- •Механика. Механическое движение. Скорость, ускорение материальной точки.
- •Прямолинейное движение и движение по окружности материальной точки
- •Законы Ньютона.
- •Силы в механике.
- •Закон сохранения импульса.
- •Основной закон динамики вращательного движения твердого тела.
- •Работа. Энергия. Мощность.
- •Колебания.
- •Волны. Звук.
- •Закон Паскаля. Сила Архимеда. Уравнение Бернулли, следствия из него.
- •Температура. Температурные шкалы: шкала Цельсия, идеальная газовая и абсолютная термодинамическая шкала температур.
- •Уравнение состояния идеального газа. Закон Дальтона. Изопроцессы и их уравнения.
- •Взаимосвязь теплоты и работы. Первое начало термодинамики. Работа, совершаемая телом при изменении объема. Работа газа в различных изопроцессах.
- •Теплоемкость тела, удельная, молярная, теплоемкости Cp и Cv. Второе начало термодинамики.
- •Основные положения мкт. Масса и размеры молекул. Основное уравнение мкт. Кинетическая энергия молекулы. Средняя квадратичная скорость молекул. Длина свободного пробега.
- •Барометрическая формула.
- •Явления переноса.
- •Электроемкость. Конденсатор. Емкость плоского конденсатора. Емкость батареи конденсаторов. Энергия конденсатора.
- •Электрический ток. Условия существования электрического тока. Сила тока. Плотность тока. Электродвижущая сила. Напряжение.
- •Закон Ома для однородного, неоднородного участка цепи и замкнутой (полной) цепи. Сопротивление проводников. Дифференциальная форма закона Ома.
- •Работа и мощность электрического тока. Закон Джоуля – Ленца.
- •Разветвленные цепи. Правила Кирхгофа. Последовательное и параллельное соединение проводников.
- •Действие электрического тока на тело человека. Риск поражения электрическим током в быту.
- •Электролиты. Законы Фарадея для электролиза.
- •Электропроводность газов. Несамостоятельный и самостоятельный разряд Виды самостоятельного разряда.
- •Магнитное взаимодействие. Опыт Эрстеда. Магнитное поле. Изображение магнитных полей. Принцип суперпозиции. Сила Ампера.
- •Сила Лоренца. Полярные сияния.
- •Контур с током в магнитное поле. Индукция магнитного поля. Работа по перемещению проводника с током в магнитном поле. Закон Био - Савара - Лапласа.
- •Электромагнитное поле. Явление электромагнитной индукции. Закон Фарадея для электромагнитной индукции. Правило Ленца.
- •Электромагнитная теория света. Интерференция света.
- •Явление дифракции. Дифракционная решетка. Разрешающая способность оптических приборов.
- •Зеркала. Тонкие линзы. Формула линзы. Оптическая сила линзы.
- •Глаз как оптическая система. Лупа, микроскоп, телескоп.
- •Понятие о нелинейной оптике. Прохождение света через оптически неоднородную среду. Закон Рэлея. Цвет неба и зорь. Радуга. Миражи. Гало.
- •Тепловое излучение. Количественные характеристики излучения. Законы Стефана-Больцмана и Вина. Законы Кирхгофа для излучения. Формулы Вина.
- •Фотоэффект Закономерности Столетова. Уравнение Эйнштейна.
- •Опыты Резерфорда по рассеянию альфа-частиц. Атом Резерфорда.
- •Постулаты Бора. Правила отбора. Элементарная теория атома водорода.
- •Квантово-механическая теория атома водорода. Электронные оболочки атомов. Периодическая система элементов Менделеева.
- •Состав ядра. Ядерные силы. Энергия связи ядра.
- •Реакции синтеза. Условия их осуществления Управляемый термоядерный синтез.
- •Радиоактивность. Закон радиоактивного распада.
-
Тепловое излучение. Количественные характеристики излучения. Законы Стефана-Больцмана и Вина. Законы Кирхгофа для излучения. Формулы Вина.
-
Фотоэффект Закономерности Столетова. Уравнение Эйнштейна.
Явление полного или частичного освобождения электронов от связей с ионами, атомами и молекулами вещества под воздействием видимого, инфракрасного или ультрафиолетового света называют фотоэлектрическим эффектом или просто фотоэффектом. Понятие фотоэффекта связывают с преобразованием энергии светового потока в электрическую. Различают внешний, внутренний и вентильный фотоэффекты. Внешний фотоэффект имеет место при выходе электронов за пределы освещаемого металла, полупроводника или диэлектрика. Фотоэффект открыт в 1887 г. Г. Герцем и обстоятельно исследован в 1888 г. русским физиком А. Столетовым. Внутренний фотоэффект имеет место внутри полупроводника и диэлектрика при освещении их электромагнитным излучением и связан с переходом электронов из связанных состояний в свободные без выхода за поверхность твердого тела. В результате в диэлектрике появляются носители тока, а в полупроводнике их концентрация возрастает, и это приводит к возникновению ЭДС, а при наличии внешнего электрического поля — фотопроводимости. Внутренний фотоэффект в газах состоит в явлении фотоионизации. Вентильный фотоэффект наблюдается при освещении контакта двух разных полупроводников или полупроводника и металла. Вентильный фотоэффект открывает возможность прямого преобразования солнечной энергии в электрическую.
Приведенная на рис. 21.6 технологическая схема позволяет исследовать зависимость фототока /, образуемого потоком фотоэлектронов, испускаемым освещенным катодом, от напряжения U между электродами. Эту зависимость /(£/) принято называть вольтамперной характеристикой фотоэлемента. Такая зависимость /(£/), соответствующая двум различным освещенностям катода в виде световых потоков Ф1и-Ф2 при неизменной частоте света, приведена на рис. 21.7. По мере увеличения U фототок / возрастает, так как все большее число фотоэлектронов при этом достигает анода.
Максимальное значение фототока /н называют фототоком насыщения. Он достигается при таком значении U, при котором все испускаемые катодом электроны достигают анода /н = еп, где п — число фотоэлектронов, испускаемых катодом за 1 с.
поля. Для того чтобы фототок стал равным нулю, необходимо приложить тормозящее напряжение Ur, при котором ни один фотоэлектрон, даже с максимальной скоростью \'тах вылета из катода, не может преодолеть задерживающего поля и достигнуть анода. Следовательно, eUT= 0,5mv;mx и, измерив UT, можно определить максимальные значения скорости vmax = (2 eUj m)0-5 и кинетической энергии фотоэлектронов, где е и т —: абсолютное значение заряда электрона и его масса.
Путем изучения вольтамперных характеристик разнообразных материалов при различных частотах v и потоках Ф падающего на катод излучения, были установлены следующие три закона внешнего фотоэффекта.
1. Закон Столетова: при фиксированной частоте падающего света число фотоэлектронов, вырываемых из катода в единицу времени, пропорционально световому потоку. Или, что то же самое, сила фототока насыщения прямо пропорциональна световому потоку: 1а = кФ, А, где к — фоточувствительность катода, А/лм.
-
Максимальная начальная скорость фотоэлектронов не зависит от интенсивности падающего света, а определяется только частотой и возрастает с ее увеличением.
-
Для каждого вещества существует «красная граница» фотоэффекта, то есть минимальная частота vo света, при которой свет любой интенсивности не вызывает фотоэффекта. «Красную границу» фотоэффекта можно найти, определив экспериментально частоту, при которой тормозящий потенциал обращается в нуль.
Не приводя соответствующих доводов, отметим, что фотоэффект необъясним с точки зрения волновой теории света. Явление и законы внешнего фотоэффекта могут быть объяснены на основе квантовой теории света, предложенной А. Эйнштейном в 1905 г. Согласно квантовой теории, свет частотой v не только испускается, как предполагал М. Планк, но и распространяется в пространстве, и поглощается веществом отдельными порциями — квантами, энергия каждого из которых s = hv, Дж. Таким образом, распространение света нужно рассматривать не как непрерывный волновой процесс, а как поток локализованных в пространстве дискретных световых квантов, движущихся со скоростью «с» распространения света в вакууме. Эти кванты электромагнитного излучения называют фотонами. Согласно теории А. Эйнштейна, каждый фотон поглощается только одним электроном. Поэтому число вырванных фотоэлектронов пропорционально числу поглощенных фотонов, то есть пропорционально световому потоку — первый закон фотоэффекта.
Энергия фотона hv, поглощенная электроном, расходуется на совершение электроном работы выхода А из металла и на сообщение эмитировавшему фотоэлектрону кинетической энергии Q,bmvJmx. Энергия, необходимая для перемещения электрона из точки, находящейся внутри металла с потенциалом ф в точку, находящуюся на поверхности металла с потенциалом <рй, называется работой выхода фотоэлектрона — А = е(ф — срп), Дж. Освобожденный фотоэлектрон, преодолев энергетический потенциальный барьер на границе металла, вторую часть своей энергии тратит на отрыв от поверхности металла. По закону сохранения энергии hv = А + 0,5mv;llax. Это и есть уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта, из которого следует, что максимальная кинетическая энергия фотоэлектрона линейно возрастает с увеличением частоты падающего излучения и не зависит от его интенсивности, то есть числа фотонов, так как ни А, ни v от интенсивности света не зависят — второй закон фотоэффекта. Для конкретного металла А = const, и поэтому с уменьшением частоты света кинетическая энергия фотоэлектронов уменьшается и при некоторой частоте v = vo станет равной нулю — фотоэлектрон не может вылетать из металла, фотоэффект прекратится — третий закон фотоэффекта. Согласно изложенному, «красная граница» фотоэффекта определяется частотой v = A/h, Гц. Очевидно, что частота vo зависит только от работы выхода электрона, то есть от химической природы вещества и состояния его поверхности.
Уравнение Эйнштейна с учетом vo = A/h можно переписать в виде eUr = h(v —. vo).
На явлении фотоэффекта основано действие фотоэлектронных приборов, применяемых в различных областях науки и техники. Особо широкое применение получили фотоэлементы, преобразующие энергию излучения в электрическую.