (61)
3. Рассчитываем коэффициент распространения теплового потока:
где α1и α2– коэффициенты теплообмена с первой и второй сторон печатной платы; для естественного теплообмена
δП– толщина печатной платы модуля.
4
г
Qимс i – мощность, рассеиваемаяi-й микросхемой;Sимс i – суммарная площадь поверхностиi-й микросхемы;δз i– зазор между микросхемой и платой;λз i– коэффициент теплопроводности материала, заполняющего этот зазор.
Рис. 16
5
(63)
Приведенный выше алгоритм расчета температуры микросхемы можно применять для любого другого дискретного компонента, входящего в состав блока вторичного электропитания. В этом случае дискретный компонент можно считать подобно микросхеме с локальным источником теплоты на пластине, и ввести соответствующие значения геометрических параметров в уравнения (60) – (63).