Часть 1
.pdfМинистерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования «Полоцкий государственный университет»
ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС
В двух частях
Часть 1
Составление и общая редакция С.Н. Абраменко
Новополоцк «ПГУ»
2008
УДК 621.389(075.8) ББК 32.85я73
Э45
Рекомендовано к изданию методической комиссией радиотехнического факультета в качестве учебно-методического комплекса
(протокол № 8 от 20.10.2007)
РЕЦЕНЗЕНТЫ:
А. В. ВАСЮКОВ, канд. техн. наук, ведущий инженер отд. сертификации РУП «Полоцкий ЦСМС»;
Р. П. БОГУШ, канд. техн. наук, доц., зав. каф. технической кибернетики
Электронные приборы и устройства : учеб.-метод. комплекс / сост.
Э45 и общ. ред. С. Н. Абраменко. В 2 ч. Ч. 1. – Новополоцк : ПГУ, 2008. – 360 с.
ISBN 978-985-418-655-9 (Ч. 1). ISBN 978-985-418-654-2.
Разработан в соответствии с учебными планами, типовыми программами курса. Содержит программу курса, цели дисциплины и пути их достижения, ме- тодические указания по изучению дисциплины, опорный конспект лекций, тео- ретические материалы к практическим работам, решения типовых задач и при- меров, рекомендуемую литературу, материалы для самоконтроля.
Предназначен для студентов, магистрантов, аспирантов радиотехнических специальностей, преподавателей вузов и средних учебных заведений, инженер- но-технических работников.
УДК 621.389(075.8) ББК 32.85я73
ISBN 978-985-418-655-9 (Ч. 1)
ãАбраменко С. Н., составление, 2008
ãОформление. УО «Полоцкий государственный университет», 2008
2
|
СОДЕРЖАНИЕ |
|
Введение ..................................................................................................................... |
.........7 |
|
Содержание дисциплины........................................................................................... ......... |
8 |
|
РАЗДЕЛ 1. ВВЕДЕНИЕ. КЛАССИФИКАЦИЯ ЭП, СТРОЕНИЕ ТЕЛ ............. ....... |
12 |
|
Тема 1. Введение. Основные определения и направления....................................... ....... |
13 |
|
1.1. Основные определения и направления............................................................... ....... |
14 |
|
1 2. |
Движение электронов в электрических и магнитных полях ............................. ....... |
20 |
1.2.1. Движение электронов в ускоряющем электрическом поле ............................ ....... |
20 |
|
1.2.2. Движение электрона в тормозящем электрическом поле............................... ....... |
21 |
|
1.2.3. Движение электрона в поперечном электрическом поле................................ ....... |
21 |
|
1.2.4. Движение электрона в магнитных полях......................................................... ....... |
22 |
|
1.2.5. Физические основы полупроводниковых материалов. Зонная |
|
|
энергетическая диаграмма ......................................................................................... ....... |
23 |
|
1.3. Электропроводность полупроводников.............................................................. ....... |
26 |
|
1.3.1. Собственная проводимость полупроводников................................................ ....... |
26 |
|
1.3.2. Примесная проводимость полупроводников................................................... ....... |
27 |
|
1.3.3. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках ................................. ....... |
29 |
|
РАЗДЕЛ 2. СПЕЦИАЛЬНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. |
|
|
P-N-ПЕРЕХОД. ПРОЧИЕ ВИДЫ ПЕРЕХОДОВ................................................. ....... |
31 |
|
Тема 2. Специальные полупроводниковые приборы................................................ ....... |
32 |
|
2.1. Варисторы............................................................................................................ ....... |
33 |
|
2.2. Терморезисторы................................................................................................... ....... |
37 |
|
2.3. Магниторезисторы .............................................................................................. ....... |
48 |
|
2.4. Приборы на аморфных полупроводниках.......................................................... ....... |
52 |
|
2.5. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы........................................... ....... |
53 |
|
2.6. Термоэлектрические полупроводниковые приборы.......................................... ....... |
55 |
|
Тема 3. Электронно-дырочный (p-n) переход........................................................... ....... |
58 |
|
3.1. Образование электронно-дырочного перехода .................................................. ....... |
58 |
|
3.2. Прямое и обратное включение р-n перехода...................................................... ....... |
59 |
|
3.3. Свойства и характеристики р-n перехода........................................................... ....... |
60 |
|
3.4. Пробой p-n-перехода ........................................................................................... ....... |
64 |
|
3.5. Переход Шоттки.................................................................................................. ....... |
67 |
|
3.5.1. Образование перехода Шоттки........................................................................ ....... |
67 |
|
3.5.2. Прямое и обратное включение диодов Шоттки.............................................. ....... |
67 |
|
3.6. Некоторые эффекты в полупроводниках............................................................ ....... |
68 |
|
3.6.1. Тоннельный эффект.......................................................................................... ....... |
68 |
|
3.6.2. Эффект Гана...................................................................................................... ....... |
69 |
|
3.6.3. Эффект Холла................................................................................................... ....... |
70 |
|
РАЗДЕЛ 3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ................................................. ....... |
72 |
|
Тема 4. Полупроводниковые приборы. Устройство, классификация и основные |
|
|
параметры полупроводниковых диодов.................................................................... ....... |
73 |
|
4.1. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов............ ....... |
73 |
|
4.2. Конструкция полупроводниковых диодов ......................................................... ....... |
76 |
|
4.3. Вольт-амперная характеристика и основные параметры |
|
|
полупроводниковых диодов ...................................................................................... ....... |
78 |
|
4.4. Выпрямительные диоды...................................................................................... ....... |
80 |
|
4.5. Стабилитроны...................................................................................................... ....... |
82 |
|
4.6. Варикапы ............................................................................................................. ....... |
86 |
|
4.7. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) |
|
|
диоды .......................................................................................................................... ....... |
88 |
|
4.7.1. Импульсные диоды........................................................................................... ....... |
88 |
|
4.7.2. Диоды ВЧ.......................................................................................................... ....... |
90 |
|
4.7.3. СВЧ диоды........................................................................................................ ....... |
92 |
|
|
3 |
|
РАЗДЕЛ 4. ТРАНЗИСТОРЫ ................................................................................... ..... |
101 |
Тема 5. Биполярные транзисторы. Устройство, классификация и принцип |
|
действия биполярных транзисторов.......................................................................... ..... |
105 |
5.1. Классификация и маркировка транзисторов ...................................................... ..... |
105 |
5.2. Устройство биполярных транзисторов............................................................... ..... |
107 |
5.3. Принцип действия биполярных транзисторов ................................................... ..... |
109 |
5.4. Схемы включения биполярных транзисторов.................................................... ..... |
112 |
5.4.1. Схема включения с общей базой ..................................................................... ..... |
112 |
5.4.2. Схема включения с общим эмиттером ............................................................ ..... |
113 |
5.4.3. Схема включения с общим коллектором......................................................... ..... |
114 |
5.4.4. Усилительные свойства биполярного транзистора......................................... ..... |
116 |
Тема 6. Статические характеристики схем включения биполярных |
|
транзисторов. Частотные, температурные и электрические параметры.................. ..... |
119 |
6.1. Статические характеристики транзистора по схеме ОБ .................................... ..... |
119 |
6.1.1. Входная характеристика................................................................................... ..... |
120 |
6.1.2. Выходная характеристика ................................................................................ ..... |
120 |
6.2. Статические характеристики транзистора по схеме ОЭ.................................... ..... |
121 |
6.3. Температурные свойства транзисторов.............................................................. ..... |
122 |
6.4. Частотные свойства транзисторов...................................................................... ..... |
123 |
6.5. Параметры биполярных транзисторов ............................................................... ..... |
125 |
Тема 7. Полевые транзисторы ................................................................................... ..... |
126 |
7.1. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим |
|
p-n переходом............................................................................................................. ..... |
127 |
7.2. Характеристики и параметры полевых транзисторов........................................ ..... |
129 |
7.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором ............................................ ..... |
130 |
7.4. Полевые транзисторы для ПМС РПЗУ............................................................... ..... |
134 |
7.5. Схемы включения полевых транзисторов.......................................................... ..... |
135 |
7.6. Параметры полевых транзисторов...................................................................... ..... |
136 |
РАЗДЕЛ 5. БЕСКОНТАКТНЫЕ УСТРОЙСТВА КОММУТАЦИИ |
|
И ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА.......................................................... ..... |
138 |
Тема 8. Приборы бесконтактной коммутации: тиристоры, |
|
IGBTтранзисторы..................................................................................................... ..... |
140 |
8.1. Устройство и принцип действия динисторов..................................................... ..... |
141 |
8.2. Основные параметры тиристоров....................................................................... ..... |
142 |
8.3. Тринисторы.......................................................................................................... ..... |
144 |
8.4. Симисторы........................................................................................................... ..... |
146 |
8.5. Однопереходные транзисторы(двухбазовые) .................................................... ..... |
147 |
8.6. Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)........... ..... |
150 |
Тема 9. Оптоэлектронные приборы........................................................................... ..... |
156 |
9.1. Общая характеристика оптоэлектронных приборов.......................................... ..... |
157 |
9.2. Излучатели........................................................................................................... ..... |
158 |
9.2.1. Излучающий диод (светодиод) ........................................................................ ..... |
158 |
9.2.2. Лазеры............................................................................................................... ..... |
162 |
9.3. Приемники оптического излучения.................................................................... ..... |
164 |
9.3.1. Общая характеристика ..................................................................................... ..... |
164 |
9.3.2. Фоторезисторы ................................................................................................. ..... |
165 |
9.3.3. Фотодиоды........................................................................................................ ..... |
166 |
9.3.4. Фототранзисторы.............................................................................................. ..... |
170 |
9.3.5. Фототиристоры................................................................................................. ..... |
172 |
9.4. Понятие о приборах с зарядовой связью Многоэлементные приемники |
|
изображения ............................................................................................................... ..... |
173 |
4 |
|
9.4.1. Аналоговые ПЗС............................................................................................... ..... |
175 |
9.4.2. ПЗС-преобразователи изображения................................................................. ..... |
175 |
9.5. Оптроны и оптоэлектронные ИМС..................................................................... ..... |
177 |
9.6. Индикаторы ......................................................................................................... ..... |
182 |
9.6.1. Буквенно-цифровые индикаторы..................................................................... ..... |
183 |
9.6.2. Матричные индикаторы ................................................................................... ..... |
184 |
9.6.3. Вакуумные электролюминесцентные индикаторы ......................................... ..... |
185 |
9.6.4. Жидкокристаллические индикаторы ............................................................... ..... |
185 |
РАЗДЕЛ 6. ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ........................................................ ..... |
188 |
Тема 10. Электронные усилители. Классификация и основные технические |
|
показатели усилителей............................................................................................... ..... |
191 |
10.1. Классификация усилителей............................................................................... ..... |
191 |
10.2. Основные технические показатели усилителей ............................................... ..... |
194 |
10.3. Характеристики усилителей.............................................................................. ..... |
196 |
10.4. Межкаскадные связи в усилителях................................................................... ..... |
200 |
10.4.1. Виды межкаскадных связей ........................................................................... ..... |
200 |
10.4.2. Эквивалентная схема усилительного каскада |
|
с резисторно-емкостными связями............................................................................ ..... |
201 |
10.4.3. Анализ эквивалентной схемы на низких, средних и высоких |
|
частотах ...................................................................................................................... ..... |
202 |
Тема 11. Обратная связь в усилителях ...................................................................... ..... |
205 |
11.1. Виды обратной связи......................................................................................... ..... |
205 |
11.2. Влияние ООС на основные показатели усилителя........................................... ..... |
207 |
11.3. Устойчивость работы многокаскадных усилителей ........................................ ..... |
209 |
11.4. Регулировки в усилителях................................................................................. ..... |
210 |
Тема 12. Усилители постоянного тока с непосредственными связями. |
|
Дифференциальные и операционные усилители...................................................... ..... |
212 |
12.1. Усилители постоянного тока с непосредственными связями.......................... ..... |
213 |
12.2. Дифференциальный каскад УПТ ...................................................................... ..... |
214 |
12.3. Операционные усилители (ОУ). Классификация и основные параметры |
|
операционных усилителей......................................................................................... ..... |
215 |
12.4. Схемы включения и использования ОУ........................................................... ..... |
219 |
РАЗДЕЛ 7. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ............................................................... ..... |
226 |
Тема 13. Основы микроэлектроники......................................................................... ..... |
228 |
13.1. Классификация и УГО интегральных микросхем............................................ ..... |
229 |
13.2. Аналоговые интегральные микросхемы................................................................. |
232 |
13.3. Классификация микросхем по функциональному признаку, система |
|
обозначений. Функциональная классификация микросхем..................................... ..... |
234 |
13.4. Элементы и компоненты ГИС........................................................................... ..... |
247 |
13.5. Элементы и компоненты полупроводниковых ИМС....................................... ..... |
249 |
13.6. Корпуса ИМС, техническая документация на ИМС........................................ ..... |
259 |
Тема 14. Простейшие логические функции и логические элементы ....................... ..... |
264 |
14.1. Логические функции и их реализация.............................................................. ..... |
265 |
14.2. Схемотехника простейших логических элементов.......................................... ..... |
267 |
14.3. Характеристики и параметры цифровых ИМС ................................................ ..... |
269 |
14.4. Классификация логических устройств ............................................................. ..... |
275 |
Тема 15. Базовые логические элементы цифровых интегральных |
|
микросхем................................................................................................................... ..... |
276 |
15.1. Диодно-транзисторная логика .......................................................................... ..... |
277 |
15.2. Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) ..................................................... ..... |
278 |
15.2.1. Транзисторно-транзисторная логика с простым инвертором....................... ..... |
279 |
5 |
|
15.2.2. ТТЛ со сложным инвертором......................................................................... ..... |
279 |
15.3. Логические элементы ТТЛ со специальными выводами................................. ..... |
281 |
15.3.1. ТТЛ с открытым коллектором ....................................................................... ..... |
281 |
15.3.2. ТТЛ с Z-состоянием........................................................................................ ..... |
282 |
15.3.3. ТТЛШ.............................................................................................................. ..... |
283 |
15.4. Логические элементы на полевых транзисторах МОП-структуры ................. ..... |
284 |
15.4.1. Ключи на МОП-транзисторах........................................................................ ..... |
285 |
15.4.2. Комплементарная МОП – пара (КМОП) ....................................................... ..... |
286 |
15.4.3. Реализация функции И-НЕ в КМОП-логике ................................................. ..... |
286 |
15.4.4. Реализация функции ИЛИ-НЕ в КМОП-логике............................................ ..... |
287 |
15.5. Эмиттерно-связная логика ................................................................................ ..... |
288 |
15.5.1. Реализация функций ИЛИ и ИЛИ-НЕ |
|
в эмиттерно-связной логике (ЭСЛ) ........................................................................... ..... |
288 |
15.5 2. Источник опорного напряжения.................................................................... ..... |
289 |
15.5 3. Базовый элемент ЭСЛ серии К500................................................................. ..... |
290 |
15.6. Интегральная инжекционная логика (И2Л) ...................................................... ..... |
291 |
15.7. Правила схемного включения элементов......................................................... ..... |
294 |
РАЗДЕЛ 8. ГЕНЕРАТОРЫ...................................................................................... ..... |
296 |
Тема16. Автогенераторы электрических клебаний .................................................. ..... |
297 |
16.1. Генераторы гармонических колебаний. Общие сведения ............................... ..... |
297 |
16.2. Самовозбуждение генератора ........................................................................... ..... |
298 |
16.3. LС-генераторы................................................................................................... ..... |
301 |
16.4. Режимы самовозбуждения автогенераторов .................................................... ..... |
303 |
16.5. Трехточечные автогенераторы гармонических колебаний.............................. ..... |
306 |
16.6. RС-генераторы................................................................................................... ..... |
307 |
16.7. Стабилизация частоты в автогенераторах........................................................ ..... |
310 |
16.8. Прочие типы генераторов. Магнетроны........................................................... ..... |
312 |
16.9. Оптические квантовые генераторы (лазеры).................................................... ..... |
315 |
РАЗДЕЛ 9. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ............................................... ..... |
319 |
Тема17. Электровакуумные и лучевые приборы ...................................................... ..... |
322 |
17.1. Введение в эмиссионную электронику............................................................. ..... |
322 |
17.2. Основы эмиссионной электроники................................................................... ..... |
323 |
17.3. Электровакуумный диод, устройство и принцип действия............................. ..... |
326 |
17.4. Основные параметры электровакуумного диода ............................................. ..... |
328 |
17.5. Триод.................................................................................................................. ..... |
331 |
17.5.1. Устройство и принцип действия триода........................................................ ..... |
331 |
17.5.2. ВАХ и основные параметры триода .............................................................. ..... |
333 |
17.6. Электронно-лучевые трубки (ЭЛТ) с электростатическим управлением....... ..... |
335 |
17.7. ЭЛТ с электромагнитным управлением ........................................................... ..... |
338 |
17.8. Кинескопы ......................................................................................................... ..... |
340 |
17.9. Цветные кинескопы........................................................................................... ..... |
340 |
РАЗДЕЛ 10. ШУМЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ.......................................... ..... |
343 |
Тема 18. Шумы электронных приборов.................................................................... ..... |
344 |
18.1.Общие сведения.................................................................................................. ..... |
344 |
18.2. Источники шумов в электронных приборах .................................................... ..... |
346 |
18.3. Коэффициент шума Шумы биполярных транзисторов ................................... ..... |
352 |
18.4. Шумы полевых транзисторов ........................................................................... ..... |
355 |
18.5. Выбор малошумящих транзисторов ................................................................. ..... |
358 |
6
ВВЕДЕНИЕ
1. Цель и задачи дисциплины 1.1. Цель преподавания дисциплины
Основной целью преподавания дисциплины является изучение студентами основных типов и разновидностей современных электронных приборов, физических основ функционирования, систем маркировки, условных графических обозначений ЭП, основ их разработки и практического применения.
1.2. Задачи изучения дисциплины Основными задачами изучения дисциплины являются:
∙Изучить физические процессы, используемые при работе электронных приборов (ЭП), конструктивные особенности ЭП и зависимость электрических параметров от конструкции и дестабилизирующих факторов.
∙Получить знания по особенностям технологии изготовления ЭП, современным методам улучшения качественных характеристик на этапе разработки и изготовления ЭП.
∙На основании практических расчетов научиться производить анализ основных характеристик схем, в которых используются электронные приборы, и осуществлять выбор необходимых типов ЭП из их современной номенклатуры.
Знать:
–физические основы явлений, обусловливающих принцип действия, устройство, параметры, характеристики и режимы работы электронных приборов;
–простейшие схемотехнические решения аналоговых, импульсных и цифровых устройств различного функционального назначения;
–современное состояние и перспективы развития электронных приборов и радиоэлектронных устройств на их основе.
Уметь:
–осуществлять рациональный выбор соответствующих электронных приборов и режимов их работы при разработке электронных устройств;
–выполнять расчет простейших электронных устройств;
–работать с электронными приборами и аппаратурой, используемой для исследования характеристик и измерения параметров приборов и устройств на их основе;
–работать с технической литературой, справочниками, стандартами, технической документацией по электронным приборам.
7
СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ Рабочая программа
Виды занятий, |
|
|
01 |
|
01 |
|
01 |
|
|
|
01 |
|
|
01 |
|
01 |
|
01 |
||
|
Д |
39-1 01 |
|
Д 39-1 02 |
З 39-1 02 |
|
Д |
40-1 01 |
|
З |
40-1 01 |
|
Д 40-1 02 |
|
З 40-1 02 |
|||||
знаний |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
формы контроля |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
П |
|
П |
С |
|
|
|
П |
|
|
С |
|
П |
|
П |
|||
Курс |
|
|
2 |
|
2 |
|
3 |
|
|
|
2 |
|
|
4 |
|
2 |
|
3 |
||
Семестр |
|
|
3 |
|
3 |
|
5 |
|
|
|
4 |
|
|
7 |
|
3 |
|
5 |
||
Лекции, ч |
|
|
36 |
|
36 |
|
4 |
|
|
|
32 |
|
|
4 |
|
36 |
|
10 |
||
Экзамен |
|
|
3 |
|
3 |
|
– |
|
|
|
4 |
|
|
7 |
|
3 |
|
5 |
||
(семестр) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зачет (семестр) |
|
|
|
|
|
– |
5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Практические |
|
|
18 |
|
18 |
|
2 |
|
|
|
16 |
|
|
|
|
|
18 |
|
2 |
|
(семинарские), ч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Лабораторные |
|
|
18 |
|
18 |
|
6 |
|
|
|
16 |
|
|
4 |
|
18 |
|
8 |
||
занятия, ч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Расчетно- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
графические |
|
|
|
|
|
– |
– |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
работы (семестр) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Контрольные ра- |
|
|
|
|
|
– |
– |
|
|
|
|
|
|
7 |
|
|
|
5 |
||
боты (семестр) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Курсовая работа |
|
|
|
|
|
– |
– |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(семестр /часы) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Курсовой проект |
|
|
|
|
|
– |
– |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(семестр /часы) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Управляемая |
|
|
|
|
|
– |
– |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
самостоятельная |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
работа (часы) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Аудиторных (ч) |
|
|
72 |
|
72 |
|
12 |
|
|
|
64 |
|
|
8 |
|
72 |
|
20 |
||
Всего(ч) |
|
|
110 |
|
90 |
|
90 |
|
|
|
100 |
|
|
100 |
|
105 |
|
105 |
||
Наименование тем лекционных занятий |
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Число часов |
|
|
|
|
||||||
Наименования |
|
|
|
|
|
|
Дневное |
|
|
|
|
|
|
|
|
Заочное |
||||
|
|
|
Полн. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
разделов и тем лекций |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
1-39 01 01 |
|
Полн. |
|
|
Сокр. |
|
|
Сокр. |
|
Полн. |
|||||||||
и их содержание |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
1-39 02 01 |
|
1-40 01 01 |
|
1-39 02 01 |
|
1-40 01 01 |
1-40 02 01 |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
1-40 02 01 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Семестр |
|
|
|
3семестр |
|
4 семестр |
|
|
5 семестр |
|
7 семестр |
5 семестр |
||||||||
1 |
|
|
|
|
2 |
|
3 |
|
|
|
4 |
|
|
|
|
5 |
6 |
|||
РАЗДЕЛ 1. ВВЕДЕ- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
НИЕ. КЛАССИФИ- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,25 |
|
|
|
0,25 |
1 |
||||
КАЦИЯ ЭП, СТРОЕ- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
НИЕ ТЕЛ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Тема 1. Введение. Ос- |
|
|
2 |
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
новные определения и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
направления. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
2 |
3 |
|
4 |
5 |
6 |
РАЗДЕЛ 2 СПЕЦИ- |
|
|
|
|
|
|
АЛЬНЫЕ ПОЛУПРО- |
|
|
|
0,25 |
0,25 |
1 |
ВОДНИКОВЫЕ ПРИ- |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
БОРЫ. P-N-ПЕРЕХОД. |
|
|
|
|
|
|
Тема 2. Специальные |
|
|
|
|
|
|
полупроводниковые |
|
|
|
|
|
|
приборы. |
4 |
4 |
|
|
|
|
Тема 3. Электронно- |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
дырочный (p-n) пере- |
|
|
|
|
|
|
ход |
|
|
|
|
|
|
РАЗДЕЛ 3. ПОЛУ- |
|
|
|
|
|
|
ПРОВОДНИКОВЫЕ |
|
|
|
0,5 |
0,5 |
1 |
ДИОДЫ |
|
|
|
|
|
|
Тема 4. Полупровод- |
|
|
|
|
|
|
никовые приборы. |
|
|
|
|
|
|
Устройство, классифи- |
2 |
2 |
|
|
|
|
кация и основные па- |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
раметры полупровод- |
|
|
|
|
|
|
никовых диодов |
|
|
|
|
|
|
РАЗДЕЛ 4. ТРАНЗИ- |
|
|
|
0,5 |
0,5 |
2 |
СТОРЫ |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
Тема 5. Биполярные |
|
|
|
|
|
|
транзисторы. Устрой- |
|
|
|
|
|
|
ство, классификация и |
2 |
2 |
|
|
|
|
принцип действия би- |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
полярных транзисто- |
|
|
|
|
|
|
ров |
|
|
|
|
|
|
Тема 6. Статические |
|
|
|
|
|
|
характеристики схем |
|
|
|
|
|
|
включения биполяр- |
|
|
|
|
|
|
ных транзисторов. |
2 |
2 |
|
|
|
|
Частотные, темпера- |
|
|
|
|
|
|
турные и электриче- |
|
|
|
|
|
|
ские параметры. |
|
|
|
|
|
|
Тема 7. Полевые тран- |
2 |
2 |
|
|
|
|
зисторы |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
РАЗДЕЛ 5. БЕСКОН- |
|
|
|
|
|
|
ТАКТНЫЕ УСТРОЙ- |
|
|
|
|
|
|
СТВА КОММУТА- |
|
|
|
0,5 |
0,5 |
1 |
ЦИИ И ОПТОЭЛЕК- |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
ТРОННЫЕ УСТРОЙ- |
|
|
|
|
|
|
СТВА |
|
|
|
|
|
|
Тема 8. Приборы бес- |
|
|
|
|
|
|
контактной коммута- |
2 |
2 |
|
|
|
|
ции: тиристоры, IGBT- |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
транзисторы |
|
|
|
|
|
|
Тема 9. Оптоэлектрон- |
2 |
2 |
|
|
|
|
ные приборы |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
9 |
|
|
|
1 |
2 |
3 |
|
4 |
5 |
6 |
РАЗДЕЛ 6. ЭЛЕК- |
|
|
|
|
|
|
ТРОННЫЕ УСИЛИ- |
|
|
|
|
|
1 |
ТЕЛИ |
|
|
|
|
|
|
Тема 10. Электронные |
|
|
|
|
|
|
усилители. Классифи- |
|
|
|
|
|
|
кация и основные тех- |
2 |
2 |
|
0,5 |
0,5 |
|
нические показатели |
|
|
|
|
|
|
усилителей |
|
|
|
|
|
|
Тема 11. Обратная |
2 |
2 |
|
|
|
|
связь в усилителях |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Тема 12. Усилители |
|
|
|
|
|
|
постоянного тока с не- |
|
|
|
|
|
|
посредственными свя- |
2 |
2 |
|
|
|
|
зями. Дифференциаль- |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
ные и операционные |
|
|
|
|
|
|
усилители |
|
|
|
|
|
|
РАЗДЕЛ 7. Интеграль- |
|
|
|
0,5 |
0,5 |
1 |
ные схемы |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
Тема 13. Основы мик- |
2 |
2 |
|
|
|
|
роэлектроники |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Тема 14. Простейшие |
|
|
|
|
|
|
логические функции и |
2 |
2 |
|
|
|
|
логические элементы |
|
|
|
|
|
|
Тема 15. Базовые ло- |
|
|
|
|
|
|
гические элементы |
2 |
2 |
|
|
|
|
цифровых интеграль- |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
ных микросхем |
|
|
|
|
|
|
РАЗДЕЛ 8. ГЕНЕРА- |
|
|
|
|
|
0,5 |
ТОРЫ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Тема16. |
|
|
|
|
|
|
Автогенераторы |
2 |
|
|
|
|
|
электрических |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
клебаний |
|
|
|
|
|
|
РАЗДЕЛ 9. Электрова- |
|
|
|
0,5 |
0,5 |
1 |
куумные приборы |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
Тема17. |
|
|
|
|
|
|
Электровакуумные и |
2 |
2 |
|
|
|
|
лучевые приборы |
|
|
|
|
|
|
РАЗДЕЛ 10. ШУМЫ |
|
|
|
|
|
|
ЭЛЕКТРОННЫХ |
|
|
|
0,5 |
0,5 |
0,5 |
ПРИБОРОВ |
|
|
|
|
|
|
ТЕМА 18. Шумы элек- |
2 |
|
|
|
|
|
тронных приборов |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Итого |
36 |
32 |
|
4 |
4 |
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|